9 月 12 日消息,，三星電子今日宣布,，三星首款 1 太比特四層單元（QLC）第九代 V-NAND 已正式開始量產(chǎn),，而 1Tb TLC 產(chǎn)品已于今年 4 月開始量產(chǎn)。

據(jù)介紹,，三星 QLC 第九代 V-NAND 實現(xiàn)了多項技術(shù)突破,，IT之家匯總?cè)缦拢?/p>

通道孔蝕刻技術(shù)（Channel Hole Etching），能夠基于雙堆棧架構(gòu)實現(xiàn)當前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù),。三星運用在 TCL 第九代 V-NAND 中積累的技術(shù)經(jīng)驗,，優(yōu)化了存儲單元面積及外圍電路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升約 86%,。

預設(shè)模具（Designed Mold）技術(shù),，能夠調(diào)整控制存儲單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲單元的特性保持一致（V-NAND 層數(shù)越多,，存儲單元特性越重要）,；采用預設(shè)模具技術(shù)使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約 20%，增強可靠性,。

預測程序（Predictive Program）技術(shù),，能夠預測并控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作,，讓三星 QLC 第九代 V-NAND 的寫入性能翻倍,，I/O 速度提升 60%。

低功耗設(shè)計（Low-Power Design）技術(shù),，使數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約 30% 和 50%,。該技術(shù)降低了驅(qū)動 NAND 存儲單元所需的電壓，能夠僅感測必要的位線（BL）,，從而盡可能減少功耗,。

此外，三星還表示將擴大 QLC 第九代 V-NAND 的應(yīng)用范圍,，從品牌消費類產(chǎn)品開始,，擴展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務(wù)器 SSD,，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù),。