K海力士宣布,,開始啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片,。
具體來看,,已經(jīng)于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移動端DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)產(chǎn)品,。
此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x(第一代),、1y(第二代),、1z(第三代)之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn),。SK海力士預(yù)計從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)采用1a nm級技術(shù)的移動端 DRAM,。
在此之前,,SK海力士曾在生產(chǎn)1y nm級產(chǎn)品中部分采用了EUV技術(shù),,完成了對其穩(wěn)定性的驗證。這對采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品具有非凡的意義,。
相比于前一代1z nm級工藝,,1a nm級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%,帶來了生產(chǎn)效率的提升和更高的成本競爭力,。1a nm級DRAM穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度(4266Mbps),,并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。SK海力士認(rèn)為此次新產(chǎn)品進(jìn)一步強(qiáng)化了低功耗的優(yōu)勢,,助力碳排放量的減少,,充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG(環(huán)境、社會,、公司治理)經(jīng)營的精神理念,。
啟用EUV技術(shù)光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片的還包括三星和美光,不過美光時間上要更晚一些,,預(yù)計在2024年生產(chǎn)新的EUV內(nèi)存芯片,。