CoolMos的原理,、結(jié)構(gòu)及制造
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS
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文檔介紹： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,，要想提高BV,，都是從減小EPI參雜濃度著手,，但是外延層又是正向電流流通的通道,，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大,，Rdson增大,。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和,。 但是對于COOLMOS,，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),，大大提高了BV,，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),，就能大大提高耐壓呢,？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓,，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),，對于一個PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受,，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小,、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分,，就是承受電壓的大小,。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI,， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè),，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,，基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,，這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強(qiáng)度E越大,。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形,。
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