英特爾公布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖,，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，并有望將此影響延續(xù)至2025年及以后,。
　　在本次“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上,，英特爾除了公布了其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外，還重點介紹了采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計劃,，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV,。英特爾有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

　　英特爾公司CEO帕特·基辛格在發(fā)布會中表示：“基于英特爾在先進封裝領(lǐng)域毋庸置疑的領(lǐng)先性,，我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖,，以確保到 2025 年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界?！?br/>　　窮盡摩爾定律,，啟動新命名體系
　　數(shù)十年來，制程工藝“節(jié)點”的名稱都與晶體管的柵極長度相對應(yīng),。但從1997年開始,，業(yè)界開始意識到，基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法已經(jīng)不再符合實際,。
　　雖然業(yè)界多年前不再遵守這種命名法,，但英特爾卻一直沿用這種歷史模式，即使用反映尺寸單位（如納米）的遞減數(shù)字來為節(jié)點命名,。
　　不過,，整個行業(yè)使用著各不相同的制程節(jié)點命名和編號方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法,，也無法全面展現(xiàn)如何實現(xiàn)能效和性能的最佳平衡,。
　　今天，在披露制程工藝路線圖時,，英特爾引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)——包括性能,、功耗和面積等的新命名體系。從上一個節(jié)點到下一個節(jié)點命名的數(shù)字遞減,，反映了對這些關(guān)鍵參數(shù)改進的整體評估,，以幫助客戶對整個行業(yè)的制程節(jié)點演進建立一個更準確的認知。
　　基辛格說：“今天公布的創(chuàng)新技術(shù)不僅有助于英特爾規(guī)劃產(chǎn)品路線圖,，同時對我們的代工服務(wù)客戶也至關(guān)重要,。”隨著英特爾代工服務(wù)（IFS）的推出,，新的命名體系將有助英特爾的客戶清晰了解情況,，這比以往任何時候都顯得更加重要,。

　　具體來看,，英特爾從下一個節(jié)點（此前被稱作Enhance SuperFin）Intel 7開始,，后續(xù)節(jié)點命名將陸續(xù)為Intel 4、Intel 3,，而在Intel 3之后的下一個節(jié)點將被命名為Intel 20A,，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代--半導(dǎo)體的埃米時代,。
　　“摩爾定律仍在持續(xù)生效,。對于未來十年走向超越‘1納米’節(jié)點的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑,?！被粮癖硎尽?/p>

　　英特爾還致力于定義,、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV,，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與 ASML 密切合作,，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功,，超越當(dāng)前一代 EUV。
　　“英特爾和ASML共同走在極紫外光刻（EUV）技術(shù)的前沿,。隨著英特爾不斷拓展其全球工廠網(wǎng)絡(luò),，我們隨時準備提供能為未來創(chuàng)新做出貢獻的最先進的EUV。我們對下一代高數(shù)值孔徑EUV倍感興奮,，它將使芯片技術(shù)取得更大進步,。”ASML公司CEO兼總裁Peter Wennink談到,。
　　英特爾代工服務(wù)推出,，趕超臺積電
　　隨著英特爾全新IDM 2.0戰(zhàn)略的實施，封裝對于實現(xiàn)摩爾定律的益處變得更加重要,?；粮裾f，“業(yè)界對英特爾代工服務(wù)（IFS）有強烈的興趣,，今天我很高興我們宣布了首次合作的兩位重要客戶,。英特爾代工服務(wù)已揚帆起航！”英特爾對領(lǐng)先行業(yè)的先進封裝路線圖提出：

　　EMIB作為首個 2.5D 嵌入式橋接解決方案將繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè),，英特爾自2017年以來一直在出貨EMIB產(chǎn)品,。Sapphire Rapids 將成為采用EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）批量出貨的首個英特爾？至強,？數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品,。它也將是業(yè)界首個提供幾乎與單片設(shè)計相同性能的，但整合了兩個光罩尺寸的器件。繼Sapphire Rapids之后,，下一代 EMIB的凸點間距將從 55微米縮短至 45微米,。
　　Foveros利用晶圓級封裝能力，提供史上首個 3D 堆疊解決方案,。Meteor Lake是在客戶端產(chǎn)品中實現(xiàn)Foveros技術(shù)的第二代部署,。該產(chǎn)品具有 36微米的凸點間距，不同晶片可基于多個制程節(jié)點,，熱設(shè)計功率范圍為 5-125W,。
　　Foveros Omni開創(chuàng)了下一代Foveros技術(shù)，通過高性能3D堆疊技術(shù)為裸片到裸片的互連和模塊化設(shè)計提供了無限制的靈活性,。Foveros Omni允許裸片分解,，將基于不同晶圓制程節(jié)點的多個頂片與多個基片混合搭配，預(yù)計將于2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中,。
　　Foveros Direct實現(xiàn)了向直接銅對銅鍵合的轉(zhuǎn)變,，它可以實現(xiàn)低電阻互連，并使得從晶圓制成到封裝開始,，兩者之間的界限不再那么截然,。Foveros Direct 實現(xiàn)了10微米以下的凸點間距，使3D堆疊的互連密度提高了一個數(shù)量級,，為功能性裸片分區(qū)提出了新的概念,，這在以前是無法實現(xiàn)的。Foveros Direct 是對 Foveros Omni 的補充,，預(yù)計也將于 2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中,。

　　會上，英特爾宣布,，AWS 將成為首個使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶,。
　　基辛格談到，今天討論的突破性技術(shù)主要在英特爾俄勒岡州和亞利桑那州的工廠開發(fā),，這鞏固了英特爾作為美國唯一一家同時擁有芯片研發(fā)和制造能力的領(lǐng)先企業(yè)的地位,。
　　寫在最后
　　56年前，英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾首次提出摩爾定律,，成為整個半導(dǎo)體行業(yè)無比追捧的真理和發(fā)展方向,，然而在最近幾年的發(fā)展過程中，關(guān)于摩爾定律是否真實失效的討論一直在業(yè)界爭執(zhí)不休,。
　　今天,，英特爾依舊延續(xù)著這一傳統(tǒng)，并在全新的創(chuàng)新高度上制定路線圖,?；粮裾劦?，“在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會失效,，英特爾將持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進創(chuàng)新,。”