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臺積電收獲美國840億元現(xiàn)金+貸款

第三座晶圓廠超越2nm
2024-04-09
來源:快科技
關(guān)鍵詞: 臺積電 2nm 晶圓廠 芯片法案

4月9日消息,,美國政府宣布,,計(jì)劃向臺積電提供66億美元現(xiàn)金補(bǔ)貼、50億美元低息貸款,,總額116億美元,,約合人民幣840億元,,支持其在美國本土的芯片制造。

這是美國根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》所批準(zhǔn)的最大一筆投資,。

同時(shí),,臺積電計(jì)劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠,在美投資總額將超過650億美元,,約合人民幣4700億元,。

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臺積電在美國第一座晶圓廠Fab 21一期工程計(jì)劃2025年上半年投產(chǎn),引入5nm,、4nm工藝,。

Fab 21二期工程計(jì)劃2028年投產(chǎn),上馬3nm,、2nm工藝,。

二者合計(jì)年產(chǎn)能可超過60萬塊晶圓,產(chǎn)品市場價(jià)值超過400億美元,。

最新規(guī)劃的第三座晶圓廠計(jì)劃升級到2nm和更先進(jìn)工藝,,但投產(chǎn)時(shí)間未定,,可能要到2029-2030年,,也就是第二座工廠完工之后。

臺積電的這些投資,,將為美國創(chuàng)造6000個(gè)高科技制造工作崗位,,以及超過2萬個(gè)建筑工作機(jī)會,還會花費(fèi)5000萬美元培訓(xùn)當(dāng)?shù)毓と恕?/p>

不過,,臺積電在美投資建廠也面臨諸多問題,,尤其是進(jìn)度遠(yuǎn)不如預(yù)期,,一二期工廠最早規(guī)劃的投產(chǎn)時(shí)間分別是2024年和2026年。

美國《芯片與科學(xué)法案》的其他高科技投資還有:Intel 85億美元直接補(bǔ)貼和110億美元低息貸款,、GlobalFoundries 15億美元直接補(bǔ)貼,、Microchip 1.62億美元直接補(bǔ)貼、BAE 3500萬美元直接補(bǔ)貼,。

三星也正擴(kuò)大在美投資,,預(yù)計(jì)可獲得60億美元補(bǔ)貼。


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