9月4日,,晶圓代工廠商力積電宣布,,AMD等美國(guó)及日本廠商將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),結(jié)合一線晶圓代工廠的先進(jìn)邏輯制程,,開(kāi)發(fā)高帶寬,、高容量、低功耗的3D AI芯片,,為大型語(yǔ)言模型AI應(yīng)用及AI PC提供低成本,、高效能的解決方案。
針對(duì)AI帶來(lái)的對(duì)于GPU與HBM需求,,力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer(中介層),,也通過(guò)了國(guó)際大廠認(rèn)證,將在力積電銅鑼新廠導(dǎo)入量產(chǎn),。
此前,,力積電與工研院合作開(kāi)發(fā)了全球首款專為生成式AI應(yīng)用所設(shè)計(jì)的3D AI芯片,剛拿下2024 World R?&D100 AI芯片大獎(jiǎng),,同時(shí)于今年SEMICON Taiwan 2024大展發(fā)布了3D晶圓堆疊的Logic-DRAM芯片制程技術(shù),,以此創(chuàng)新制程生產(chǎn)的3D AI芯片,應(yīng)用在人工智能推論(Inference)系統(tǒng),,已展現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸帶寬是傳統(tǒng)AI芯片10倍,、功耗僅七分之一的優(yōu)異性能。
力積電近年大力研發(fā)的3D晶圓堆疊Logic-DRAM芯片制程技術(shù),,目前已和AMD,、日本GPU芯片設(shè)計(jì)業(yè)者及多家國(guó)際系統(tǒng)大廠聯(lián)手,以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),,與一線晶圓代工大廠先進(jìn)邏輯制程合作開(kāi)發(fā)新型3D AI芯片,,發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)不同客戶的AI芯片設(shè)計(jì)需求,,力積電表示,,透過(guò)合作伙伴愛(ài)普公司設(shè)計(jì)定制化DRAM芯片,再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),,與現(xiàn)有采用HBM的2.5D AI芯片構(gòu)架相較,,新款3D AI芯片能在相同單位面積提供高達(dá)100倍傳輸帶寬、龐大內(nèi)存容量,。
另外,,為支持GPU與HBM2E,、HBM3的傳輸,力積電根據(jù)客戶需求開(kāi)發(fā)的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產(chǎn)品,,已通過(guò)國(guó)際大廠的認(rèn)證,,目前該公司正積極在銅鑼新廠布建生產(chǎn)線,以因應(yīng)客戶需求加速導(dǎo)入量產(chǎn),。