《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術 > 新品快遞 > Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

2022-07-27
來源:ChinaAET

2022年7月27日:基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XNPMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領先的RDS(on)特性,,在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下,,可使電力更為持久。

 微信圖片_20220727091242.jpg

新型MOSFET非常適合智能手機,、智能手表,、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能,、功能更豐富的趨勢,,滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

 

RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,,可最大限度降低能耗,,提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低,,從而增強可穿戴設備的用戶舒適度,。

 

具體而言,在VGS =4.5V時,,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ,。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,,PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低,。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中,,還可提供額定2kV ESD保護(人體模型 – HBM),。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。

 

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,,Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN,。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場領先的效率,。

 

30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現(xiàn)已供貨,,可從Nexperia獲得。更多詳情,,請訪問https://www.nexperia.com/mosfets

 

關于Nexperia

 

Nexperia,,作為生產(chǎn)大批量基礎半導體二極管件的專家,其產(chǎn)品廣泛應用于全球各類電子設計,。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管,、雙極性晶體管,、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件,、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC,。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付1000多億件產(chǎn)品,,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準,。其產(chǎn)品在效率(如工藝,、尺寸,、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,,可有效節(jié)省功耗及空間,。

 

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務,,并在亞洲,、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,,擁有龐大的知識產(chǎn)權組合,,并獲得了IATF 16949、ISO 9001,、ISO 14001和ISO 45001認證,。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容,、版權和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。