三星今天宣布,，它已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 大概為 236 層的 3D NAND 存儲(chǔ)器，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND,。新 IC 具有 2400 MTps 的傳輸速度,，當(dāng)與高級(jí)控制器結(jié)合使用時(shí)，它們可以實(shí)現(xiàn)傳輸速度超過(guò) 12 GBps 的客戶端級(jí) SSD,。

　　新的第 8 代 V-NAND 設(shè)備具有 1Tb 容量（128GB）,，三星稱其為業(yè)界最高的位密度，但沒(méi)有透露 IC 的尺寸或?qū)嶋H密度,。該 IC 還具有 2400 MTps 的數(shù)據(jù)傳輸速率,，這對(duì)于  配備 PCIe 5.0 x4 接口 的最佳 SSD至關(guān)重要， 一旦與適當(dāng)?shù)目刂破髋鋵?duì),，將提供驚人的12.4 GBps （或更高?。?/p>

　　三星聲稱,，與現(xiàn)有相同容量的閃存 IC 相比,，其新一代 3D NAND 存儲(chǔ)器的每晶圓生產(chǎn)率將提高 20%，這降低了公司的成本（在良率相同的情況下）,，這可能意味著更便宜的 SSD ,。

　　同時(shí)，該公司沒(méi)有提及該設(shè)備的架構(gòu)，但根據(jù)提供的圖片,，我們假設(shè)我們談?wù)摰氖请p平面 3D NAND IC,。

　　“隨著市場(chǎng)對(duì)更密集、更大容量的存儲(chǔ)需求推動(dòng)更高的 V-NAND 層數(shù),，三星采用其先進(jìn)的 3D 縮放技術(shù)來(lái)減少表面積和高度,，同時(shí)避免通常在按比例縮小時(shí)發(fā)生的單元間干擾，”三星電子閃存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 說(shuō),?！拔覀兊牡诎舜?V-NAND 將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并使我們能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案,，這將是未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ),。”

　　三星尚未宣布任何基于其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存的實(shí)際產(chǎn)品,，但我們可以推測(cè)第一批設(shè)備將迎合客戶應(yīng)用,。

　　三星236層閃存，終于要來(lái)了,！

　　據(jù)外媒介紹,，三星正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存，該內(nèi)存將具有 200 多層,，并為固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更高的性能和位密度,。

　　報(bào)道指出，三星在 2013 年憑借 24 層 V-NAND 閃存領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?jǐn)?shù)年,，其他公司花了相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間才趕上,。但從那以后，這家韓國(guó)巨頭變得更加謹(jǐn)慎,，因?yàn)闃?gòu)建數(shù)百層的 NAND 變得越來(lái)越困難,。今年，美光和 SK 海力士憑借 232 層和 238 層 3D TLC NAND 設(shè)備擊敗了三星,。但據(jù)韓國(guó)商業(yè)報(bào)道,，V-NAND 開發(fā)商并沒(méi)有停滯不前，正準(zhǔn)備開始批量生產(chǎn) 236 層的 3D NAND 存儲(chǔ)器（當(dāng)然,，將被命名為 V-NAND,。.

　　三星在 2021 年年中生產(chǎn)了首批超過(guò) 200 層的 V-NAND 內(nèi)存樣品，因此它現(xiàn)在應(yīng)該有足夠的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)啟動(dòng)此類設(shè)備的批量生產(chǎn),。不幸的是,，目前很難判斷三星即將推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量。盡管如此,，我們確信該公司的下一代 NAND 內(nèi)存目標(biāo)之一將是更快的接口速度和其他性能特征,，以實(shí)現(xiàn)下一代最佳 SSD。

　　為了為即將推出的具有 PCIe Gen5 接口的臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手機(jī)構(gòu)建具有競(jìng)爭(zhēng)力的固態(tài)存儲(chǔ)解決方案，三星需要具有高速接口的 NAND 設(shè)備,。今天三星的 V7-NAND 已經(jīng)具有高達(dá) 2.0 GT/s 的接口速度,，但我們預(yù)計(jì)該公司將進(jìn)一步提高其 V8-NAND 的接口速度。

