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新品速遞：ITECH推出IT8400高性能直流電子負(fù)載

新品速遞：ITECH推出IT8400高性能直流電子負(fù)載

ITECH艾德克斯于近日推出一款高性能直流電子負(fù)載IT8400系列

發(fā)表于：4/24/2022 10:51:00 AM

中國(guó)首款,！紫光同芯5G eSIM卡成功研發(fā)

中國(guó)首款！紫光同芯5G eSIM卡成功研發(fā)

4月21日消息,，今日，“紫光同芯”微信公眾號(hào)宣布,，紫光同芯攜手聯(lián)通華盛成功研發(fā)出5G eSIM卡產(chǎn)品,。這是國(guó)內(nèi)首款支持5G profile下載、SA和NSA雙模聯(lián)網(wǎng)的聯(lián)通5G eSIM產(chǎn)品,。

發(fā)表于：4/23/2022 3:57:00 PM

意法半導(dǎo)體發(fā)布高集成度車(chē)規(guī)音頻放大器,高清音質(zhì)與G類(lèi)能效兼?zhèn)?>
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意法半導(dǎo)體發(fā)布高集成度車(chē)規(guī)音頻放大器,高清音質(zhì)與G類(lèi)能效兼?zhèn)?/a>

2022 年 4 月 20 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體的 TDA7901車(chē)規(guī)功放單片集成G類(lèi)功放開(kāi)關(guān)管降壓控制器,并支持高清音頻,這個(gè)獨(dú)步市場(chǎng)的特性組合帶來(lái)出色的聽(tīng)覺(jué)體驗(yàn)和高能效,。

發(fā)表于：4/23/2022 3:44:30 PM

vivo發(fā)布自研芯片V1+

vivo發(fā)布自研芯片V1+

4月20日,vivo發(fā)布了自主研發(fā)的“芯”品——V1+。這也是繼去年九月vivo對(duì)外發(fā)布首款自研ISP芯片V1后的又一力作,。

發(fā)表于：4/23/2022 10:12:55 AM

Intel 12代酷睿發(fā)威：16核的筆記本處理器來(lái)了

Intel 12代酷睿發(fā)威：16核的筆記本處理器來(lái)了

　在使用混合架構(gòu)后,，Intel 12代酷睿桌面處理器成功達(dá)成16核，下一代（Raptor Lake）更是上24核,。

發(fā)表于：4/22/2022 6:42:00 AM

英飛凌搞出1顆“無(wú)限壽命”的宇航級(jí)芯片,，250年壽命,，0缺陷

英飛凌搞出1顆“無(wú)限壽命”的宇航級(jí)芯片,，250年壽命，0缺陷

眾所周知，與民用芯片相比,，宇航級(jí)芯片最重要的不是性能,，而是穩(wěn)定、防輻射水平高,、使用壽命長(zhǎng),。

發(fā)表于：4/19/2022 8:42:49 PM

意法半導(dǎo)體推出下一代衛(wèi)星用2.5V抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器

意法半導(dǎo)體推出下一代衛(wèi)星用2.5V抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器

2022 年 4月 14 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體RHRDAC121抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)的最低工作電壓為 2.5V,適用于老式 3.3V數(shù)模轉(zhuǎn)換器不支持的現(xiàn)代低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：4/14/2022 6:10:28 PM

中科院第2款RISC-V芯片來(lái)了，中芯國(guó)際14nm工藝,，性能直接翻倍

中科院第2款RISC-V芯片來(lái)了,，中芯國(guó)際14nm工藝,，性能直接翻倍

眾所周知,，目前芯片領(lǐng)域最強(qiáng)的兩大架構(gòu)分別是intel的X86,，還有ARM。這兩大架構(gòu)壟斷了PC,、移動(dòng)領(lǐng)域,，可以說(shuō)是沒(méi)有對(duì)手。

發(fā)表于：4/13/2022 7:08:44 AM

ITECH推出IT-M3100D雙通道直流電源

ITECH推出IT-M3100D雙通道直流電源

ITECH艾德克斯于近日推出M系列旗下第一款雙通道直流電源——IT-M3100D系列,。至此M系列已擁有11個(gè)子產(chǎn)品系列,，覆蓋了直流電源、交流電源,、雙向直流源,、源載系統(tǒng)、回饋式直流負(fù)載,、高精度直流源等多個(gè)產(chǎn)品線,，給了用戶非常寬廣的選擇范圍，滿足多樣性的測(cè)試需求,。

發(fā)表于：3/28/2022 10:51:00 AM

Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型,。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù),。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù),。

發(fā)表于：3/24/2022 4:40:25 PM