隨機(jī)性作為一個(gè)重要問題永遠(yuǎn)不會(huì)消失。

　　幾家供應(yīng)商正在推出下一代檢測系統(tǒng)和軟件,，以定位極紫外（EUV）光刻機(jī)工藝引起的芯片缺陷問題,。

　　每種缺陷檢測技術(shù)都涉及到各種權(quán)衡，但由于EUV引起的隨機(jī)缺陷最終會(huì)影響芯片的性能,，在晶圓廠里使用一項(xiàng)或多項(xiàng)檢測技術(shù)是非常必要的,。

　　EUV光刻用于晶圓廠的芯片生產(chǎn)，它使用一個(gè)巨大的掃描儀在高級節(jié)點(diǎn)上對芯片的微小特征進(jìn)行圖案化,，在操作中,，EUV的掃描儀產(chǎn)生光子，最終與晶圓上的光敏材料光刻膠相互作用,，以形成精確的特征化圖案,。

　　不過，并不是每次都可以實(shí)現(xiàn)精確圖案化,，在EUV中,，光子撞擊光刻膠發(fā)生反應(yīng)且這一動(dòng)作重復(fù)多次，這些過程充滿不可預(yù)測性和隨機(jī)性,，可能會(huì)產(chǎn)生新的反應(yīng),，也就是說EUV光刻工藝容易出現(xiàn)所謂的隨機(jī)性，是具有隨機(jī)變量的事件,，這些變化被統(tǒng)稱為隨機(jī)效應(yīng),。隨機(jī)效應(yīng)有時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片中出現(xiàn)不必要的接觸缺陷或有粗糙度的圖案，兩者都會(huì)影響芯片的性能,，甚至導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)故障,。

　　在過去的幾年中，這些問題在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中基本被忽略了,。但對于EUV而言,，隨機(jī)效應(yīng)成為主要問題之一，越高級的節(jié)點(diǎn),，隨機(jī)效應(yīng)越嚴(yán)重,。盡管該行業(yè)已經(jīng)找到了通過改進(jìn)光刻膠和工藝來緩解問題的方法,，但隨機(jī)效應(yīng)引發(fā)的缺陷依然會(huì)突然出現(xiàn)，給代工供應(yīng)商及客戶帶來麻煩,。

　　“這意味著隨機(jī)性作為一個(gè)重要問題永遠(yuǎn)不會(huì)消失,，”Fractilia 的 CTO Chris Mack 說?！坝袝r(shí)在10納米或7納米節(jié)點(diǎn)附近,，隨機(jī)效應(yīng)成為圖案變化的主要來源。這主要是因?yàn)樗衅渌兓瘉碓炊荚谧冃?。隨機(jī)效應(yīng)卻沒有——或者至少它沒改進(jìn)得那么多或那么快,。在總變化中，隨機(jī)效應(yīng)變化所占比例越來越大,?！?/p>

　　因此，了解這些影響勢在必行,，并且在晶圓廠中定位芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷也同樣重要,。幸運(yùn)的是，最近有幾家公司開發(fā)了各種工具,，可以在當(dāng)今EUV工藝中定位甚至預(yù)測芯片中的這些缺陷,。展望未來，面對5nm以及更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn),，一些廠商正在推出新方法或改進(jìn)方法查找或預(yù)測這些缺陷,，包括：

　　設(shè)備供應(yīng)商正在突破光學(xué)檢測的極限，以檢測隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷,；一類新的電子束檢測工具正在為此應(yīng)用發(fā)展,；

　　新的軟件工具正在開發(fā)中,，使用戶能夠?qū)θ毕葸M(jìn)行分類,、建模和預(yù)測；電氣測試也在進(jìn)行中,。

　　令人困擾的隨機(jī)效應(yīng)

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　　一顆芯片的誕生需要經(jīng)過多重工藝步驟,，光刻一直是最為復(fù)雜的工藝之一。多年來,，芯片制造商使用基于193nm波長光刻系統(tǒng)在芯片上進(jìn)行特征圖案化,，但當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到5nm時(shí)，使用多重圖案化變得十分困難,。