　　三星第 8 代 V-NAND 的另一項(xiàng)期望是增加程序塊大小并減少讀取延遲,，從而優(yōu)化大容量 3D NAND 設(shè)備的性能,。但不幸的是，確切的特征是未知的,。

　　雖然增加 NAND 層的數(shù)量有時(shí)被認(rèn)為是閃存擴(kuò)展的一種簡(jiǎn)單方法,，但事實(shí)并非如此。使 NAND 層更?。ㄒ虼?NAND 單元更?。┬枰褂眯虏牧蟻?lái)可靠地存儲(chǔ)電荷。此外,，由于蝕刻數(shù)百層具有挑戰(zhàn)性（并且在經(jīng)濟(jì)上可能不可行）,，3D NAND 制造商需要采用串堆疊等技術(shù)來(lái)構(gòu)建具有數(shù)百層的 3D NAND。三星尚未在其 176 層 V7-NAND 中采用串堆疊,，但該技術(shù)是否會(huì)用于 236 層 V8-NAND 還有待觀察,。

　　NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)，三星掉隊(duì)

　　NAND是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,、不斷進(jìn)步的市場(chǎng),。制造和出貨的 NAND 位數(shù)以每年 30% 到 35% 的速度增長(zhǎng)，每 2 到 3 年翻一番,。最初的看法是,，這需要大量資金專門用于新設(shè)備，但 NAND 行業(yè)從 2017 年到 2022 年每年僅在晶圓制造設(shè)備上花費(fèi)了150億到200億美元,，盡管呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，但生產(chǎn)NAND的成本迅速下降,。

　　幾十年前,，類似的成本縮放改進(jìn)在 DRAM 和邏輯等其他半導(dǎo)體技術(shù)中很常見(jiàn)，但這些子行業(yè)會(huì)認(rèn)為這種改進(jìn)速度在后摩爾定律宇宙中是不可持續(xù)的,。生產(chǎn)力的提高主要是由 Lam Research 蝕刻和沉積工具的改進(jìn)以及制造商開發(fā)的工藝節(jié)點(diǎn)推動(dòng)的,。

　　從歷史上看，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行如此快速的創(chuàng)新時(shí),，許多公司在技術(shù)上被拋在了塵埃中,。行業(yè)整合出現(xiàn)。只出現(xiàn)了幾個(gè)強(qiáng)者,。3D NAND 今天也處于類似的位置,，該行業(yè)的未來(lái)經(jīng)濟(jì)狀況也在不斷變化。英特爾賣掉了他們的NAND業(yè)務(wù)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)出現(xiàn)了很大的動(dòng)蕩,。

　　在本報(bào)告中,，我們希望對(duì)三星、SK 海力士,、美光,、Solidigm、長(zhǎng)江存儲(chǔ),、西部數(shù)據(jù)和鎧俠的工藝技術(shù)進(jìn)行狀態(tài)檢查,。快速總結(jié)是,，美光,、SK 海力士和 YMTC 領(lǐng)先于其他公司。與此同時(shí),，三星在幾年前還是 NAND 技術(shù)的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者,，卻奇怪地落后了。而來(lái)自中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)在出貨密度最高的3D NAND,。

　　SemiAnalysis和Angstronomics編制了下表,。它有許多細(xì)微差別，將在下文中解釋,。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)

　　YMTC 對(duì)他們的新一代 NAND 非常低調(diào),，該系列新產(chǎn)品搭載了公司新一代的Xtacking 3.0 技術(shù)。在官方新聞稿中,，他們沒(méi)說(shuō)明新產(chǎn)品的層數(shù),。官方的路線并沒(méi)有將 Xtacking 3.0 作為業(yè)界最密集的 1Tb TLC NAND 進(jìn)行推廣。

