過(guò)去數(shù)十年,，各種能源法規(guī)都強(qiáng)調(diào)了制造節(jié)能型產(chǎn)品的重要性,。這大大促進(jìn)了節(jié)能降耗[1],。此外,，這些法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)為利用諸如SiC MOSFET等新技術(shù)優(yōu)異的特性,，設(shè)計(jì)出更富創(chuàng)新性的家用電器鋪平了道路[2],。采用這些技術(shù)有助于制造商獲得最高能效等級(jí)認(rèn)證,。

引言

不久前,，英飛凌推出了一款新開(kāi)發(fā)的高級(jí)集成功率器件（IPD）IM105-M6Q1B。IM105-M6Q1B采用7 mm x 7 mm四邊無(wú)引線扁平封裝（QFN）,，將英飛凌CoolSiCTM技術(shù)的諸多優(yōu)點(diǎn)和堪稱(chēng)行業(yè)標(biāo)桿的高可靠的高壓驅(qū)動(dòng)集成電路（IC）集于一體,。使用這個(gè)集成功率器件（IPD）,，可以設(shè)計(jì)出具有更高功率密度的低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，同時(shí)突破限制,，擴(kuò)大無(wú)散熱片運(yùn)行條件下的輸出功率范圍,。

如圖1所示，設(shè)計(jì)了一個(gè)測(cè)試驅(qū)動(dòng)板,，用于測(cè)試IM105-M6Q1B在典型冰箱壓縮機(jī)負(fù)載狀態(tài)下的性能,。圖中還提供了IM105-M6Q1B的框圖。IPD的組成部分包括一個(gè)SiC MOSFET半橋（在Vgs = 18 V且Tj = 25°C條件下,，其典型通態(tài)電阻為257 mΩ）和一個(gè)基于絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器,。相比于標(biāo)準(zhǔn)器件的600 V阻斷電壓，其最大阻斷電壓已增至650 V,，可在電網(wǎng)電壓發(fā)生波動(dòng)時(shí)提供更大耐壓余量,。英飛凌SOI技術(shù)用于柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)在于高開(kāi)關(guān)頻率[3]、低歐姆（30Ω）單片集成自舉二極管[3,、4]和對(duì)感性負(fù)載切換過(guò)程引起的負(fù)瞬態(tài)具有很強(qiáng)的抗干擾能力[5],。此外，這個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器提供了固定的內(nèi)部死區(qū)時(shí)間,，通常為540 ns,，只要外部死區(qū)時(shí)間比這個(gè)值小，就會(huì)自動(dòng)插入,，以實(shí)現(xiàn)上下橋直通保護(hù),。所有這些柵極驅(qū)動(dòng)器功能，以及英飛凌CoolSiCTM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),，都集成在一個(gè)小型表面貼裝器件（SMD）封裝中,。

圖1：驅(qū)動(dòng)板測(cè)試車(chē)和IM105-M6Q1B框圖

通態(tài)輸出特性

本小節(jié)探討了IM105-M6Q1B在兩種柵極偏置電壓（15 V和18 V）下的典型輸出特性。在小功率家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng),，兩種常用的產(chǎn)品是IKD04N60RC2和IPD60R280PFD7S。本小節(jié)也將它們的輸出特性與IM105-M6Q1B進(jìn)行了比較,。

第一個(gè)輸出特性圖如圖2所示,。可以看出,，在第一象限運(yùn)行中,，IM105-M6Q1B的壓降大大低于（約4A）IKD04N60RC2的壓降。此外,，通常情況下,，IM105-M6Q1B的RDS(on)溫度依賴(lài)性在Vgs = 15 V時(shí)僅為0.11 mΩ/°C，在Vgs = 18 V時(shí)略高,，為0.2 mΩ/℃,。這凸顯了CoolSiCTM技術(shù)的溫度依賴(lài)性極小的特征,。另一方面，在二極管導(dǎo)通期間的第三象限運(yùn)行中,，IM105-M6Q1B的壓降高于IKD04N60RC2,。然而，請(qǐng)注意,，二極管僅在死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通,，在應(yīng)用條件下，死區(qū)時(shí)間約在0.5到1 μs之間,，因此,，其造成的損耗微不足道。當(dāng)SiC MOSFET溝道在第三象限運(yùn)行中導(dǎo)通時(shí),，壓降略低于第一象限運(yùn)行中的壓降,。

