由于眾所周知的原因，近期北方某國也無法再獲得光刻機供應,，芯片進口也面臨阻礙，因此該國已計劃研發(fā)全新的芯片制造技術,，無獨有偶日本企業(yè)其實早在去年就已研發(fā)不需光刻機的芯片制造技術,，隨著芯片制造技術的變革，或許ASML的光刻機是時候被拋棄了,。

據悉北方某國計劃以X射線進行光刻,，它早就在研究無掩模X射線光刻機，此舉具有一定的可行性,，因為它的波長比ASML所采用極紫外線還要短,，X射線波長基于0．01nm至10nm之間，而EUV極紫外線波長長度為13．5nm,，X射線光刻機無需光掩模就可以直接光刻,，此舉可以大幅降低芯片制造成本，同時在精準度方面也更高,。

與北方某國不同,，日本研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術，則是因為EUV光刻機的成本太高了,，一臺EUV光刻機的售價高達1．5億美元,，而下一代更精準的EUV光刻機售價可望進一步提高到3億美元，昂貴的EUV光刻機讓日本企業(yè)難以接受,，它們因此而在數年前就開始研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術,。

日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝）早在數年前就已與日本半導體廠商大日本印刷株式會社（DNP）研發(fā)新的光刻技術，在2020年成功研發(fā)出納米壓印微影（NIL）技術,，并已應用于Kioxia公司的NAND flash芯片生產中,，它們預計該技術可以應用于5nm工藝，打破當下DUV光刻機只可以應用于最高7nm工藝的限制,，而且成本更低,。

中國則延續(xù)了當下的芯片制造技術方向，據悉中芯國際即將以DUV光刻機生產7nm工藝,，這個技術其實已由臺積電實現,，此前臺積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機生產的，后來再升級至7nmEUV,，7nm工藝將足以滿足中國多數芯片的需求,。

除了以DUV光刻機生產7nm工藝之外，中國芯片企業(yè)華為海思還研發(fā)了芯片堆疊技術,，該技術此前曾遭受一些質疑,，不過隨著臺積電推出的3D WOW技術大幅提升了7nm工藝芯片的性能，性能提升幅度達到40％,，超過5nm工藝的性能提升幅度,；蘋果也通過特殊的聯結方式將兩顆M1芯片連接在一起而取得了性能倍增，都證明了芯片堆疊技術的可行性,。

如此中芯國際的7nm工藝輔以芯片堆疊技術,，業(yè)界預期此舉可以將性能提升至接近5nm更進一步滿足國內芯片行業(yè)的要求，而且此舉也有助于降低成本,。

上述這些技術發(fā)展都說明了ASML的EUV光刻機將不會成為推進至7nm工藝以下的必然選項,，芯片制造行業(yè)完全可以通過研發(fā)其他技術繞過EUV光刻機的限制,，提升芯片的性能，甚至生產芯片的成本比EUV光刻機更低,。

不僅如此,，全球芯片供應緊張的狀況似乎已有緩解的跡象，手機芯片行業(yè)已出現過剩,，射頻芯片庫存達到了較高的水平,，導致手機企業(yè)不再搶購芯片。這是因為手機行業(yè)的出貨量其實已低于歷史最高水平,，汽車,、電視的出貨量也有所下降，2021年出貨量增長幅度較大的PC也在今年一季度顯著下滑,，這都可能導致芯片產能過剩,，芯片產能出現過剩的話，當前全球搶購光刻機的現象也就會緩解,，甚至光刻機可能因此過剩,。

可以說屬于ASML的高光時刻似乎正在過去，面對芯片技術的變革,，以及芯片供應的變化,，ASML賺得盆滿缽滿的時代可能一去不復返了，那時候ASML會不會改變當前銷售的諸多阻礙,，而轉變態(tài)度希望客戶采購它的光刻機呢,？