　　但在SemiAnalysis 看來(lái),，Xtacking 3.0 是密度最大的商用 1Tb TLC NAND,，15.2Gbit/mm2；在層數(shù)上,，據(jù)分析,，長(zhǎng)存產(chǎn)品的層數(shù)“超過(guò)230層”；我們相信232層,；在性能上,，該產(chǎn)品可與美光的 232 層 NAND 媲美，采用類似的 6 平面架構(gòu),，數(shù)據(jù)速率為 2.4Gbps,。最后，它已經(jīng)送樣給合作伙伴,。

　　我們通過(guò)在Angstronomics的虛擬幫助下測(cè)量物理die來(lái)確定這些事實(shí),?？梢栽L問(wèn)物理die也使我們能夠確認(rèn)它是 6 平面。我們?cè)诘?3 方臺(tái)灣公司的展位上發(fā)現(xiàn)了他們采用 SSD 封裝的新 NAND,。他們很高興告訴我們其他一些細(xì)節(jié),，包括發(fā)貨時(shí)間。

　　據(jù)報(bào)道,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在新產(chǎn)品上還用上了很多新技術(shù),，例如陣列上的混合鍵合 CMOS、中心驅(qū)動(dòng)器 XDEC,，以及從前端深溝工藝到后端源連接 (BSSC) 的過(guò)渡,。YMTC 還計(jì)劃為內(nèi)存處理實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的邏輯，包括采用堆疊 CMOS 技術(shù)的神經(jīng)形態(tài)類型計(jì)算,。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)不是模仿者,。他們正在構(gòu)建自己的創(chuàng)新和獨(dú)特的產(chǎn)品，他們?cè)?NAND 領(lǐng)域憑借本土創(chuàng)新領(lǐng)先于其他玩家,。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 的制造和技術(shù)開發(fā)方面進(jìn)行了合作,，因此它們被組合在一起。他們估計(jì),，Zettabyte 的 NAND 將在 2022 年出貨,。他們的閃存峰會(huì)演講涵蓋了 3D NAND 縮放的一些權(quán)衡?？s放有 4 個(gè)主要向量,，垂直縮放、橫向縮放,、架構(gòu)縮放和邏輯縮放,。

　　上面是一張關(guān)于 SLC、MLC,、TLC,、QLC 和 PLC 縮放的有趣幻燈片。隨著越來(lái)越多的位存儲(chǔ)在一個(gè)單元中,，讀取延遲會(huì)增加,，并且程序擦除周期的耐久性會(huì)降低。鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探索使用每個(gè)單元 4.5 位或每個(gè) NAND 單元 3.5 位來(lái)增加密度和降低成本,，同時(shí)不犧牲盡可能多的延遲和耐用性。

　　在 3D NAND 中,，工程選擇通常取決于性能,、成本和耐用性。對(duì)于同等容量的 SSD 而言,，更大的容量更具成本效益,，但性能較差,。較大的單元尺寸性能更好，但由于難以擴(kuò)展到更高的層數(shù),，因此制造成本更高,。

　　PCIe 多年來(lái)一直停留在 3.0 上，但近年來(lái)代際改進(jìn)加速,。這導(dǎo)致了許多創(chuàng)新,，以使可用帶寬完全飽和。鎧俠和西部數(shù)據(jù)表示,，他們的 NAND 接口帶寬每一代都增加了 30%,。此外，他們引入了異步獨(dú)立平面讀取,，這使得每個(gè)平面中的讀取可以更有效地打包（大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手引入了這一點(diǎn)或?qū)⒃谒麄兊囊淮羞@樣做）,。由于這些創(chuàng)新，隨機(jī)讀取性能顯著提高,。