圖2：IM105-M6Q1B的通態(tài)輸出特性與IKD04N60RC2對(duì)比 

圖3所示為第二個(gè)比較圖。顯然,，在Tj = 25°C條件下,，IPD60R280PFD7S在第一象限運(yùn)行中的壓降低于IM105-M6Q1B。當(dāng)Vgs = 10 V且Tj = 25°C時(shí),，IPD60R280PFD7S的典型RDS(on)為233 mΩ,。如其數(shù)據(jù)表所列，對(duì)于這種器件類(lèi)型,，增加?xùn)艠O偏壓并不會(huì)進(jìn)一步降低壓降,。除此之外，還可以看出,，IPD60R280PFD7S的壓降溫度依賴(lài)性明顯高于IM105-M6Q1B,。IPD60R280PFD7S的典型RDS(on)溫度依賴(lài)性約為2.53 mΩ/°C，因此當(dāng)結(jié)溫升高時(shí),，其導(dǎo)通損耗將高于IM105-M6Q1B,。同樣地，當(dāng)二極管加正向偏壓時(shí),，IPD60R280PFD7S的壓降低于IM105-M6Q1B,。

圖3：IM105-M6Q1B的通態(tài)輸出特性與IPD60R280PFD7S對(duì)比

最后，圖4顯示了上述器件的典型動(dòng)態(tài)損耗總值,，這些數(shù)據(jù)是使用典型的雙脈沖測(cè)試裝置測(cè)得,。請(qǐng)注意，本分析不包括反向恢復(fù)損耗,，因?yàn)樗鼈儗?duì)總損耗的影響相對(duì)較小,。兩種器件的電壓變化率dv/dt均調(diào)節(jié)為6.5 – 7 V/ns左右，以確保公平比較。IM105-M6Q1B的開(kāi)關(guān)速度由其集成柵極驅(qū)動(dòng)器在內(nèi)部調(diào)節(jié)為6至7 V/ns（20–80%）,。

測(cè)試表明,，相比于IKD04N60RC2，特別是相比于IPD60R280PFD7S,，IM105-M6Q1B的功率損耗低得多,，其功率損耗主要取決于導(dǎo)通損耗。最后,，IM105-M6Q1B的動(dòng)態(tài)損耗對(duì)溫度的依賴(lài)性可以忽略不計(jì),，而其他器件，哪怕當(dāng)Tj=100°C時(shí),，損耗也開(kāi)始顯著增加,。

圖4：不同開(kāi)關(guān)電流和溫度條件下的開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)態(tài)損耗之和

典型冰箱壓縮機(jī)仿真分析

典型冰箱壓縮機(jī)的完整工作循環(huán)包括多個(gè)工作點(diǎn)。其中兩個(gè)最獨(dú)特的工作點(diǎn)是額定工作點(diǎn)（輸出功率約為40 W）和高負(fù)載工作點(diǎn)（輸出功率約為160 W）,。本分析使用了PLECS?軟件工具來(lái)仿真計(jì)算三個(gè)器件的功率損耗,。圖5和圖6所示為仿真結(jié)果和典型應(yīng)用條件。在這些仿真中,，殼溫設(shè)置為T(mén)c=110°C,。受限于材料特性，這通常是印刷電路板（PCB）的最高工作殼溫,。在輕負(fù)載或額定負(fù)載條件下,，IM105-M6Q1B的損耗比IPD60R280PFD7S低了近43%，更比IKD04N60RC2低60%,。在這些條件下,，將柵極電壓增至Vgs＝18V并沒(méi)有帶來(lái)明顯益處。

在高負(fù)載的情況下,，IM105-M6Q1B的損耗比IPD60R280PFD7S低了近37%,，更比IKD04N60RC2低64%。在這個(gè)測(cè)試中,，將IM105-M6Q1B的柵極電壓增至Vgs＝18V,，使損耗相對(duì)于柵極電壓Vgs＝15V時(shí)降低了14%，這是IM105-M6Q1B可實(shí)現(xiàn)的最低損耗,。

逆變器級(jí)的效率計(jì)算如表1所示,。本分析考慮了一個(gè)兩電平三相逆變器，即,，總共6顆器件。在標(biāo)稱(chēng)負(fù)載下,，IM105-M6Q1B的總效率增加量比IKD04N60RC2多2.7%,，比IPD60R280PFD7S多近1%。在高負(fù)載條件下,，相比于IKD04N60RC2和IPD60R280PFD7S,，效率分別增加了約為1.5%和0.5%,。