　　EUV簡化了傳統(tǒng)光刻流程,，使芯片制造商能夠掃描7nm及以下的特征圖形?！爱?dāng)您使用EUV時(shí),，光罩的次數(shù)就會(huì)減少,，這是因?yàn)镋UV將行業(yè)帶回了單一模式，193nm的圖案浸沒需要更多的高級節(jié)點(diǎn)掩膜,?！?D2S的首席執(zhí)行官藤村明（Aki Fujimura）說：“有了EUV，掩膜次數(shù)減少了,，但每層EUV光罩成本更貴,。”

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　　圖一：典型的光刻處理步驟順序,。來源：Fractilia2018年,，三星和臺(tái)積電就在7nm節(jié)點(diǎn)使用了EUV光刻，現(xiàn)在這兩家公司都在5nm處使用EUV光刻,，其他公司也正在開發(fā)用于芯片生產(chǎn)的EUV光刻機(jī),。

　　芯片制造商正在使用ASML的EUV光刻機(jī)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，該系統(tǒng)采用13.5nm波長0.33數(shù)值孔徑透鏡,，分辨率為13nm,，每小時(shí)可處理135至145個(gè)晶圓，ASML計(jì)劃在2021年出貨40套EUV系統(tǒng),，并在2022年再出貨55套,。

　　與此同時(shí)，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,，芯片制造商面臨一些挑戰(zhàn),。先進(jìn)邏輯工藝在晶圓廠中可能有600到1000道甚至更多步驟，每一步都可能出現(xiàn)問題,，導(dǎo)致芯片出現(xiàn)缺陷,，因此，芯片制造商在晶圓廠中需要檢測和計(jì)量設(shè)備,，檢測系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)晶圓上的缺陷,，計(jì)量工具測量結(jié)構(gòu)。

　　這是一個(gè)復(fù)雜的過程,。例如,，原子力顯微鏡（AFM）是晶圓廠中使用的一種計(jì)量工具類型?！笆褂肁FM,，我們可以在整個(gè)晶圓的不同芯片和裸片上檢測大約50微米的區(qū)域，關(guān)鍵應(yīng)用之一是查看頂線粗糙度——能夠?qū)⑦@些印制圖案中的斷線和缺陷與之后的缺陷相關(guān)聯(lián),，”Bruker高級應(yīng)用工程師Sean Hand說道,。

　　缺陷可能會(huì)出現(xiàn)在其他地方，在操作中,，EUV掃描儀應(yīng)該在芯片中創(chuàng)建各種圖案,，例如微小的接觸孔,、線條和通孔，并且具有良好的均勻性,。但有時(shí),，掃描儀可能無法圖案化所需線條，出現(xiàn)換行符,，無法打印每一個(gè)接觸孔,，出現(xiàn)缺失接觸，其他情況下,，該過程還會(huì)導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)孔合并,，出現(xiàn)“接吻接觸”（kissing contacts）。

　　換行符,、缺失接觸和接吻接觸都被認(rèn)為是隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷,，另一個(gè)隨機(jī)效應(yīng)是線邊緣粗糙度（LER）。LER被定義為特征邊緣與理想形狀的偏差,，不隨特征大小而縮放,，因此是有問題的。

　　TEL的關(guān)鍵工藝工程師 Charlotte Cutler在一篇論文中說：“隨著 ArFi 和極紫外光刻中線條關(guān)鍵尺寸減小,，從這些線條測量的粗糙度的大小可能是圖案線寬的很大一部分,。” DuPont 和 Fractilia 也為這項(xiàng)工作做出了貢獻(xiàn),。

　　許多人將隨機(jī)缺陷歸咎于光刻膠,，但光刻膠并不是唯一的問題，另外,，所有隨機(jī)缺陷都是有問題的,。“例如,，如果我們不能使我們的特性足夠平滑,，那么我們的晶體管就會(huì)有太多的漏電流，其性能就會(huì)很差,，” Fractilia的Mack說,。

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　　圖2：Fractilia:技術(shù)檢測芯片中出現(xiàn)的缺陷,。來源：Fractilia相比193nm光刻機(jī),，EUV光刻機(jī)隨機(jī)缺陷更嚴(yán)重

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　　隨機(jī)性引起缺陷的根本原因可以追溯到EUV過程本身，該過程從晶圓廠下方的激光單元開始,。首先,，激光脈沖被發(fā)射，然后進(jìn)入晶圓廠EUV掃描儀,。

