三星在2017年前,，在芯片代工領(lǐng)域，其實(shí)是排第四名的,，臺(tái)積電,、格芯、聯(lián)電都比三星強(qiáng),。

后來三星在2017年時(shí)提了一個(gè)目標(biāo),，那就是要超過格芯、聯(lián)電,、臺(tái)積電,，未來要成為全球芯片代工的第一名。

在2018年時(shí),，三星成功地超過了格芯,、聯(lián)電，排名全球第二,，然后三星的目標(biāo)只有一個(gè),，那就是超過臺(tái)積電。

但時(shí)至今日,，三星與臺(tái)積電的差距還是相當(dāng)大的,，按照2021Q4的數(shù)據(jù),，臺(tái)積電的份額為53％，而三星只有17％,，臺(tái)積電份額約為三星的3倍,。

事實(shí)上，三星這幾年一直在努力,，特別是在5nm,、4nm時(shí)更是鉚足了勁，還拉攏了高通,，意欲與臺(tái)積電爭(zhēng)霸一下,。

不過,，或許因?yàn)槿翘庇诔晒α?，所以?nm時(shí)陷入了良率困境，按照媒體的說法,，三星4nm良率僅為35％,，而臺(tái)積電可達(dá)到70％，是三星的兩倍,。

而良率低會(huì)造成什么樣的后果,？那就是產(chǎn)能太低，成本過高,，35％的率良,，意味著生產(chǎn)100塊晶圓，其中只有35塊是正常的,，另外的65塊用不得,。

所以三星晶圓代工的主要客戶正在流失，比如高通,，就決定將驍龍8 Gen1訂單轉(zhuǎn)向臺(tái)積電生產(chǎn),，后續(xù)3nm芯片也全量委托給臺(tái)積電……

對(duì)于三星而言，目前GAA技術(shù)的3nm工藝,，成為了三星翻身的機(jī)會(huì)了,，如果GAA工藝的3nm表現(xiàn)不給力，那么三星將很難超直臺(tái)積電,，如果GAA工藝表現(xiàn)給力,，那還是有機(jī)會(huì)的。

GAA技術(shù)真的這么大的魅力,？還真的有,，詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)，我多說,，我只簡(jiǎn)單地講一下,，大家就會(huì)明白了,。

所有的芯片，都要進(jìn)行通電,，然后進(jìn)行運(yùn)算,，而芯片由幾十上百億晶體管構(gòu)成，而耗電分為兩個(gè)部分,。

一部分是運(yùn)算本身產(chǎn)生的耗電,，叫動(dòng)態(tài)功耗。另外一部分則是CMOS晶體管各種泄露電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗（又稱漏電流功耗）,。別小看了漏電,，在芯片中，這個(gè)漏電功耗其實(shí)比動(dòng)態(tài)功耗更大,。

而GAA技術(shù),，相比于之前的FinFET技術(shù)，加到晶體管上的電壓變小,，這樣導(dǎo)致漏電功率也變小,。而功耗變小后，這樣芯片的發(fā)熱會(huì)變得更小,，芯片的效率更高,，性能更棒。

所以如果三星真的在GAA技術(shù)下的3nm上表現(xiàn)給力,，那么生產(chǎn)出來的芯片,，功耗小、發(fā)熱少,，你覺得客戶會(huì)不會(huì)選擇,？畢竟臺(tái)積電還在使用FinFET，技術(shù)是真的不如GAA技術(shù)的,。