表1：6橋兩電平三相逆變器的效率計(jì)算

硬件實(shí)驗(yàn)結(jié)果

本小節(jié)討論了IM105-M6Q1B在外形（即，功率密度）方面的額外好處,。此外,，利用IKD04N60RC2和IM105-M6Q1B，對(duì)采用類(lèi)似設(shè)計(jì)的低功率驅(qū)動(dòng)板的無(wú)散熱片輸出功率能力進(jìn)行了比較分析,。圖7并排顯示了這兩個(gè)驅(qū)動(dòng)板的圖片,，以便清楚地突出顯示它們的差異。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)板都搭載了類(lèi)似的電磁干擾（EMI）濾波器,、二極管整流器,、DC link電容器和單片機(jī)IMC101T-038（iMOTION?  IMC100系列電機(jī)控制器）。

兩種設(shè)計(jì)的布局都采用雙層板和35 μm銅箔厚度,。主要區(qū)別在于逆變器級(jí),。使用IKD04N60RC2的驅(qū)動(dòng)板需要6顆采用TO-252封裝的IGBT單管和一個(gè)全橋三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，以形成一個(gè)兩電平三相逆變器,。另一方面,，得益于其將半橋和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到QFN封裝中，使用IM105-M6Q1B的驅(qū)動(dòng)板所需空間小得多,。因此,，這個(gè)驅(qū)動(dòng)板的尺寸可以縮小15%，從而提高功率密度,。

圖7：低功率消費(fèi)類(lèi)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用：藍(lán)色PCB（左側(cè)）使用IM105-M6Q1B,，尺寸：66.4 mm x 78 mm；紅色PCB（右側(cè)）使用IKD04N60RC2,，尺寸：78 mm x 78 mm

小功率家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（如,，冰箱壓縮機(jī)、循環(huán)泵,，等等）的開(kāi)關(guān)頻率（fsw）通常在7.5至17 kHz之間,。這些應(yīng)用大部分未配置散熱片，因?yàn)槠涞洼敵龉β蚀_保了功率開(kāi)關(guān)在規(guī)定熱限值范圍內(nèi)工作,。如前所述,，它們的最大允許殼溫（Tc,max）限制在110°C左右。

為了研究和分析驅(qū)動(dòng)器在測(cè)試條件下的性能,，選擇了一個(gè)典型的冰箱壓縮機(jī),。圖8所示為將冰箱壓縮機(jī)用作負(fù)載的實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)臺(tái)。使用熱像儀來(lái)監(jiān)測(cè)逆變器的頂部殼溫,?？刂品桨笇?shí)現(xiàn)采用了英飛凌的iMOTIONTM IMC101T-T038單片機(jī)和隔離式調(diào)試探頭iMOTIONTM Link。被測(cè)驅(qū)動(dòng)器直接向DC link供電，以避免任何電網(wǎng)電壓波動(dòng)或負(fù)載對(duì)電壓造成影響,，并且支持使用標(biāo)準(zhǔn)無(wú)源探頭,，而不需要浮地的測(cè)量設(shè)備。將無(wú)源探測(cè)器連接至低邊功率器件,，以測(cè)量器件的典型dv/dt行為,。最后，在輸出相中連接一個(gè)電流探頭,，用于監(jiān)測(cè)電機(jī)電流,。

圖8：實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)臺(tái)

采用了兩種調(diào)制技術(shù)，一種是7段式空間矢量脈寬調(diào)制（SVPWM）,，另一種是5段式空間矢量脈寬調(diào)制（SVPWM）（可降低開(kāi)關(guān)損耗）,，如[6]所述。表2列出了實(shí)驗(yàn)測(cè)試條件,。對(duì)于所有實(shí)驗(yàn)條件,，DC link電壓均預(yù)設(shè)為310 V，由高壓直流電源單元供電,。冰箱壓縮機(jī)的輸出基頻（fs）配置為20 Hz,。環(huán)境溫度（Ta）為約25°C室溫。未測(cè)量功率因數(shù)（PF）以避免任何額外的寄生效應(yīng)的影響,。唯一的獨(dú)立實(shí)驗(yàn)變量是調(diào)制系數(shù),。調(diào)節(jié)調(diào)制系數(shù)，直至逆變器達(dá)到最高管殼溫,，從而獲得不同的允許相電流,。使用開(kāi)環(huán)控制方案進(jìn)行調(diào)節(jié)，在本實(shí)驗(yàn)中即為V/f控制,，因?yàn)閮H關(guān)注逆變器級(jí)的情況,。這些實(shí)驗(yàn)可以表明驅(qū)動(dòng)板的最大輸出功率能力。

