《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 其他 > 解決方案 > 一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案

一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案

2010-11-09
作者:飛兆半導(dǎo)體公司應(yīng)用工程師 SungJin.Kuen
來源:互聯(lián)網(wǎng)

關(guān)鍵字: 側(cè)光式LED LED背光 功率解決方案

  發(fā)光效率的提高,、使用壽命的延長,以及對廣色域需求的不斷增長,,推動發(fā)光二極管(LED)取代冷陰極熒光燈(CCFL)成為液晶顯示屏(LCD)平板電視的背光選擇,。為了給大尺寸LCD TV提供足夠的亮度,LED背光需要采用許多LED陣列,。根據(jù)其排列方式,,LED背光單元(BLU)可劃分為側(cè)光式LED BLU和直光式LED BLU兩種,如圖1,、2所示,。在側(cè)光式LED BLU中,需要高效率,、高升壓比DC-DC轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動串聯(lián)的LED串,。級聯(lián)DC-DC轉(zhuǎn)換器可以滿足這些要求,但也帶來一些挑戰(zhàn),,比如額外的復(fù)雜性和更高的成本,。本文將介紹一種能夠解決上述問題的倍壓升壓型轉(zhuǎn)換器。

側(cè)光式LED背光照明的功率要求

  LCD TV中的BLU對于應(yīng)用總成本的影響很大,,因為它可能占LCD TV總成本的30-40%,,并且對最終的角亮度(angular luminance)、對比度和亮度起著舉足輕重的作用,。

  作為一種BLU光源,,LED在LCD行業(yè)迅速嶄露頭角,作為CCFL的替代品,,預(yù)計其將在未來數(shù)年內(nèi)保持穩(wěn)健增長,。LED在色彩表現(xiàn)力和產(chǎn)品使用壽命方面優(yōu)于CCFL,因為它擁有不會與實際RGB波長峰值重疊的RGB波長,。LED還很容易小型化,,且抗震能力極強。但是LED也有一個缺點,,那就是它的成本較高,。由于側(cè)光式的成本優(yōu)勢以及光學薄膜技術(shù)針對不同測光類型的發(fā)展,目前側(cè)光式LED BLU主要運用于LCD平板電視,。

  在大尺寸TV中,,BLU邊緣排列有60個LED,這就需要電源能提供一個高壓穩(wěn)定電流源。例如,,為了將開關(guān)電源(SMPS)的24V輸出電壓提高到130V,,通常會使用級聯(lián)升壓轉(zhuǎn)換器。如前所述,,這種方案存在很多缺點,,而且成本和驅(qū)動復(fù)雜性始終是該方案難以克服的挑戰(zhàn)。因此,,有不少論文建議選擇使用高升壓比升壓轉(zhuǎn)換器,。眾所周知,倍壓升壓型轉(zhuǎn)換器是其中最具競爭力的解決方案之一,。利用這種拓撲結(jié)構(gòu),,半導(dǎo)體供應(yīng)商可以提供最高效、最具成本效益的解決方案,。

  下面將介紹一種倍壓升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,,并利用37英寸的LED背光平板電視予以驗證。側(cè)光式LED背光的功率要求如表1所示,。

倍壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

  側(cè)光式LED背光需要一個高效率,、高升壓比的DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計。升壓轉(zhuǎn)換器可以滿足這些要
求,。圖3所示為一個采用了飛兆半導(dǎo)體MOSFET的倍壓升壓型轉(zhuǎn)換器的電源模塊示意圖,。

  

  為了便于解釋電路的工作原理,圖4給出了開關(guān)周期內(nèi)圖3所示電路的拓撲級,,而圖5所示為其主要波形,。

  

  

  通過MOSFET的開關(guān)轉(zhuǎn)換,倍壓升壓型轉(zhuǎn)換器支持兩種工作模式,。第一種模式出現(xiàn)MOSFET(Q)導(dǎo)通期間,;第二種模式出現(xiàn)在T0 – T1時間間隔內(nèi)。如圖3所示,,這是電感充電,,二極管D1反向偏置,隔直電容Cblock從Cout1充電,。在這個階段,,負載電流由濾波器電容Cout2提供。從圖4(a)可以得出:   

