11月15日,，山東省工業(yè)和信息化廳公示了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展《山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（征求意見稿）》。公開征求意見時間為2021年11月15日至11月19日。

圖片來源：山東省工業(yè)和信息化廳官網(wǎng)截圖

《征求意見稿》中提出了發(fā)展目標。加快完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈體系，著力突破關(guān)鍵核心技術(shù),，切實提高山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。到2025年,，碳化硅,、氮化鎵等關(guān)鍵材料國產(chǎn)化率實現(xiàn)大幅提高，芯片設(shè)計能力達到國際先進水平,，全產(chǎn)業(yè)鏈基本實現(xiàn)自主可控,，打造百億級國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。

具體包括三方面：產(chǎn)業(yè)規(guī)模邁向新臺階,。到2025年,，建成較大規(guī)模先進特色工藝制程生產(chǎn)線，推動形成要素完備的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集區(qū),，帶動模塊及系統(tǒng)應(yīng)用方面相關(guān)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元,。建成國際先進的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，帶動形成基于第三代半導(dǎo)體的電力電子,、微波電子,、大功率半導(dǎo)體照明生產(chǎn)、應(yīng)用系統(tǒng)為核心的產(chǎn)業(yè)集群,。

創(chuàng)新能力取得新突破,。到2025年，突破核心關(guān)鍵技術(shù),，建設(shè)第三代半導(dǎo)體國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站,、院士工作站,，搭建國際先進的第三代半導(dǎo)體公共研發(fā)、檢測和服務(wù)平臺,，全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升,。

市場主體實現(xiàn)新跨越。培育壯大掌握核心技術(shù),、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè),，帶動發(fā)展掌握核心關(guān)鍵技術(shù)的特色企業(yè)，夯實第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基,。

《征求意見稿》指出,，山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展區(qū)域布局。

產(chǎn)業(yè)布局

按照“政府引導(dǎo),、龍頭帶動,、園區(qū)孵化,、集群推進”的總體思路，發(fā)揮國家集成電路設(shè)計濟南產(chǎn)業(yè)化基地,、青島嶗山微電子產(chǎn)業(yè)園,、中德生態(tài)園集成電路產(chǎn)業(yè)基地、濟寧省級信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地等集聚優(yōu)勢,，加大龍頭企業(yè)支持力度,，加快構(gòu)建“4+N”區(qū)域布局。

濟南,。實施高性能集成電路突破計劃,，優(yōu)化升級國家集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術(shù)優(yōu)勢,，結(jié)合濟南比亞迪半導(dǎo)體芯片等上下游配套項目建設(shè),，打造基于硅基和碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)集聚區(qū)，建成國際先進的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,。

青島,。立足本地整機（系統(tǒng)）市場應(yīng)用優(yōu)勢，建設(shè)好芯恩,、惠科等集成電路重大項目,，以發(fā)展模擬及數(shù)模混合集成電路,、智能傳感器,、半導(dǎo)體功率器件、光電子芯片和器件,、第三代半導(dǎo)體為主線,，通過抓龍頭、補短板,、促融合,、育生態(tài)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖贁U張,、支撐能力顯著增強，加快培育自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài),。

濟寧,。重點做大單晶硅、晶圓片,、外延片等上游半導(dǎo)體材料,，強鏈發(fā)展中游半導(dǎo)體分立器件、功率器件及功能芯片產(chǎn)業(yè),。加強同省內(nèi)外高校合作,，面向國內(nèi)外引進吸收先進第三代半導(dǎo)體應(yīng)用加工技術(shù),，提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展位次。

濰坊,。做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè),，優(yōu)化項目建設(shè)環(huán)境，全力以赴提供優(yōu)質(zhì)服務(wù),、跟蹤服務(wù),、精準服務(wù)，努力為項目推進創(chuàng)造良好條件,。

其他市,。依托本地產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)和特色，突出差異化發(fā)展,，加強同重點市的協(xié)調(diào)聯(lián)動,，支持做好項目招引，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模,。

