2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率,，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統(tǒng)成本,。

　　相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,，具有同類最佳的開關性能,。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度,。由于柵極-源極閾值電壓（VGS（th））大于4V且Crss/Ciss比率極低,，因此在VGS=0 V時可實現(xiàn)可靠的關斷，而且沒有寄生導通的風險,。這使得單極驅(qū)動成為可能,，從而降低了系統(tǒng)成本和復雜性,。另外,，新一代產(chǎn)品具有低導通電阻（RDS（on）），減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的傳導損耗,。

　　先進的擴散焊接芯片貼裝工藝（,。XT技術）顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產(chǎn)品,，SiC MOSFET的結(jié)溫降低了25%,。

　　此外,，這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統(tǒng)要求并減少了涂覆工作量,。為滿足不同應用的需求,，英飛凌提供一系列RDS（on）選項，包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ型,。

　　KOSTAL在其OBC平臺中使用CoolSiC MOSFET

　　KOSTAL Automobil Elektrik在其為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET,。KOSTAL是一家全球領先的汽車充電器系統(tǒng)供應商，通過其標準化平臺方案為全球提供安全,、可靠和高效的產(chǎn)品,，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

　　英飛凌科技車規(guī)級高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn),，讓我們更有動力與客戶一起推動汽車的電氣化進程,。因此，我們十分高興能夠與KOSTAL合作,。這個項目突出了我們的標準產(chǎn)品組合在采用先進SiC技術的車載充電器市場中的強大地位,。”

　　KOSTAL ASIA副總裁兼技術執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示：“英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高,、魯棒性優(yōu)異,，是我們未來一代OBC平臺的關鍵部件。這些優(yōu)勢有助于我們創(chuàng)造一個兼容的設計,，以管理我們最先進的技術解決方案,，實現(xiàn)優(yōu)化成本和大規(guī)模的市場交付?！?/p>

　　供貨情況

　　采用TO263-7封裝的1200V CoolSiC? MOSFET現(xiàn)已上市,。

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