12月17日消息,，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》消息,，近期聯(lián)電成功奪下高通高性能計算（HPC）產(chǎn)品的先進封裝大單，預計將應用在AI PC,、車用,，以及現(xiàn)在正熱的AI服務器市場，甚至包括高帶寬內(nèi)存（HBM）整合,。這也打破了先進封裝代工市場由臺積電,、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢,。

對此傳聞,，聯(lián)電并未直接回應，但是強調(diào)先進封裝是公司積極發(fā)展的重點,，并且會攜手智原,、矽統(tǒng)等子公司，加上內(nèi)存供應伙伴華邦,，攜手打造先進封裝生態(tài)系,。

據(jù)了解，聯(lián)電在先進封裝布局,，目前在制程端僅供應中介層（Interposer）,，應用在RFSOI制程，對營收貢獻相當有限,。全球所有先進封裝制程生意仍被臺積電掌握,，隨著高通有意采用聯(lián)電先進封裝制程打造高性能計算（HPC）芯片，等于為聯(lián)電打開新生意,，并打破先進封裝市場由臺積電等少數(shù)大廠掌握的態(tài)勢,。

知情人士透露,，聯(lián)電奪下高通先進封裝大單，相關細節(jié)是高通正規(guī)劃以定制化的Oryon構(gòu)架核心委托臺積電先進制程量產(chǎn),，再將晶圓委托聯(lián)電進行先進封裝,，預計將會采用聯(lián)電的WoW Hybrid bonding（混合鍵和）制程，這意味聯(lián)電全面進入先進封裝市場,。

業(yè)界分析,，高通為了拓展AI PC、車用及服務器等市場,，將采用聯(lián)電的先進封裝晶圓堆疊技術,，并將結(jié)合PoP封裝，取代過去傳統(tǒng)由錫球焊接的封裝模式,，讓芯片與芯片之間的信號傳輸距離更近,，達到無須再通過提升晶圓制程，就可提高芯片運算性能的目的,。

目前,，先進封裝最關鍵的制程就是需要光刻機制造的中介層，加上需要超高精密程度的硅通孔（TSV）,，讓2.5D或3D先進封裝堆疊的芯片信號可相互聯(lián)系,，聯(lián)電則具備生產(chǎn)中介層的機臺設備之外，且早在十年前就已將TSV制程應用超威GPU芯片訂單上,，等于聯(lián)電完全具備先進封裝制程量產(chǎn)技術的先決條件,，成為獲得高通青睞的主要原因。

業(yè)界認為,，高通以聯(lián)電先進封裝制程打造的新款高性能計算芯片,，有望在2025下半年開始試產(chǎn)，并在2026年進入放量出貨階段,。