眾所周知,，光刻機(jī)是當(dāng)前晶圓廠商們制造芯片不可缺少的產(chǎn)品,，而EUV光刻機(jī),，則用于7nm及以下的芯片制造,，更是核心中的核心,。

不過EUV光刻機(jī),，只有一家廠商能夠制造,，那就是荷蘭的ASML,。所以EUV光刻機(jī),，是被監(jiān)管的，比如中國大陸,、俄羅斯等國家,，有錢也是買不到的，美國不準(zhǔn)賣,，美國不允許中國大陸,、俄羅斯等國家，能自己制造出7nm及以下的芯片,，搶自己的飯碗,。

所以在當(dāng)前情況下，不管是中國,，還是俄羅斯等國家,，要想生產(chǎn)7nm及以下的芯片，EUV光刻機(jī)是必須自己研發(fā)并生產(chǎn)了來,。

當(dāng)然,，如果有其它技術(shù)方案，不用EUV光刻機(jī),，也能夠制造出7nm及以下的芯片,，那當(dāng)然更好，但顯然目前還沒有,。

之前俄羅斯計(jì)劃,，采用X射線，進(jìn)行無掩膜式光刻,，來繞開EUV光刻機(jī),，實(shí)現(xiàn)7nm及以下芯片的制造。

這個(gè)技術(shù)采用的是波長介于0．01nm至10nm之間的X射線,，然后直接在晶圓上進(jìn)行光刻,，由于X射線比13．5nm的極紫外線波長更小，從而精度更高,，理論上可以搞定7nm,，甚至5n、3nm,、2nm芯片光刻,，但目前并沒有實(shí)現(xiàn)。

而近日,，俄羅斯又提出了另外一種技術(shù)方案,，來搞定7nm芯片的光刻，并計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn),。

這項(xiàng)技術(shù)采用的是微影光刻技術(shù),，計(jì)劃使用大于600W的光源,、曝光波長為 11．3nm（EUV 波長為13．5nm）的光線來進(jìn)行光刻，

俄羅斯計(jì)劃是2024年推出首次產(chǎn)品,，然后2026年可以量產(chǎn)芯片,，到2028年推出終極版，然后可以用于大規(guī)模芯片制造,。

按照業(yè)內(nèi)人士的說法,，如果俄羅斯的這種產(chǎn)品研發(fā)成功，是可以取代EUV光刻機(jī)的,，不過缺點(diǎn)是產(chǎn)能會(huì)低于EUV光刻機(jī)，畢竟功率會(huì)小一些,，但也因?yàn)楣β市?，所以工具成本?huì)更低一點(diǎn)。

那么就看2024年俄羅斯能不能率先推出這種設(shè)備了,，如果能,，那么2028年有望成功，如果2024年推不出來,，那么更遠(yuǎn)一點(diǎn)的目標(biāo)肯定也完不成,。

說真的，我們還是蠻希望俄羅斯成功的,，雖然感覺上也不太靠譜,，畢竟一旦俄羅斯成功了，我們應(yīng)該可以共享這項(xiàng)技術(shù),。

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