《電子技術(shù)應(yīng)用》
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器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用
電子技術(shù)應(yīng)用
江徽1，2,，唐震1,，王倩倩1，萬永康1,，2,，虞勇堅(jiān)1，2
1.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,； 2.無錫市集成電路測(cè)試和可靠性重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 針對(duì)器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電國(guó)內(nèi)外主要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了整理,、分析與解讀。梳理了各標(biāo)準(zhǔn)之間的差異性和關(guān)聯(lián)性,，明確了各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn),。深入研究了影響器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電測(cè)試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過程中保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性的相關(guān)技術(shù)技巧,，為器件級(jí)帶電器件模型（CDM）測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇,、測(cè)試和工程應(yīng)用提供了指導(dǎo)。
中圖分類號(hào)：TN306 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246015
中文引用格式： 江徽,，唐震,，王倩倩，等. 器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,，2025,，51(4)：35-39.
英文引用格式： Jiang Hui，Tang Zhen,，Wang Qianqian,，et al. Analysis and application of electrostatic discharge testing standards for device level charged device models[J]. Application of Electronic Technique，2025,，51(4)：35-39.
Analysis and application of electrostatic discharge testing standards for device level charged device models
Jiang Hui1,，2，Tang Zhen1,，Wang Qianqian1,，Wan Yongkang1，2,，Yu Yongjian1,，2
1.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,； 2.Key Laboratory of Integrated Circuit Testing and Reliability
Abstract： This article summarizes, analyzes, and interprets the main testing standards for electrostatic discharge of device level charged device models (CDM) both domestically and internationally. The differences and correlations between various standards were sorted out, and the application scope and technical points of each standard were clarified. The impact factors and control methods that affect the testing results of device level charged device models (CDM) were deeply studied. Relevant technical skills were proposed to ensure the consistency and accuracy of test results in the standard application process, providing guidance for the selection, testing, and engineering application of device level charged device model testing standards.
Key words : charged device model；device level,；test standard

引言

半導(dǎo)體器件在制造,、測(cè)試、試驗(yàn),、裝配,、運(yùn)輸及貯存過程中受外在電場(chǎng)作用，或與其他絕緣材料相互摩擦作用,，使器件內(nèi)部積聚大量電荷,，與接地導(dǎo)體接觸后形成導(dǎo)電通道，大量電荷向外部傳導(dǎo),，并極短的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生靜電脈沖,，導(dǎo)致器件損壞，該失效機(jī)制就是器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電（簡(jiǎn)稱CDM ESD）現(xiàn)象 [1-2],。

半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)的提升和結(jié)構(gòu)的變化,，尤其是柵氧層厚度的降低，嚴(yán)重影響了元器件對(duì)CDM ESD的耐受能力,，使CDM ESD測(cè)試考核逐步成為新產(chǎn)品性能考核的必需項(xiàng),。目前，國(guó)內(nèi)各領(lǐng)域針對(duì)CDM ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)還不完善,，基本上都是參照國(guó)際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行考核,，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)的差異與對(duì)相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的范圍、執(zhí)行要求以及應(yīng)用范圍等認(rèn)識(shí)不夠清晰,，造成了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇,、測(cè)試和工程應(yīng)用過程中諸多問題產(chǎn)生[3]。

本文對(duì)CDM國(guó)內(nèi)外相關(guān)通用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行整理,、分析與解讀,。梳理各標(biāo)準(zhǔn)之間差異性和關(guān)聯(lián)性，明確各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn),，研究并分析影響器件級(jí)CDM ESD測(cè)試結(jié)果的因素與相應(yīng)控制方法,，并提出標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過程中一些技術(shù)技巧，用于保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性,，指導(dǎo)器件級(jí)CDM ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇,、測(cè)試和工程應(yīng)用。


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作者信息：

江徽1,，2,，唐震1，王倩倩1，萬永康1,，2,，虞勇堅(jiān)1，2

（1.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,，江蘇 無錫 214035,；

2.無錫市集成電路測(cè)試和可靠性重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，江蘇 無錫 214035）


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