MOSFET寄生參數(shù)對(duì)LLC諧振變換器性能影響研究 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大?。?span>541 K | |
標(biāo)簽: 寄生參數(shù) LLC諧振電路 Angelov模型 | |
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文檔介紹:針對(duì)MOSFET寄生參數(shù)對(duì)LLC諧振電路性能的影響,首先對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行等效分析,,基于該等效模型,,分析在LLC諧振變換電路中,寄生參數(shù)的存在對(duì)電路各個(gè)階段過程的影響,;接著對(duì)由于寄生參數(shù)引起的非線性特征,,基于Angelov模型進(jìn)行建模,并對(duì)該模型在直流電路中的影響進(jìn)行分析,。最后在MATLAB下建立了LLC諧振電路模型,,在仿真模型中考慮了寄生參數(shù)的影響。仿真結(jié)果表明,,建立的等效模型可以較好地反映MOSFET器件的工作特點(diǎn),;同時(shí),由于寄生參數(shù)的存在,,LLC諧振電路的輸出增益和諧振頻率都會(huì)受到影響,,其中尤以對(duì)諧振頻率的影響較大。 | |
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