DC-60 GHz硅基垂直互聯(lián)結構仿真設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>747 K
標簽： 三維集成 硅轉接板堆疊 垂直互聯(lián)結構
所需積分：0分積分不夠怎么辦,？
文檔介紹：設計了一種基于多層硅轉接板堆疊的垂直互聯(lián)結構，對DC-60 GHz頻段內不考慮和考慮硅表面SiO2層的兩種層間結構的垂直互聯(lián)仿真結果進行對比，證明了硅表面SiO2層存在會對諧振頻率及阻抗等射頻性能產生影響,；對后者垂直互聯(lián)結構進行參數(shù)優(yōu)化，射頻傳輸性能較好,，頻率40 GHz以下時回波損耗S11小于-30 dB,，60 GHz以下整體S11小于-15 dB，插入損耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB,；研究了硅表面SiO2絕緣層厚度變化對射頻信號傳輸性能的影響,，結果表明適當增加其厚度有助于垂直互聯(lián)結構性能優(yōu)化。
現(xiàn)在下載
VIP會員,，AET專家下載不扣分,；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分,。