　　西部數(shù)據(jù)和鎧俠的路線圖包括擴(kuò)展層以及非層數(shù)相關(guān)技術(shù),。晶圓鍵合被列為下一個(gè)被采用作為提高單元陣列效率的技術(shù)。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三次迭代的 Xtacking 3.0 的技術(shù),。PLC NAND也在考慮之中,。Western Digital 告訴我們，他們甚至在實(shí)驗(yàn)室中試驗(yàn)了高達(dá) 7 位/單元（128 個(gè)電壓等級(jí)）,。它存在于他們的實(shí)驗(yàn)室中,，但需要由液氮維持的極低溫度。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)是僅有的在其路線圖中使用 PLC 電荷陷阱存儲(chǔ)器的公司,。CMOS 縮放和單元間距縮放也在路線圖上,。他們討論的最后一項(xiàng)技術(shù)是多堆疊。CMOS 陣列和多個(gè) NAND 陣列都將采用順序混合鍵合方法進(jìn)行堆疊,。理論上,，這項(xiàng)技術(shù)的成本改進(jìn)很小，但密度增益將是巨大的,。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開發(fā)了第二代存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存,，他們將其作為 XL-Flash-2 銷售。由于成本較高,，它是否會(huì)增加產(chǎn)量還有待觀察,，但由于使用 16 平面和 MLC NAND，它的速度要快得多,。這僅適用于延遲較低的 CXL 總線上的大規(guī)模部署,，但 DRAM 池/共享通常更適合這些工作負(fù)載。

　　三星

　　長(zhǎng)期以來(lái),，三星在 NAND 市場(chǎng)占有率最高,。正如《非易失性存儲(chǔ),，輝煌70年！》所示,，它們?cè)跉v史上引領(lǐng)了許多技術(shù)轉(zhuǎn)型,。這種技術(shù)領(lǐng)先存在于他們的 128 層技術(shù)，這是世界上容量最大的 NAND 工藝節(jié)點(diǎn),。

　　3D NAND 中最關(guān)鍵的工藝步驟是通過(guò)多層 NAND 的高縱橫比蝕刻和隨后的沉積步驟,。雖然業(yè)內(nèi)幾乎每個(gè)人都在這些關(guān)鍵步驟中使用 Lam Research 的工具，但三星是唯一一家同時(shí)蝕刻超過(guò) 120 層的公司,。其他公司在其 100 層以上的 NAND 架構(gòu)上使用多個(gè)decks,，但三星 128 層僅使用 1 層。例如,，Solidigm 在其 144 層 NAND 上使用 3 層decks,。每個(gè)deck額外增加成本。

　　盡管在 128 層方面處于領(lǐng)先地位,，但三星多年來(lái)一直沒(méi)有推出新的 NAND 工藝技術(shù),。他們的 176 層和 >200 層 NAND 工藝技術(shù)尚未被逆向工程公司或拆解在任何 SSD 中發(fā)現(xiàn)。盡管他們聲稱會(huì)在 2021 年出貨 176 層消費(fèi)級(jí) SSD,，但迄今沒(méi)有看到,。雖然官方原因尚未披露，但據(jù)報(bào)道很可能源于文化問(wèn)題引發(fā)的工藝問(wèn)題,。

　　三星仍然表示,，第 7 代 V-NAND，176 層 512Gb TLC,，2Gbps,，是 2021 年的技術(shù)。他們還注意到 176 層 1Tb QLC 即將推出,。第 8 代 V-NAND 超過(guò) 200 層,。三星表示，它將是 2.4Gbps 的 1Tb TLC 裸片,，將于 2022 年發(fā)貨,。第 8 代將同時(shí)進(jìn)行橫向收縮、更多層和外圍收縮,。三星還在 2023 年推出了第 9 代 V-NAND,。鑒于第 7 代 V-NAND 的表現(xiàn)，我們對(duì)他們的說(shuō)法持懷疑態(tài)度,。