  當MOSFET(Q)關(guān)斷時,,電感電流從MOSFET換流到二極管D1,。然后,電感中儲存的能量被釋放到Cout1,,阻斷電容Cblock放電到濾波器電容Cout2中。

  電壓轉(zhuǎn)換比可根據(jù)電感上的電壓-時間(伏-秒,,volt-second)平衡關(guān)系計算出,。從式1)和式2)可得:

  這里,,D是占空比,VOUT為輸出電壓,,而VIN則為輸入電源電壓,。

  關(guān)斷期間MOSFET(Q)的漏源電壓是輸出電壓的一半,故可以選擇漏源擊穿電壓(BVDSS)較低的MOSFET,,即使其輸出電壓較高也無妨,。這意味著升壓轉(zhuǎn)換器的總體效率隨MSOFET的BVDSS降低而提高。鑒于漏源導(dǎo)通阻抗(RDS(on))與柵極電荷(Qg)值是MOSFET最重要的特性參數(shù),,這就有可能選擇比較合適BVDSS的MOSFET,。

 關(guān)鍵字: 側(cè)光式LED LED背光 功率解決方案

  電感和電容的設(shè)計是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在LED背光應(yīng)用中實現(xiàn)纖薄設(shè)計的關(guān)鍵因素之一,。由于電感是能量儲存器件,,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感,。此外,,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電感值,。電感值可通過下面的方程式4)計算得出:

  這里,,fs為開關(guān)頻率,VOUT為輸出電壓,,VIN為輸入電源電壓,,ΔIL為電感紋波電流。
輸出電容影響輸出電壓紋波,,而較小的輸出電壓紋波可降低水波紋干擾(waterfall noise),。一般而言,輸出電容值越大,,輸出紋波電壓就越小,。輸出紋波ΔVOUT的計算公式如下所示:

  這里,COUT是輸出電容,,ESR是輸出端的等效串聯(lián)阻抗,。

飛兆半導(dǎo)體的功率解決方案

  電源設(shè)計的發(fā)展趨勢主要是通過降低損耗來提高效率。電源系統(tǒng)要想獲得高效率,,選擇具有低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))和柵極電荷(Qg)特性的開關(guān)器件十分重要,。飛兆半導(dǎo)體在中壓MOSFET(BVDSS:100 ~ 200V)中引入了新的溝槽技術(shù),使其具有較低的柵極電荷特性和出色的額定導(dǎo)通阻抗,,從而能夠降低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗,。特別是在應(yīng)用中,控制MOSFET的開關(guān)損耗是提高效率的關(guān)鍵所在,因為MOSFET工作在硬開關(guān)條件下,。飛兆半導(dǎo)體新推出的溝槽技術(shù)MOSFET,,具有更低的柵極電荷與導(dǎo)通阻抗,針對升壓轉(zhuǎn)換器進行了充分優(yōu)化,。表2顯示了采用FDD86102與采用同類傳統(tǒng)MOSFET的比較結(jié)果,。

  

  由于柵漏電容(米勒電容)的減小,F(xiàn)DD86102的總柵極電荷相比傳統(tǒng)器件減少了40%,。在高頻應(yīng)用中,,柵極電荷減少的一個好處是降低了開關(guān)損耗,從而提高了高頻應(yīng)用的效率,。

  

  高效率和低溫特性是LCD顯示器的關(guān)鍵性能參數(shù),,因為小而薄的結(jié)構(gòu)是顯示器系統(tǒng)的一個關(guān)鍵指標。一般而言,,在室溫25℃且無空氣對流的情況下,,顯示器中的MOSFET和電感器等主要元件的增溫不應(yīng)該超過65℃。圖8和圖9所示為效率及熱性能的分析結(jié)果,。

結(jié)論

  本文對側(cè)光式LED BLU應(yīng)用中作為高升壓比DC-DC轉(zhuǎn)換器的倍壓升壓型轉(zhuǎn)換器和耦合電感型轉(zhuǎn)換器進行了介紹和分析,。為了降低高工作頻率應(yīng)用中的功率損失,飛兆半導(dǎo)體提供面向升壓轉(zhuǎn)換器的最優(yōu)化100V MOSFET,,具有低導(dǎo)通阻抗和低柵極電荷,。根據(jù)LCD平板的尺寸,還可提供Power33,、DPAK等不同封裝形式,。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。