表2：實(shí)驗(yàn)測(cè)試條件

圖9所示為輸出功率能力,。圖中的輸出功率計(jì)算考慮了PF為0.75且調(diào)幅指數(shù)為1,。顯而易見(jiàn)，IM105-M6Q1B的輸出功率幾乎是IKD04N60RC2驅(qū)動(dòng)板的兩倍,，這也證明其功率密度更高,。相比于在Vgs＝15V條件下的測(cè)試，在這項(xiàng)測(cè)試中,，柵極電壓增至約Vgs＝18.5V,，這使得輸出功率增加了6%。

圖9：不同開(kāi)關(guān)頻率和調(diào)制方案下的最大允許相電流

最后,，圖10和圖11所示為這項(xiàng)測(cè)試使用的兩顆器件的典型dv/dt行為,。高邊開(kāi)關(guān)用HS表示,，低邊開(kāi)關(guān)用LS表示,。請(qǐng)注意,，IKD04N60RC2的導(dǎo)通dv/dt設(shè)置為約6至7 V/ns。

圖10：在Tc,max下,，設(shè)置為6.5 V/ns的IKD04N60RC2驅(qū)動(dòng)板在不同開(kāi)關(guān)電流下的電壓變化率（dv/dt,，20-80%）

圖11：在Tc,max下，IM105-M6Q1B驅(qū)動(dòng)板在不同開(kāi)關(guān)電流下的電壓變化率（dv/dt,，20-80%）

結(jié)語(yǔ)

新出臺(tái)的針對(duì)小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（即,，家用電器）的能效標(biāo)簽指令，強(qiáng)調(diào)了開(kāi)發(fā)創(chuàng)新解決方案和采用新型半導(dǎo)體技術(shù),，以達(dá)到最高能效等級(jí)的重要性,。本文介紹了英飛凌CoolSiCTM MOSFET在集成式產(chǎn)品IM105-M6Q1B中實(shí)現(xiàn)的多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。尺寸僅為7 mm x 7 mm的小型QFN封裝有助于設(shè)計(jì)出具備更高功率密度的系統(tǒng)級(jí)解決方案,。為了突出其優(yōu)點(diǎn),，設(shè)計(jì)了一個(gè)基于IM105-M6Q1B的驅(qū)動(dòng)板，其尺寸比基于IKD04N60RC2的分立式解決方案縮小了15%,。IM105-M6Q1B的輸出功率處理能力也大大優(yōu)于IKD04N60RC2,。不僅如此，使用IM105-M6Q1B可將逆變器效率提高1 – 2.7 %,。

參考資料

[1] A. C. Russo, M. Rossi, M. Germani, and C. Favi, “Energy label directive: Current limitations and guidelines for the improvement”, Procedia CIRP, vol. 69, pp. 674–679, 2018, 25th CIRP Life Cycle Engineering (LCE) Conference, 30 April – 2 May 2018, Copenhagen, Denmark. doi: https://doi.org/10.1016/j.procir.2017.11.136.

[2] J. Millán, P. Godignon, X. Perpi?à, A. Pérez-Tomás, and J. Rebollo, “A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices”, in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no. 5, pp. 2155–2163, May 2014, doi: 10.1109/TPEL.2013.2268900.

[3] J. Song, “Level-Shifter Current Influence to Power Loss of Gate Driver IC”, PCIM Europe 2019; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, Germany, 2019, pp. 1–4.

[4] Frank, Wolfgang & Hellmund, Oliver & Boguszewicz, Viktor, “Compact and Powerful 600V Half Bridge Driver ICs for Consumer Electronics and Home Appliances”, Bodo's Power Systems. 22. 2013.

[5] J. Song and W. Frank, “Robustness of level shifter gate driver ICs concerning negative voltages”, PCIM Europe 2015; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, Germany, 2015, pp. 1–7.

[6] E. R. C. da Silva, E. C. dos Santos, and B. Jacobina, “Pulsewidth Modulation Strategies,” in IEEE Industrial Electronics Magazine, vol. 5, no. 2, pp. 37–45, June 2011, doi: 10.1109/MIE.2011.941120.www.infineon.com