按照全球最頂尖的兩大代工廠臺積電,、三星的計劃,，今年雙方的工藝都將進(jìn)入3nm。

很多人認(rèn)為,，今年將是臺積電,、三星展開競賽的一年，臺積電想保住自己大哥的位置,，而三星不甘心當(dāng)老二,，也想當(dāng)大哥，所以競賽必然在3nm上進(jìn)行,。

再加上三星押寶GAAFET技術(shù),，相比于臺積電的FinFET技術(shù)更先進(jìn)，所以三星是來勢洶洶,。

表面上來看,，確實是如此，但事實上,，今年雙方并不會展開什么激烈競爭,，雙方真正的決戰(zhàn)將會在2025年的2nm工藝上展開，現(xiàn)在都只是前期準(zhǔn)備階段,。

首先,，在3nm上，不管臺積電的FinFET工藝是不是真的落后于GAAFET工藝,，三星是搶不走太多臺積電份額的,。

一方面是當(dāng)前臺積電的優(yōu)勢還很明顯，蘋果,、AMD,、聯(lián)發(fā)科、nividia,、intel們都還站臺積電,，三星的最大客戶還只有高通,，明顯拼不過。

二是三星剛使用GAAFET技術(shù),，良率不可能很高,，成本也不可能低下來，相比于臺積電成熟穩(wěn)定的FinFET而言,，技術(shù)是先進(jìn)些,，但芯片產(chǎn)能規(guī)模化不了,，更多的只是前期工作,，推動技術(shù)落地成熟應(yīng)用而已，所以在3nm時就搶臺積電市場,，真的難以實現(xiàn),。

可以說，三星之所以在3nm時使用GAAFET這種技術(shù),，更多的還是在后續(xù)做準(zhǔn)備,，提前熟悉、掌握這一技術(shù),，這樣在后續(xù)工藝時更有領(lǐng)先優(yōu)勢,。

到2025年時，臺積電也要轉(zhuǎn)用GAAFET工藝了,，并且在2025年臺積電,、三星都會進(jìn)入2nm工藝，都使用GAAFET技術(shù),，這時候才是兩者真正決戰(zhàn)的開始,。

臺積電在2025年時才 算是首次進(jìn)入GAAFET工藝，而三星相當(dāng)于已經(jīng)提前熟悉了3年,，三星在GAAFET工藝更有優(yōu)勢了,。

再加上三星前期做的各種準(zhǔn)備工作，三星在2025年時,，也就是都進(jìn)入GAAFET工藝時,，才是真正有希望搶臺積電市場的時候，那時候也將是真正的大決戰(zhàn)時候,。