與此同時,，《征求意見稿》還明確了山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點任務(wù)。

堅持全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,，提升產(chǎn)業(yè)競爭能級

以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的碳化硅晶體材料為切入點,，迅速做大碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料,、外延,、芯片、封裝和應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié),，加強產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合,，以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè),，促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,，打造第三代半導(dǎo)體電力電子、微波電子和半導(dǎo)體照明等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地,。

1.提升材料制備能力。加速推進大尺寸GaN,、SiC等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術(shù),，突破GaN、SiC材料大直徑,、低應(yīng)力和低位錯缺陷等關(guān)鍵技術(shù),，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力,。突破超硬晶體材料切割和拋光等關(guān)鍵核心技術(shù),，提升4-8英寸GaN,、SiC襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術(shù)的支持力度,，補足第三代半導(dǎo)體外延材料生長環(huán)節(jié),。推動氧化鎵（Ga2O3）等新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2.發(fā)展器件設(shè)計,。大力扶持基于第三代半導(dǎo)體GaN,、SiC的高壓大功率、微型發(fā)光二極管,、毫米波,、太赫茲等高端器件設(shè)計產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應(yīng)用和GaN功率器件的消費類快充市場,，促進產(chǎn)學(xué)研合作以及成果轉(zhuǎn)化,，引導(dǎo)器件設(shè)計企業(yè)上規(guī)模、上水平,，提升設(shè)計產(chǎn)業(yè)集聚度,，大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體仿真設(shè)計軟件自主品牌產(chǎn)品，建設(shè)具有全球競爭力的器件設(shè)計和軟件開發(fā)集聚區(qū),。

3.布局器件制造,。推進基于GaN、SiC的垂直型SBD（肖特基二極管）,、HEMT（高電子遷移率晶體管）,、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）,、Micro-LED（微型發(fā)光二極管）,、高端傳感器、MEMS（微機電系統(tǒng)）,，以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造,，支持科研院所微納加工平臺建設(shè)。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設(shè)項目,，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造,，在關(guān)鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達到國際先進水平,，SiC二極管,、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN器件產(chǎn)品、激光芯片及其器件產(chǎn)品具有國際競爭力,。

4.健全封測產(chǎn)業(yè),。積極發(fā)展高端封裝測試，引進先進封測生產(chǎn)線和技術(shù)研發(fā)中心，大力發(fā)展晶圓級,、系統(tǒng)級先進封裝技術(shù)以及先進晶圓級測試技術(shù),。大力支持科研院所在第三代半導(dǎo)體相關(guān)的電氣性能、散熱設(shè)計,、可靠性,、封裝材料等方面的研發(fā)工作，發(fā)展基于第三代半導(dǎo)體的功率和電源管理芯片,、射頻芯片,、顯示芯片等產(chǎn)品的封測產(chǎn)業(yè)。

5.開發(fā)技術(shù)裝備,。布局“生長,、切片、拋光,、外延”等核心技術(shù)裝備,，通過關(guān)鍵設(shè)備牽引，實現(xiàn)分段工藝局部成套,，拓展解決整線成套設(shè)備國產(chǎn)化,，并實現(xiàn)整線集成。提升氧化爐,、沉積設(shè)備,、光刻機、刻蝕設(shè)備,、離子注入機,、清洗機、化學(xué)研磨設(shè)備的生產(chǎn)能力以及設(shè)備的精度和穩(wěn)定性,。突破核心共性關(guān)鍵技術(shù),，形成一流的工藝和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用技術(shù)，掌握核心裝備制造技術(shù),，打造第三代半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)軍企業(yè),。研究開發(fā)碳化硅單晶智能化生長裝備并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，突破碳化硅晶體可控生長環(huán)境精準檢測與控制技術(shù),、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術(shù),，形成智能化碳化硅晶體生長裝備成套關(guān)鍵技術(shù)。

