用于甚低頻無線通信的一種低噪聲放大器設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>672 K
標簽： 甚低頻 低噪聲放大器 高電源抑制比
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文檔介紹：介紹了一種用于甚低頻無線通信中的低噪聲放大器的設計,。提出了一個由低通跨導與自共源共柵MOSFET形成的新環(huán)路,，用于穩(wěn)定放大器的輸出偏置電壓,。該環(huán)路配合恒定跨導偏置電路，可使放大器的開環(huán)增益保持在40 dB左右,，不會受到工藝偏差,、電源電壓波動和工作溫度變化的影響。該放大器中自共源共柵MOSFET作為增益單元,，配合全差分電流偏置電路,，輸出范圍可達到軌到軌。此放大器具有高達101.4 dB的帶內電源抑制比,。當可穿戴設備采用高阻抗電源供電時,，電源紋波對輸出信號幾乎無影響。
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