　　三星處于不穩(wěn)定的境地,，曾經(jīng)落后的公司現(xiàn)在正在競(jìng)相領(lǐng)先，并開始實(shí)現(xiàn)更好的成本結(jié)構(gòu),。層數(shù)并不是 NAND 擴(kuò)展的全部,，許多其他因素都會(huì)影響最終的每比特成本。根據(jù)我們的成本模型,，三星仍然擁有第二最具成本效益的 NAND 工藝技術(shù),，因?yàn)樗哂懈哔Y本效率和良率以及長(zhǎng)期存在的 128 層工藝節(jié)點(diǎn)。我們的理論是三星避免增加其 176 層 NAND,，因?yàn)橛捎谵D(zhuǎn)向 2 層架構(gòu),，它的成本效益低于 128 層。

　　如果三星繼續(xù)推遲其新的工藝節(jié)點(diǎn),，他們就有可能進(jìn)一步落后,。順便說(shuō)一句，我們?cè)陂W存峰會(huì)上與來(lái)自競(jìng)爭(zhēng)公司的許多工藝工程師進(jìn)行了交談,，他們對(duì)三星在 NAND 工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換方面發(fā)生的事情感到非常困惑,。

　　SK 海力士和 Solidigm

　　SK海力士在相對(duì)定位上一直在提升。他們?cè)诘谒募径乳_始大規(guī)模生產(chǎn) 176 層 1Tb QLC,，從而迅速提升了 176 層 TLC,。我們的成本模型將 SK 海力士列為第三最具成本效益的 NAND 工藝技術(shù)，他們甚至可能很快與三星交換位置,。

　　SK海力士238層明年上半年開始量產(chǎn),，512Gb TLC裸片。SK 海力士表示,，新的 NAND 技術(shù)將在每個(gè)晶圓上多生產(chǎn) 34% 的比特,，提高 50% 的 IO 速度，提高 10% 的程序性能,，以及提高 21% 的讀取功率效率,。這個(gè) NAND 速度快到 2.4Gbps。美光和 YMTC 僅計(jì)劃在其 232 層數(shù)技術(shù)中使用 1Tb 裸片,，但 SK 海力士可以使用更小的 512Gb 裸片實(shí)現(xiàn)相同的速度,，并且僅使用 4 平面而不是 6 平面。

　　SK海力士提出的未來(lái)路線圖非常有趣,。SK 海力士表示,，他們計(jì)劃在 238 層一代之后繼續(xù)使用 Array NAND 下的 CMOS 再發(fā)展 3 代。特別是,，接下來(lái)的 xxx 層 NAND 工藝將有更顯著的層數(shù)增加和更快的過(guò)渡,。

　　SK 海力士因其長(zhǎng)期的創(chuàng)新而有一個(gè)可怕的營(yíng)銷名稱——4D^2。這些涉及共享位線和更多行,。他們討論了使用串聯(lián)的 2 個(gè)單元來(lái)存儲(chǔ)超過(guò) 6 位的數(shù)據(jù),，而不是獨(dú)立的單元和存儲(chǔ) 8 個(gè)電壓電平用于每個(gè)單元 3 位的數(shù)據(jù)。所有這些技術(shù)的重點(diǎn)似乎是每層封裝更多位,。

　　轉(zhuǎn)向 Solidigm（以前是英特爾的 NAND 業(yè)務(wù)）,，NAND 架構(gòu)有所不同,。Solidigm 使用浮柵架構(gòu)，而 SK Hynix 使用電荷陷阱,。SK 海力士計(jì)劃將其內(nèi)部電荷陷阱用于性能和主流,，而 Solidigm 將用于價(jià)值和 HDD 更換領(lǐng)域。SK 海力士與英特爾之間的部分交易條款涉及工藝技術(shù)人員在幾年內(nèi)從英特爾轉(zhuǎn)移,，而不是立即轉(zhuǎn)移,。Solidigm 大連中國(guó)工廠將在英特爾開發(fā)的工藝技術(shù)上運(yùn)行至少幾年。

