眾所周知,，目前中國芯受到了美國的全方面打壓,，涉及到技術、設備,、材料,、資金、人才等等方面,。

在這樣的情況之下,，先進工藝的進展非常受限，畢竟先進工藝高度依賴國外的設備,、技術等,，比如EUV光刻機等等。

在當前的情況之下,，要實現(xiàn)先進工藝的突破,，必須等國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的突破，比如有國產(chǎn)EUV光刻機等全套國產(chǎn)設備,，這樣才能夠助力中國芯片產(chǎn)業(yè)破除或者緩解“卡脖子”難題,。

在這樣情況之下，很多人表示,，那么我們可以利用小芯片技術,、芯片堆疊等的技術，將不那么先進的芯片,，通過多顆整合,，最終實現(xiàn)先進工藝的性能，從而解決先進工藝難題,。

理論上來看,，確實是這樣，比如我用2顆14nm的芯片堆疊，也許確實能夠媲美7nm的芯片,，用2顆7nm的芯片,，也許能夠媲美5nm，甚至3nm的芯片（不一定準確,，隨便說的）,。

當然小芯片技術，就更加厲害了,，通過封裝技術,，將不同工藝，不同類型的芯片封裝成一顆芯片,，實現(xiàn)更強的功能,，更高的性能。

但是,，大家想過沒有,，就算2顆7nm的芯片封裝在一起，達到了3nm芯片的性能,，功耗怎么辦,？發(fā)熱怎么辦？2顆7nm的芯片,，功耗和發(fā)熱,，可能是一顆3nm芯片的N倍。

更重要的是,，你用2顆7nm的芯片來堆疊,，別人不會用2顆3nm的芯片來堆疊么？堆疊的芯片工藝越先進,，那么性能也就更高，那么堆疊后的性能差距就更大了,。

當你還在用14nm工藝來堆疊,，別人用3nm芯片來堆疊了，性能差距就是幾何倍數(shù)增長了,，拉得更大了,。

所以先進工藝終究是繞不過的坎，不可能通過什么小芯片技術,、堆疊技術,，就可以繞開的，也不可能通過這些技術,，就可以彌補先進工藝的,。

只能說，在當前先進工藝受阻時，可以用小芯片,、堆疊的技術,，暫時提升芯片的性能，最終還是要回歸到先進工藝的研發(fā)上來,，不存在換道超車,，或者彎道超車一說。

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