絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本特性與驅(qū)動
所屬分類：解決方案
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標簽： IGBT 晶體管
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文檔介紹：摘要：IGBT 的全 稱是Insulate Gate Bipolar Transistor,，即絕緣柵雙極晶體管,。它兼具MOSFET和GTR的多項優(yōu)點，極大的擴展了半導體器件的功率應(yīng)用領(lǐng)域,。例如將之應(yīng)用于變頻空調(diào)逆變電路當中,，顯著地改善了空調(diào)的性能。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域。
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