　　下一代 Solidigm 浮柵節(jié)點(diǎn)為 192 層,。我們相信這是一個(gè) 4 層設(shè)計(jì),，每層deck有 48 層。對(duì)于 TLC 架構(gòu),，該過(guò)程的成本效益將備受爭(zhēng)議,。通過(guò)在每個(gè)單元中使用更多位可以緩解這種成本劣勢(shì)，這是浮動(dòng)?xùn)艠O架構(gòu)相對(duì)于電荷陷阱架構(gòu)的優(yōu)勢(shì),。雖然大多數(shù)電荷陷阱體積是 TLC（每個(gè)單元 3 位）,，但 Solidigm 節(jié)點(diǎn)專注于 QLC 的體積。

　　192 層 QLC 將配備 1.33Tb 芯片容量,。由于必須準(zhǔn)確地保持 16 個(gè)電壓電平以每個(gè)單元存儲(chǔ) 4 位,，QLC 一直受到性能不佳的困擾，但新節(jié)點(diǎn)聲稱可以解決其中的許多問(wèn)題,。第 4 代 QLC 有一些非常出色的聲明,，即程序?qū)懭霑r(shí)間提高 2.5 倍，隨機(jī)讀取提高 5 倍,，在第 99 個(gè)百分位時(shí)讀取延遲提高 1.5 倍,。這些改進(jìn)將使 Solidigm 192 層 QLC 性能更接近電荷陷阱 TLC。

　　更令人興奮的變化是,，192 層工藝將成為第一批具有 1.67Tb 裸片容量的 PLC NAND,。使用 PLC，單元必須能夠準(zhǔn)確地保持 32 個(gè)電壓電平,，以便每個(gè)單元存儲(chǔ) 5 位,。這將每個(gè)晶圓制造的位數(shù)提高了 25%，但犧牲了性能,。鑒于 SK 海力士將 PLC NAND 作為 HDD 替代技術(shù),，性能受到的影響可能很大。作為一個(gè)有趣的噱頭,，Solidigm 的團(tuán)隊(duì)在使用 192 層 PLC NAND 的外部 SSD 上運(yùn)行演示文稿,。

　　美光

　　美光一直是 NAND 行業(yè)的一顆冉冉升起的新型。幾年前，他們?cè)?IMFT 合資企業(yè)中與英特爾結(jié)下了不解之緣,。他們使用了浮動(dòng)?xùn)艠O架構(gòu),，與電荷陷阱相比，它的每比特成本或性能較差,。他們?cè)?DRAM 工藝技術(shù)方面也落后于三星幾年,。

　　美光做出了一些根本性的改變，現(xiàn)在他們是內(nèi)存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,。Sanjay Mehrotra 是 SanDisk 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官，該公司以190億美元的價(jià)格賣給了 Western Digital,。不久之后,，他被任命為美光的首席執(zhí)行官。英特爾合資公司（IMFT）解散,，NAND架構(gòu)從浮柵過(guò)渡到電荷陷阱,，3D XPoint 內(nèi)存開發(fā)也停止了。

　　修復(fù)了美光的一些潛在工藝和培養(yǎng)問(wèn)題,。美光從 3D NAND 中最差的成本結(jié)構(gòu)變成了 3D NAND 中最好的成本結(jié)構(gòu),。同樣，它們從密度最低,、成本最高的工廠到每比特 DRAM 的晶圓廠,，再到成本結(jié)構(gòu)第二好的出貨密度最高的 DRAM。

　　美光的大部分產(chǎn)能是 176 層,，他們正在加速和出貨 232 層 NAND,。美光的策略是保持晶圓開工率基本相同，并專注于更好的工藝技術(shù)以增加位出貨量,。這使他們能夠降低資本支出,，但仍保持市場(chǎng)份額。由于“芯片飯”,，該策略可能會(huì)改變,，因?yàn)樵诿绹?guó)可能會(huì)發(fā)生總計(jì)400億美元的制造投資。

