《電子技術(shù)應(yīng)用》
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SK 海力士下代HBM將采2.5D扇出封裝

2023-12-14
來(lái)源:EETOP
關(guān)鍵詞: SK海力士 HBM 2.5D封裝

SK 海力士準(zhǔn)備首次將2.5D 扇出(Fan out)封裝作為下一代內(nèi)存技術(shù),。根據(jù)業(yè)內(nèi)消息,SK海力士準(zhǔn)備在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封裝技術(shù),。

韓媒BusinessKorea報(bào)道稱,,這種技術(shù)將兩個(gè)DRAM芯片橫向排列,,再像芯片一樣組合,因?yàn)樾酒旅鏇](méi)添加基板,,能使芯片更薄,,安裝在IT設(shè)備時(shí)的芯片厚度能大幅減少。SK 海力士最快明年公開(kāi)采用這種封裝方式的研究成果,。

2.5D 扇出封裝技術(shù)以前從未用于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),,過(guò)去主要是用于先進(jìn)的系統(tǒng)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。臺(tái)積電2016年首次將扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)商業(yè)化,,將其16納米應(yīng)用處理器與移動(dòng)應(yīng)用的DRAM整合到iPhone 7的一個(gè)封裝中,,從而使這項(xiàng)技術(shù)推向舞臺(tái)。三星電子從今年第四季開(kāi)始將這一技術(shù)導(dǎo)入 Galaxy 智能手機(jī)高級(jí) AP 封裝中,。

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外界猜測(cè),,SK 海力士之所以在內(nèi)存使用扇出封裝,是為了降低封裝成本,。2.5D 扇出封裝技術(shù)可跳過(guò)硅通孔(TSV)制程,,從而提供更多 I/O 數(shù)量并降低成本。業(yè)內(nèi)人士推測(cè),,這種封裝技術(shù)將應(yīng)用于Graphic DRAM(GDDR)和其他需要擴(kuò)展信息I/O產(chǎn)品,。

除了利用這項(xiàng)技術(shù)外,SK 海力士也努力鞏固與英偉達(dá)的合作,,后者在HBM市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位; SK 海力士也成為蘋果 Vision Pro 中 R1 這種特殊 DRAM 芯片的獨(dú)家供應(yīng)商,。


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