9月20日消息,，據(jù)彭博社援引半導體專業(yè)分析機構TechInsights的報道稱,，在美國于2022年10月限制先進半導體設備對華出口,，并于2022年底將中國3D NAND Flash制造商長江存儲列入實體清單近兩年之后,，長江存儲仍在穩(wěn)步發(fā)展,，并已成功采用國產(chǎn)半導體設備取代了部分美系半導體設備,。

報道稱,，長江存儲已轉向國內(nèi)的半導體設備應商,，如專門從事蝕刻設備的 中微公司（AMEC）,、專注于沉積和蝕刻設備的北方華創(chuàng)（Naura）,、沉積設備供應商拓荊科技（Piotech）。

據(jù) TechInsights 稱,，雖然長江存儲仍繼續(xù)依賴 ASML 和 泛林集團（Lam Research）等外國供應商提供關鍵工具,，但中國國產(chǎn)半導體設備供應商越來越多地承擔了生產(chǎn)流程的大部分。

近年來,，長江存儲推出了具有232層和高速接口的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架構,，使得其能夠與美光、三星和 SK 海力士等全球領導者進行競爭,，并具有足夠的競爭力,，可以為世界上一些最好的 SSD 提供支持,。

盡管取得了這些進展，但長江存儲仍面臨技術障礙,。據(jù)彭博社和 TechInsights 報道,，其最新的使用國產(chǎn)半導體設備生產(chǎn)的3D NAND芯片比早期版本少了 70 層，而層數(shù)的減少主要因為使用國產(chǎn)設備導致了制造過程中缺陷增多,、良率降低,。

不過，長江存儲在發(fā)給彭博社的一封電子郵件中回應稱,，它正在不斷提高其產(chǎn)品性能,，其最新設備中層數(shù)的變化與任何特定設備的產(chǎn)量無關。

對此,，芯智訊也聯(lián)系了長江存儲方面,，對方也確認了對于彭博社的回應。

不管如何,，可以肯定的是,，隨著國產(chǎn)設備制造的3D NAND 的缺陷數(shù)量減少和良率提升，預計長江存儲將持續(xù)增加國產(chǎn)設備制造的3D NAND 的層數(shù),。

隨著美國繼續(xù)收緊對先進芯片和設備的出口管制,，中國正在推動在這一關鍵領域的自力更生。

值得注意的是,，長江存儲最近甚至簽署了一項協(xié)議,，為美國Patriot Memory 的一款高端PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，該 SSD 承諾以低價格提供高性能,。

雖然 AMEC,、Naura 和 Piotech 在更復雜的晶圓制造設備方面取得了穩(wěn)步進展,，慢慢縮小了與應用材料（Applied Materials）和 泛林集團（Lam Research）等美國領先公司的差距,，但公眾很少公開看到他們的進步，這主要是因為他們和他們的客戶都沒有興趣向外界展示他們的最新進展,。

盡管長江存儲正在采用更多的國產(chǎn)設備,，特別是在國產(chǎn)設備有競爭力的刻蝕和沉積設備方面，但目前中國的半導體制造業(yè)總體上仍繼續(xù)依賴外國設備,，例如 ASML,、應用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）,、泛林集團（Lam Research）和 Tokyo Electron 的設備,。

另外需要指出的是，為了反擊來自美方的持續(xù)打壓,，長江存儲正通過專向其美國競爭對手美光科技發(fā)起一系列訴訟來維護自身利益,。

今年7月,，長江存儲在美國加利福尼亞州北部地區(qū)再度對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利,，涉及3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品,。長江存儲要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的存儲器產(chǎn)品，同時支付專利使用費,。

而在更早之前的2023年11月,，長江存儲還在美國加州北區(qū)地方法院對美光及其子公司美光消費類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控它們侵犯了其8項與3D NAND Flash相關的美國專利,。

此外,，今年6月，長江存儲還在美國加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟,，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓（Roslyn Layton）散布虛假信息,，破壞長江存儲的市場聲譽和商業(yè)關系。