　　美光的 6 平面 2.4Gbps 1Tb TLC 232 層 NAND 出現(xiàn)在多個(gè) SSD 和控制器公司的展位上,。這些第 3 方公司告訴我,，他們預(yù)計(jì)增長(zhǎng)速度會(huì)很快，232 層將成為美光明年產(chǎn)量的主要部分,。

　　三星分享存儲(chǔ)芯片最新路線圖

　　本周,，三星 Safe 活動(dòng)隆重舉行。第一個(gè)主題演講來(lái)自晶圓業(yè)務(wù)發(fā)展團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁 Moonsoo Kang,。第二場(chǎng)演講由系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Hyeokman Kwon 和內(nèi)存銷售 Jim Elliot 主持,。在我看來(lái)，三星今年最令人難忘（雙關(guān)語(yǔ)）的演講來(lái)自內(nèi)存組。

　　“1 萬(wàn)億 GB 是三星自 40 多年前創(chuàng)立以來(lái)所制造的內(nèi)存總量,，但僅在過(guò)去三年,，三星就生產(chǎn)了其中的一版，這表明數(shù)字化轉(zhuǎn)型的進(jìn)展速度有多快,，”三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Jung-bae Lee 說(shuō),。“隨著內(nèi)存帶寬,、容量和功率效率的進(jìn)步使新平臺(tái)成為可能,，而這些反過(guò)來(lái)又刺激了更多的半導(dǎo)體創(chuàng)新，我們將在數(shù)字共同進(jìn)化的過(guò)程中越來(lái)越多地推動(dòng)更高水平的集成,?！?/p>

　　Jim Elliot 從事內(nèi)存業(yè)務(wù)已有 25 年，其中有 20 年在三星,。僅這一點(diǎn)在硅谷就是一項(xiàng)令人印象深刻的壯舉,。Jim 很投入，并為內(nèi)存業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了美好的前景,。

　　Jim 強(qiáng)調(diào)了 PC,、手機(jī)以及我們今天所處的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)（可用性和可靠性）時(shí)代的行業(yè)驅(qū)動(dòng)力。據(jù)報(bào)道,，世界上 90% 的數(shù)據(jù)是在過(guò)去兩年中創(chuàng)建的,，并且這種高速增長(zhǎng)將繼續(xù)下去。

　　對(duì)于增長(zhǎng)趨勢(shì),，Jim 提到了元宇宙,、汽車和人工智能機(jī)器人。我認(rèn)為,，對(duì)于內(nèi)存和邏輯,，人工智能都將成為大多數(shù)半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)的潛在增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力，并且需要大量先進(jìn)的內(nèi)存和邏輯,。需要明確的是,，人工智能將觸及大量的芯片，這些芯片永遠(yuǎn)不會(huì)有足夠的邏輯或內(nèi)存性能和密度,。

　　一個(gè)價(jià)值七千億美元的問(wèn)題是：“內(nèi)存技術(shù)能否跟上數(shù)據(jù)爆炸的需求,？” 答案當(dāng)然是肯定的，Jim 解釋了原因,。

　　根據(jù) Jim 的說(shuō)法,，內(nèi)存節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換已從 90nm 推進(jìn)到10nm。為了應(yīng)對(duì)即將到來(lái)的挑戰(zhàn),，Jim 更詳細(xì)地談到了三星內(nèi)存,。

　　三星推出了其第五代 10nm 級(jí) DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND),。今天，三星有 567 個(gè) DRAM 訂單和 617 個(gè) NAND 訂單,。讓我們面對(duì)現(xiàn)實(shí)吧,，三星是排名第一的半導(dǎo)體公司是有原因的，而內(nèi)存是三星半導(dǎo)體王朝背后的驅(qū)動(dòng)力,，所以我認(rèn)為這種情況不會(huì)很快發(fā)生變化,。

