據韓媒 DealSite 報道，SK 海力士,、三星電子今年針對 HBM 內存大幅擴產,。不過 HBM 內存有著良率較低等問題，難以跟上 AI 市場相關需求,。

作為 AI 半導體市場搶手貨的 HBM 內存，其采用晶圓級封裝（WLP）：在基礎晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內存晶圓,，其中一層 DRAM 出現問題就意味著整個 HBM 堆棧的報廢,。

▲ HBM 內存結構示意圖。圖源 SK 海力士

以 8 層堆疊產品為例,，如果每一次堆疊的良率均為 90%,，那整體 HBM 堆棧的良率就僅有 43%，超一半 DRAM 被丟棄,。而當 HBM 進入到 12 層乃至 16 層堆疊,，良率則會進一步降低。

DealSite 表示,，目前 HBM 內存整體良率在 65% 左右,，明顯低于傳統(tǒng)內存產品，而由于 WLP 的性質,，良率也難以達到 80% 乃至 90%,。

另一方面，SK 海力士,、三星兩家在 HBM 內存中占主導地位的廠商,，今年均大幅擴張產能。

據韓券商 Kiwoom Securities 估計,，三星電子的 HBM 內存月產能預計將從去年第二季的 2.5 萬片晶圓增加到今年第四季度的 15~17 萬片,；同期,，SK 海力士的月產能預計將從 3.5 萬片躍升至 12~14 萬片。

不過相對 AI 市場對 HBM 內存需求,，SK 海力士和三星的產能增幅仍顯不足：根據IT之家近日報道,，SK 海力士高管再次確認今年 HBM 產能配額已經售罄；另據韓媒 NEWSIS 去年末報道,，三星也早已就今年產能完成了同大客戶的談判,。