9 月 15 日消息,，工業(yè)和信息化部于 9 月 9 日印發(fā)《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024 年版）》通知，在文件列表包含國(guó)產(chǎn)氟化氪光刻機(jī)（110nm）,，和氟化氬光刻機(jī)（65nm）的內(nèi)容,。

中國(guó)首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備是指國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán),、尚未取得明顯市場(chǎng)業(yè)績(jī)的裝備產(chǎn)品,，包括整機(jī)設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等,。

附上這兩行信息截圖如下：

晶圓直徑    照明波長(zhǎng)    分辨率    套刻    

氟化氪（KrF）光刻機(jī)    300mm    248nm    ≤110nm    ≤25nm    

氟化氬（ArF）光刻機(jī)    300mm    193nm    ≤65nm    ≤8nm    

氟化氪（KrF）和氟化氬（ArF）兩種氣體均服務(wù)于深紫外（DUV）光刻機(jī),，產(chǎn)生深紫外光的準(zhǔn)分子激光器。

目前來說,，光刻機(jī)共經(jīng)歷了五代的發(fā)展,，從最早的 436 波長(zhǎng)，再到第二代光刻機(jī)開始使用波長(zhǎng) 365nm i-line,，第三代則是 248nm 的 KrF 激光,。第四代就是 193nm 波長(zhǎng)的 DUV 激光，這就是 ArF 準(zhǔn)分子激光,。

ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光源光刻機(jī),，光源實(shí)際波長(zhǎng)突破 193nm，縮短為 134nm,，NA 值為 1.35,，最高可實(shí)現(xiàn) 7nm 制程節(jié)點(diǎn),。

浸入技術(shù)是指讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中，由于液體的折射率大于 1,，使得激光的實(shí)際波長(zhǎng)會(huì)大幅度縮小,。

套刻精度就是常說的“多重曝光能達(dá)到的最高精度”，按套刻精度與量產(chǎn)工藝 1:3 的關(guān)系,，這個(gè)光刻機(jī)大概可以量產(chǎn) 28nm 工藝的芯片,。

28 納米光刻機(jī)，是芯片中低端和中高端的分界線,，意味著工業(yè)獨(dú)立,，中國(guó)的空調(diào)洗衣機(jī)汽車等各類工業(yè)品，可以突破西方國(guó)家設(shè)置的重重封鎖,，自主生產(chǎn)銷售,。