《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高性能計(jì)算版DDR5標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布:最高可達(dá)6400MT/s

2021-10-29
來(lái)源:快科技2018

DDR5內(nèi)存正在走來(lái),,不過(guò)和歷代標(biāo)準(zhǔn)一樣,初始版本的規(guī)格不算太高,,頻率只有4800MHz,,再加上越來(lái)越高的延遲,,我們都在期待更強(qiáng)的規(guī)格,。

  今天,,JEDEC組織正式發(fā)布了升級(jí)版的JESD79-5A DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,專門針對(duì)HPC高性能計(jì)算領(lǐng)域,,包括更高的頻率和性能,,以及各種穩(wěn)定性、可靠性的增強(qiáng),。

  高性能計(jì)算版DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)早在去年7月就發(fā)布了,,編號(hào)JESD79-5,,這次的升級(jí)版進(jìn)一步擴(kuò)展了傳輸速度,,內(nèi)核速度最高支持6400MT/s,IO AC速度最高5600MT/s,,實(shí)際頻率最高為5600MHz,,對(duì)比消費(fèi)級(jí)的DDR5-4800提高了接近17%。

  同時(shí),,新標(biāo)準(zhǔn)還支持一系列可改進(jìn)系統(tǒng)穩(wěn)定性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),,包括邊界糾錯(cuò)、軟后期封裝修復(fù)(sPPR)撤銷與鎖定,、內(nèi)存內(nèi)建自我測(cè)試后封裝修復(fù)(MBIST/mPPR),、適應(yīng)性RFM、MR4擴(kuò)展,。

  AMD,、,、三星、美光,、SK海力士都表達(dá)了對(duì)新標(biāo)準(zhǔn)的歡迎與支持,。

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