本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求,，與大家分享，請(qǐng)網(wǎng)友看看有何不足,，先看一個(gè)圖吧,，F(xiàn)ET的等效模型是：
用它做成的半橋；就成了這樣的一個(gè)電路：
空載開關(guān)時(shí),；電路變成這兩個(gè)工作模式：
上圖是高邊開關(guān),；低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開關(guān),；高邊關(guān)斷狀態(tài),。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致半,、全橋空載時(shí)發(fā)熱,。它不僅發(fā)生在開路狀態(tài)；而且還會(huì)發(fā)生在容性負(fù)載和硬開關(guān)電路里,。適當(dāng)?shù)目刂?ldquo;開”的速度,；防制上下之通是必要的。
高端FET開關(guān)狀態(tài)下,；導(dǎo)通再關(guān)閉后,，由于CDS1、CDS2的電容儲(chǔ)能，Q1關(guān)斷,；輸出仍為+Vbus,。此時(shí)；Q1柵電壓為0V,，但是,；Q1并沒因此而承受電壓。即Q1是零電壓關(guān)斷,；關(guān)斷過程,；柵電壓沒有平臺(tái)！沒有彌勒效應(yīng)區(qū),！經(jīng)過一段死區(qū)時(shí)間后,；低端FET導(dǎo)通，此時(shí)此刻,；高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓,！雖然是空載；但在這過程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化,，看圖解,！
高邊FET導(dǎo)通后；向Cds2充電/Cds1放電,，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí),；由于電容無放電回路（Q2斷）,，電容電壓保持不變，Q1零壓管斷（無彌勒效應(yīng)）,。Q1關(guān)后,；仍由于電容做用而不承受電壓。
用正驅(qū)動(dòng)脈沖開啟Q2,，當(dāng)柵電壓達(dá)到門坎時(shí),；Q2開始通。Cds2短路放電,；Cds1充電,。顯然；Q2是硬開通,。Q1此時(shí)開始實(shí)質(zhì)性承受電壓,。由于Cdg1的充電；導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)?xùn)烹娮枭袭a(chǎn)生電壓,。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門坎時(shí),；Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通
半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過程。
低端的管子是硬開通軟關(guān)斷,；高端皆然,。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測(cè)波形，供大家討論,。注意：“ON”是,；有明顯的彌勒效應(yīng)平臺(tái)，“OFF”時(shí),；沒有,。（電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處）
阻性負(fù)載：
大體和容性相當(dāng)，只是半橋輸出在死區(qū)時(shí)間里,；電壓是電源電壓的一般（如果同同樣的FET做的半,、全橋的話）。
由于FET在關(guān)斷后,；沒有承受所有電壓,，F(xiàn)ET實(shí)際的彌勒效應(yīng)略微減小?？催@圖：
現(xiàn)實(shí)負(fù)載中,；除了電容/電感/電阻性負(fù)載外。還有一類負(fù)載,；叫高分布參數(shù)負(fù)載,。如大功率PFC/電機(jī)/PDP驅(qū)動(dòng)等等。它們大體可以等效成這樣兩種拓樸（單級(jí)或多級(jí)鏈接）
當(dāng)你用方波驅(qū)動(dòng)這樣的負(fù)載時(shí),；電壓或電流高/射頻分量會(huì)發(fā)生反射,。地線上充滿梳裝噪音，在方波沿上,；同時(shí)跳動(dòng)著電流尖刺。驅(qū)動(dòng)速度越高,；間刺越大,。（這和我們用不同阻抗同軸電纜連接電視；而產(chǎn)生重影是一個(gè)道理）如果拉開波型,；可以發(fā)現(xiàn),，第一個(gè)電流尖峰是最高且冒似正弦。這個(gè)現(xiàn)實(shí)的脈沖電流就是這個(gè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的,。
用示波器看,。將探頭和地線夾短在一起時(shí)；測(cè)得的噪音,；主要是共模分量,。用探頭和地線夾夾在地線的不同部位測(cè)得的是差/共模噪音之和,。用示波器看時(shí)；要求它有至少100M以上的帶寬,。低于10M,，大多數(shù)噪音將看不見，低于1M時(shí),；一切都干凈了本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求,，與大家分享，請(qǐng)網(wǎng)友看看有何不足,，先看一個(gè)圖吧,，F(xiàn)ET的等效模型是：
用它做成的半橋；就成了這樣的一個(gè)電路：
