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Intel拿下首批第二代High-NA光刻機,,斥資200億美元建廠

2022-01-21
來源:OFweek電子工程網(wǎng)
關(guān)鍵詞: Intel High-NA 光刻機 三星

1月19日,,ASML宣布2022年一季度,,其第二代High-NA光刻機TWINSCAN EXE:5200獲得了首個訂單,,第二代High-NA光刻機被用于2NM制程芯片制造,,有望在2024年實現(xiàn)交付,。

自2017年ASML的第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來,,三星的7nm/5nm工藝,,臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.55 數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進行生產(chǎn),。

目前,臺積電,、三星,、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術(shù),,以滿足高性能計算等先進芯片需求,。而3/2nm工藝的實現(xiàn)則需要依賴于ASML新一代High-NA EUV光刻機EXE:5000系列,。

ASML目前正在開發(fā)當(dāng)中的第二代High-NA EUV光刻機是基于 0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的迭代產(chǎn)品,其具有 0.55 數(shù)值孔徑的鏡頭,,分辨率為 8 納米,,而現(xiàn)有的0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的分辨率為 13 納米,使得芯片制造商能夠生產(chǎn)3/2nm及以下更先進制程的芯片,,并且圖形曝光的成本更低,、生產(chǎn)效率更高。

但是,,0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)造價相比第一代的EUV光刻機也更高,。據(jù) KeyBanc 稱,一臺0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預(yù)計為3.186億美元,,而目前正在出貨的EUV光刻系統(tǒng)則為1.534億美元,。

早在2021年7月底的“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上,英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝(相當(dāng)于臺積電2nm工藝),,并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機,。

拿下首批第二代High-NA光刻機的企業(yè)正是Intel

2021年30年老將帕特·基辛格重回Intel擔(dān)任CEO之后,,他推出了IDM 2.0戰(zhàn)略,,意圖重振Intel在半導(dǎo)體制造上的領(lǐng)先地位。美國是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地,,基辛格在Intel工作的30年內(nèi)見證了美國及Intel最輝煌的時刻,,然而現(xiàn)在美國公司在全球半導(dǎo)體生產(chǎn)中的份額已經(jīng)下滑到了12%,先進工藝生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到了亞洲地區(qū),,所以基辛格上任之后一直呼吁加大投資,,讓美國重新奪回至少1/3的半導(dǎo)體制造份額。

這也是從戰(zhàn)略層面Intel要進軍2nm的原因,。

在搭建整合先進制程方面Intel有著自己的考慮,,英特爾期望能在晶圓制造領(lǐng)域超過龍頭臺積電。與此同時,,英特爾還大量采用臺積電的晶圓代工服務(wù),,預(yù)期未來幾年會成為臺積電的大客戶之一。

臺積電此前已經(jīng)向ASML采購High-NA研發(fā)型EUV光刻機EXE: 5000,,在Intel采購TWINSCAN EXE:5200后,,臺積電預(yù)計在今年會跟進下單TWINSCAN EXE:5200。

無獨有偶,,2021年三星電子半導(dǎo)體收入大增31.6%至759億美元(約合4815億元人民幣),,超越Intel成為全球收入最高的芯片制造商。而位居第二的Intel去年半導(dǎo)體收入為731億美元,,僅增長了0.5%,,是排名前25位芯片制造商中銷售額增長最慢的一家,。Intel一直把持住的服務(wù)器處理器領(lǐng)域,也被其競爭對手AMD瘋狂搶走份額,,在這個領(lǐng)域,,AMD市占率已從第14位飆升到第10位,。

無論是在芯片制造,,還是在芯片設(shè)計,Intel都有被反超落下的風(fēng)險,。

為此,,Intel在本周五宣布將斥資200億美元推進IDM 2.0戰(zhàn)略,在美國俄亥俄州建廠,。

三星,、臺積電、Intel,、AMD,、NVIDIA等芯片領(lǐng)域的巨頭,都不約而同的在21世紀第二個十年陷入了芯片“軍備競賽”,,勝者是誰,?現(xiàn)在下定論還為時尚早,各位看官還請拭目以待,。




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