推動科技服務(wù)新基建,，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境

1.建設(shè)公共技術(shù)平臺,。整合省內(nèi)優(yōu)勢中堅力量，謀劃建設(shè)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)研究公共技術(shù)平臺,，搭建國際先進的涵蓋第三代半導(dǎo)體晶體生長技術(shù)、器件物理研究、微納器件設(shè)計與加工技術(shù),、芯片封裝與測試等核心技術(shù)實體研發(fā)創(chuàng)新中心,，提升研發(fā)水平和效率。建設(shè)國際先進的第三代半導(dǎo)體研發(fā),、檢測和服務(wù)公共平臺,，開展芯片和器件關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新材料,、新工藝,、新器件。深入開展核心關(guān)鍵技術(shù)研究,、應(yīng)用驗證,、測試等，引入高溫離子注入系統(tǒng),、化學(xué)機械拋光系統(tǒng),、等離子刻蝕機等關(guān)鍵工藝設(shè)備，以及大型分析檢測測試設(shè)備,，為產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展提供服務(wù)支撐,。

2.搭建成果轉(zhuǎn)化平臺。鼓勵產(chǎn)學(xué)研深度合作,，聚焦第三代半導(dǎo)體單晶材料生長技術(shù),，器件設(shè)計與制備技術(shù)，封裝與測試技術(shù)等領(lǐng)域,，加快推進高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對接,，以共建聯(lián)合實驗室等形式落實成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)我省在半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車,；建設(shè)省級第三代半導(dǎo)體重點實驗室,、工程技術(shù)中心等，加快推進申請國家級第三代半導(dǎo)體實驗室,，引入高端研發(fā)人才,，對接先進科研成果，加速成果產(chǎn)業(yè)化進程,。

3.發(fā)展產(chǎn)業(yè)孵化平臺,。支持地市、高校聯(lián)合國內(nèi)外研發(fā)機構(gòu)和重點企業(yè),，按照新型研發(fā)機構(gòu)模式成立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院,，逐步建成國際先進、國內(nèi)一流的第三代半導(dǎo)體科技孵化
器,，帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展,。

培育優(yōu)勢主體,，拉動產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模

1.壯大龍頭企業(yè)。加大對重點企業(yè)的關(guān)注和扶持力度,，實行一企一策,，協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關(guān)鍵制約點。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點項目納入山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫,，充分利用好新舊動能轉(zhuǎn)換政策,，進行重點扶持；圍繞SiC,、GaN等晶體材料,、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),，培育壯大細分行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),，逐步扶持企業(yè)上市。

2.融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié),。強化需求牽引的作用,，從應(yīng)用端需求入手，加強從材料,、芯片,、器件到模塊應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強省內(nèi)省外行業(yè)對接合作,，精準招引,、實施補鏈、延鏈,、強鏈項目,。沿鏈分批打造規(guī)模大、技術(shù)強,、品牌響的“領(lǐng)航型”企業(yè),，培育細分領(lǐng)域的“瞪羚”“獨角獸”企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游,、大中小企業(yè)緊密配套,、融通發(fā)展，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和競爭力,。

推進下游應(yīng)用,，拓寬產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑

1.大力支持碳化硅功率模塊的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。加快實現(xiàn)碳化硅模塊量產(chǎn),，并提升碳化硅芯片及模塊在電氣性能,、散熱設(shè)計、可靠性,、封裝材料等方面的性能,，降低生產(chǎn)成本,。突破第三代半導(dǎo)體器件在充電樁、電動汽車,、家電等領(lǐng)域的應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù),，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大的技術(shù)壁壘。擴大應(yīng)用規(guī)模,，支持省內(nèi)碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)擴大產(chǎn)能，形成碳化硅模塊產(chǎn)業(yè)集聚,，打造模組開發(fā)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的新高地,。

2.加快國產(chǎn)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用推廣。引導(dǎo)省內(nèi)芯片制造,、封裝測試企業(yè)與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)對接,，聯(lián)合開展研發(fā)攻關(guān)，實現(xiàn)關(guān)鍵材料本地覆蓋,。組織開展省內(nèi)國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體應(yīng)用試點示范,，在襯底、芯片加工,、模組應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)對企業(yè)提出國產(chǎn)化比例考核要求,。