　　Jim 的演講涵蓋了合作伙伴關(guān)系、替代商業(yè)模式以及即將到來(lái)的開放式創(chuàng)新三星內(nèi)存研究中心,。他還介紹了 DRAM 和 NAND 的路線圖：

　　Jim 總結(jié)了關(guān)于移動(dòng),、服務(wù)器、云以及汽車發(fā)展（車輪上的服務(wù)器）的應(yīng)用說(shuō)明,。三星目前有 400 個(gè)汽車項(xiàng)目正在進(jìn)行中,，并與 60 多家汽車客戶進(jìn)行量產(chǎn)。

　　全球芯片需求放緩,，三星利潤(rùn)三年來(lái)首次下滑

　　三星電子宣布近三年來(lái)首次出現(xiàn)利潤(rùn)下滑，這表明隨著電子設(shè)備需求的消退,，行業(yè)衰退正在加深,。

　　這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計(jì)，截至 9 月底的三個(gè)月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 108 億韓元（77 億美元）,，同比下降 32%,。

　　這遠(yuǎn)低于彭博社對(duì) Won12.1tn 的估計(jì)，這標(biāo)志著自 2020 年以來(lái)利潤(rùn)首次下降,。銷售額為 Won76tn,，同比增長(zhǎng) 3%。

　　在美國(guó)芯片制造商美光科技和日本鎧俠控股削減支出以應(yīng)對(duì)供應(yīng)過(guò)剩之后,，該利潤(rùn)指引低于預(yù)期,。美國(guó)芯片制造商 Advanced Micro Devices 周四將其第三季度收入預(yù)期從 8 月份的預(yù)期下調(diào)了約 11 億美元。

　　“由于宏觀經(jīng)濟(jì)逆風(fēng),，智能手機(jī),、個(gè)人電腦和電視需求下降的速度非常快,。由于庫(kù)存高,，削減芯片訂單的速度更快，”新韓證券分析師 Choi Do-yeon 表示,。

　　但本周早些時(shí)候,，三星一位高管在美國(guó)告訴記者，公司目前還沒(méi)有考慮減產(chǎn),。

　　該公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Kyung Kye-hyun 預(yù)計(jì)內(nèi)存市場(chǎng)將持續(xù)低迷,，直到明年年底。據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，他最近在一次內(nèi)部活動(dòng)中告訴員工,，三星將其下半年的芯片銷售預(yù)期從 4 月份的預(yù)測(cè)下調(diào)了 32%,。

　　今年迄今為止，悲觀的前景已推動(dòng)三星股價(jià)下跌約 30%,。但摩根士丹利本周升級(jí)了半導(dǎo)體板塊,，推高了三星和 SK 海力士的股價(jià)，因預(yù)期明年下半年市場(chǎng)會(huì)反彈,。

　　Kiwoom Securities 分析師 Park Yuak 表示：“在對(duì)經(jīng)濟(jì)前景日益擔(dān)憂的情況下,，客戶突然調(diào)整庫(kù)存，令半導(dǎo)體行業(yè)感到不安,?！?“盡管庫(kù)存調(diào)整可能在明年第一季度結(jié)束，但下半年的芯片價(jià)格將遠(yuǎn)低于預(yù)期,?！?/p>

　　地緣政治風(fēng)險(xiǎn)是芯片制造商關(guān)注的另一個(gè)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)華盛頓將于周五宣布對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商的新限制,，以遏制北京的技術(shù)進(jìn)步,。

　　然而，分析師表示,，此舉可能會(huì)影響韓國(guó)公司在中國(guó)的業(yè)務(wù),。

　　三星在西安市擁有一家 Nand 閃存芯片工廠，而 SK 海力士在無(wú)錫擁有一家 Dram 芯片工廠,，在大連擁有一家兩年前從英特爾購(gòu)買的 Nand 工廠,。

　　作為喬·拜登總統(tǒng)《芯片與科學(xué)法案》的一部分，韓國(guó)公司最近宣布了一系列在美國(guó)建造新工廠的交易,。

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