基于全物理模型的模塊級SRAM的SEU仿真方法
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>559 K
標簽： 存儲器 單粒子翻轉 抗輻照
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文檔介紹：隨著科學技術的發(fā)展和工藝尺寸的降低,，單元器件的尺寸逐漸減小，使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉等效應日益嚴重,，增加了抗輻射加固模塊級SRAM設計難度，因此需要一套更為完備的仿真方法對模塊級SRAM的單粒子效應敏感性進行預估,，為電路加固設計提供依據(jù)和建議,。基于模塊級SRAM的單元結構和電路版圖,，利用Cogenda軟件構建了模塊級SRAM單粒子翻轉效應仿真方法,，對其敏感性進行分析，獲得其單粒子翻轉LET閾值,，并與重離子實驗結果進行對比,，仿真誤差為13.3%。
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