空載開關(guān)時(shí),；電路變成這兩個(gè)工作模式：
上圖是高邊開關(guān),；低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開關(guān),；高邊關(guān)斷狀態(tài),。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致半,、全橋空載時(shí)發(fā)熱,。它不僅發(fā)生在開路狀態(tài)；而且還會(huì)發(fā)生在容性負(fù)載和硬開關(guān)電路里,。適當(dāng)?shù)目刂?ldquo;開”的速度,；防制上下之通是必要的。
高端FET開關(guān)狀態(tài)下,；導(dǎo)通再關(guān)閉后,，由于CDS1、CDS2的電容儲(chǔ)能,，Q1關(guān)斷,；輸出仍為+Vbus,。此時(shí),；Q1柵電壓為0V，但是,；Q1并沒因此而承受電壓,。即Q1是零電壓關(guān)斷；關(guān)斷過程,；柵電壓沒有平臺(tái),！沒有彌勒效應(yīng)區(qū)！經(jīng)過一段死區(qū)時(shí)間后,；低端FET導(dǎo)通,，此時(shí)此刻,；高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓！雖然是空載,；但在這過程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化,，看圖解！
高邊FET導(dǎo)通后,；向Cds2充電/Cds1放電,，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí),；由于電容無放電回路（Q2斷）,，電容電壓保持不變，Q1零壓管斷（無彌勒效應(yīng)）,。Q1關(guān)后,；仍由于電容做用而不承受電壓。
用正驅(qū)動(dòng)脈沖開啟Q2,，當(dāng)柵電壓達(dá)到門坎時(shí),；Q2開始通。Cds2短路放電,；Cds1充電,。顯然；Q2是硬開通,。Q1此時(shí)開始實(shí)質(zhì)性承受電壓,。由于Cdg1的充電；導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)?xùn)烹娮枭袭a(chǎn)生電壓,。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門坎時(shí),；Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通
半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過程,。
低端的管子是硬開通軟關(guān)斷,；高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測(cè)波形,，供大家討論,。注意：“ON”是；有明顯的彌勒效應(yīng)平臺(tái),，“OFF”時(shí),；沒有。（電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處）
阻性負(fù)載：
大體和容性相當(dāng),，只是半橋輸出在死區(qū)時(shí)間里,；電壓是電源電壓的一般（如果同同樣的FET做的半、全橋的話）,。
由于FET在關(guān)斷后,；沒有承受所有電壓,，F(xiàn)ET實(shí)際的彌勒效應(yīng)略微減小?？催@圖：
現(xiàn)實(shí)負(fù)載中,；除了電容/電感/電阻性負(fù)載外。還有一類負(fù)載,；叫高分布參數(shù)負(fù)載,。如大功率PFC/電機(jī)/PDP驅(qū)動(dòng)等等。它們大體可以等效成這樣兩種拓樸（單級(jí)或多級(jí)鏈接）
當(dāng)你用方波驅(qū)動(dòng)這樣的負(fù)載時(shí),；電壓或電流高/射頻分量會(huì)發(fā)生反射,。地線上充滿梳裝噪音，在方波沿上,；同時(shí)跳動(dòng)著電流尖刺,。驅(qū)動(dòng)速度越高；間刺越大,。（這和我們用不同阻抗同軸電纜連接電視,；而產(chǎn)生重影是一個(gè)道理）如果拉開波型；可以發(fā)現(xiàn),，第一個(gè)電流尖峰是最高且冒似正弦,。這個(gè)現(xiàn)實(shí)的脈沖電流就是這個(gè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的。
用示波器看,。將探頭和地線夾短在一起時(shí),；測(cè)得的噪音；主要是共模分量,。用探頭和地線夾夾在地線的不同部位測(cè)得的是差/共模噪音之和,。用示波器看時(shí)；要求它有至少100M以上的帶寬,。低于10M,，大多數(shù)噪音將看不見，低于1M時(shí),；一切都干凈了,。
這時(shí)候；大體有三種選擇：
1）串低分布參數(shù)的電感,，使分布電容的作用減到最小,。
它對(duì)負(fù)載端的分布參數(shù)抑制有效,；對(duì)FET自身寄生電容沒作用,。
2）用低分布參數(shù)的元件做開關(guān)，開的足夠快,?？焖匍_關(guān)后,；連聯(lián)線都可以被等效成電感了。
效率提高了,，元件要求高了,，需要增加EMI/C網(wǎng)絡(luò)了。
3）開慢些,；再慢些,，所有寄生參數(shù)變的越來越無足輕重了。
犧牲了效率,，提高了EMI/C品質(zhì),。
4）用軟開關(guān)拓樸
元件增加了；效率提高了,；噪音下來了,；成本提高了