7月14日消息，據(jù)外媒ComputerBase 報導(dǎo)，晶圓代工龍頭大廠臺積電正計劃在美國亞利桑那州晶圓廠（Fab 21） 附近建造兩座先進封裝廠，并在當(dāng)?shù)靥酑oPoS 和SoIC 先進封裝服務(wù)。

今年3月，臺積電在此前對美國投資650億美元建設(shè)三座先進制程晶圓廠的計劃基礎(chǔ)之上，又宣布對美國追加1000億美元投資，再建設(shè)三座新晶圓廠、兩座先進封裝廠，以及一個研發(fā)中心。需要指出的是，雖然目前臺積電亞利桑那州的4nm制程的晶圓一廠已經(jīng)量產(chǎn)，3nm的晶圓二廠也已經(jīng)動工，但是由于臺積電在美國沒有匹配的先進封裝廠，所以這些在美國生產(chǎn)的先進制程芯片還需要運往中國臺灣進行封裝。因此，臺積電在美國本土建立新的先進封裝廠也將變得越來越迫切。

據(jù)報導(dǎo)，臺積電計劃在Fab 21 附近建造兩座專用建筑，在當(dāng)?shù)靥峁┫冗M封裝服務(wù)。首個先進封裝設(shè)施AP1 計劃2028年開始興建，與Fab 21 的第三階段間建計劃同步，可以為N2 及更先進的A16 制程技術(shù)服務(wù)。第二座先進封裝設(shè)施AP2將與Fab 21 的第四/五階段同步，但是還沒有具體的動工日期。

在技術(shù)方面，兩座先進封裝設(shè)施將專注于CoPoS 和SoIC 封裝技術(shù)。其中，CoPoS 先進封裝將使用310×310mm 的矩形面板取代傳統(tǒng)的圓型晶圓，也就是將CoWoS “面板化”，將芯片排列在方形的“面板RDL 層”，取代原先圓形的“硅中介層”（silicon interposer），通過“化圓為方”提升面積利用率與產(chǎn)能。

而SoIC 先進封裝技術(shù)則是在計算核心下方堆疊緩存或內(nèi)存芯片，這一技術(shù)已經(jīng)在AMD Ryzen X3D 處理器中得到了驗證。臺積電計劃在2026年啟動CoPoS 測試生產(chǎn)工作，目標(biāo)2027年末完成與合作伙伴之間的驗證工作，以保證贏得包括英偉達、AMD 和蘋果在內(nèi)主要客戶的訂單。

該報導(dǎo)還指出，由于AP1 預(yù)計要到2029年末或2030年初才能開始投入運營，這將與臺積電的交貨時間慣例保持一致。