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2024年中國臺灣IC產(chǎn)值將達11787.4億元,同比增長22%

2024-10-24
來源:芯智訊

10月23日,,在中國臺灣工研院舉辦的“眺望2025產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢研討會”上,,工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師表示,2024年中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將正式突破新臺幣5萬億元(約合人民幣11,110億元)大關,,達到新臺幣53,001億元(約合人民幣11787.4億元),同比增速達22%,高于全球市場平均水平,。

IEK分析師指出,隨著2024年全球半導體市場的蓬勃發(fā)展,,產(chǎn)業(yè)內(nèi)的技術創(chuàng)新與市場競爭日益激烈,。根據(jù)WSTS預測,全球半導體產(chǎn)值預計將突破6,000億美元,,年成長16%,,反映市場強勁的表現(xiàn)。其中,,計算終端市場的需求持續(xù)成長,,特別是高端計算芯片在智能手機、AI計算,、車用電子與服務器等領域的應用,,不斷推動半導體產(chǎn)業(yè)快速成長。

另外,,隨著半導體技術持續(xù)進步,,先進制程和先進封裝技術正成為推動整個產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心力量,從而促進更多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。在半導體制程領域,,2nm以下先進制程競爭愈演愈烈,原子層沉積(ALD)等薄膜沉積技術在納米芯片制造中也扮演重要角色,。然而,,隨著晶體管微縮技術接近瓶頸,摩爾定律的進一步推進面臨挑戰(zhàn),,異質(zhì)整合封裝技術如FOPLP,、2.5D封裝和3D封裝,成為技術突破的關鍵,,并為半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造新契機,。

全球半導體產(chǎn)業(yè)的未來走向也受到各國政策的深遠影響,。美國芯片法案、歐盟芯片法案,,中國大陸及中國臺灣和日本等地半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃,,正在重塑全球半導體供應鏈的生態(tài)系。

中國臺灣做為全球半導體制造的核心重鎮(zhèn),,將在政策支持和技術創(chuàng)新下,,繼續(xù)扮演關鍵角色。2024年預估中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達新臺幣53,001億元,,年成長率達22%,。AI和高性能計算等應用需求的推動下,展望2025年中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達新臺幣6萬億元,,預估年成長率為16.5%,,持續(xù)推動中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)邁向新紀元。

而在半導體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢與技術革新方面,,隨著全球半導體制造技術的不斷創(chuàng)新,,2024年將成為全球暨中國臺灣IC制造業(yè)的重要轉(zhuǎn)折點。全球IC制造業(yè)正面臨多項技術變革,,市場競爭日漸激烈,各大廠商加速布局先進制程技術,,爭奪未來市場的主導地位,。中國臺灣IC制造產(chǎn)業(yè)在全球半導體版圖中持續(xù)展現(xiàn)技術領先優(yōu)勢,預估2024年中國臺灣IC制造產(chǎn)值將再創(chuàng)新高,,達到新臺幣33,957億元,,較2023年成長27.5%。

IEK表示,,在先進制程方面,,臺積電A16制程導入超級電軌(背面供電),2026年引領市場,。三星與英特爾也計劃2nm采相同技術,,顯示先進制程競爭再升溫。三大頭部半導體制造商布局,,不僅深刻影響全球晶圓制造市場,,也為未來高性能終端應用產(chǎn)品提供更多創(chuàng)新機會,尤其智能手機,、PC和服務器等領域,,仍是驅(qū)動IC制造產(chǎn)業(yè)增長的核心動力。

除了先進制程的進步,,高帶寬內(nèi)存(HBM)市場也為2024年新焦點,。SK海力士、三星與美光三大競爭者在HBM市場持續(xù)擴大市占率與技術。HBM3E及HBM4等新一代技術推出,,內(nèi)存帶寬與容量將再提升,,并成為高性能計算應用的核心關鍵技術。

展望2025年,,全球及中國臺灣IC制造產(chǎn)業(yè)將持續(xù)在技術革新與終端電子產(chǎn)品創(chuàng)新應用的雙重推動下,,邁向新的高峰。無論是先進制程技術的競賽,,還是HBM市場的成長,,各大廠商的技術布局與資本投入,將深刻影響未來幾年的產(chǎn)業(yè)走勢,。中國臺灣憑借其先進制程技術領先的優(yōu)勢,,將繼續(xù)引領市場發(fā)展,并為全球半導體產(chǎn)業(yè)帶來更多成長機會,。


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