同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹
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上傳者：serena
標(biāo)簽： 同步整流技術(shù) 開關(guān)電源 整流輸出
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文檔介紹： 同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹：大家都知道,，對(duì)于開關(guān)電源,，在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過程,。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕?，它可以理解為一種被動(dòng)式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通,，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高,，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V,，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降,。這個(gè)壓降完全是做的無用功,，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個(gè)例子：如有一個(gè)管子壓降為0.7V,，其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓,，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí)，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%,?？梢姶祟惼骷诘蛪捍箅娏鞯墓ぷ鳝h(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低,，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開關(guān)電源的溫度上升,、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜,。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展,，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A,。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V,，每路16A,；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn),，為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率（如多核R80,，完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn)）的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。如何解決這些問題,？尋找更好的整流方式,、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了,！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系,。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí),，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件,，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過,，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。在實(shí)際應(yīng)用中,，一般在通過20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗,。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積，故小電流時(shí),，其壓降和恒定壓降的肖特基不同,，電流越小壓降越低。
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