　　與此同時(shí),，掃描儀中,，一個(gè)小裝置高速滴落微小的錫滴，激光脈沖中微小的錫滴產(chǎn)生光子,，光子在掃描儀內(nèi)的幾個(gè)鏡子上反射,，撞擊晶圓上的抗蝕劑，化學(xué)放大抗蝕劑（CAR）和金屬氧化物抗蝕劑是兩種常見的EUV抗蝕劑類型,。

　　抗蝕劑有助于在芯片上形成所需的圖案,，盡管這是一個(gè)復(fù)雜的過程?！霸诠饪讨?，晶圓片上涂有一種稱為光刻膠的光敏材料，一些地方暴露光刻膠,，一些地方不暴露,，光透過掩模板，蝕刻掉暴露的區(qū)域,，而覆蓋的區(qū)域仍然受到保護(hù)（在正性光刻膠的情況下）,，最終得到特征圖案，其尺寸和密度由原始光刻膠圖案決定,，將器件設(shè)計(jì)復(fù)制到晶圓上的薄膜上,，” Lam Research副總裁 Richard Wise在博客中解釋道。

　　“當(dāng)光子擊中抗蝕劑時(shí),，會(huì)引發(fā)連鎖反應(yīng),，改變材料結(jié)構(gòu)，使其更易溶解,，以便在隨后的顯影步驟中被沖走,。光子被光刻膠吸收后產(chǎn)生電子，電子產(chǎn)生次級電子,，次級電子集中光酸產(chǎn)生劑,，產(chǎn)生光酸，但光刻膠經(jīng)過烘烤后,，光酸將通過材料進(jìn)行擴(kuò)散,。”

　　更復(fù)雜的是,，基于能量與波長的基本關(guān)系：波長越小,，光子能量越大，EUV單光子的能量是193nm波長單光子能量的14倍,，因此光源總功率一定下,，從光源發(fā)射出的光子數(shù)量則會(huì)減少，完成一次曝光所消耗的光子數(shù)目隨之減少,，在相同的曝光下,，EUV的光子數(shù)量要少14倍,。

　　這相當(dāng)于，假設(shè)您有20美元,，可以是2000個(gè)便士幣,，同時(shí)也是80個(gè)面值為25美分的硬幣，那么一個(gè)面值為25美分的硬幣相當(dāng)于一個(gè)便士幣的25倍,。

　　光子也是如此,，假設(shè)在一個(gè)插圖中，便士幣代表193nm的光子,，而25美分的硬幣代表EUV光子,，便士幣的光子數(shù)量更多。

　　在光刻工藝中,，其想法是產(chǎn)生盡可能多的光子,。理論上，這可以確保您以較少的變化在芯片上圖案化所需特征,?！耙虼耍庾訑?shù)量越大,，作為平均值的一部分變化就越小,，”Fractilia 的 Mack 說?！耙虼?，光子數(shù)量越少，變化就越大,，這就是所謂的光量子散射噪聲,。”

　　基本上,，193nm光刻掃描儀以更少的能量產(chǎn)生更多的光子,。相比之下，EUV產(chǎn)生的光子更少,，這意味著該過程中存在更大的統(tǒng)計(jì)變化概率,。

　　在另一個(gè)例子中，假設(shè)一個(gè)芯片有許多微小的立方體區(qū)域,?！叭缓螅鷷?huì)看到該立方體中有多少光刻膠光敏部分的分子,，以及該立方體中吸收了多少光子,，”麥克說。

　　理想情況下,，光子將均勻地分散和被吸收在每個(gè)立方體區(qū)域中,，但實(shí)際情況并非如此，假設(shè)48個(gè)EUV光子可能會(huì)被一個(gè)立方體吸收,。在下一個(gè)立方體中,，可能會(huì)變成36個(gè)光子被吸收，這是一個(gè)隨機(jī)變化,。

　　更加復(fù)雜的是,，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的特征尺寸都較小。因此,，您有一個(gè)更小的立方體區(qū)域,，且光子的數(shù)量更少，這意味著更高的隨機(jī)概率,。

　　那么這一切在晶圓廠中是如何進(jìn)行的呢,？前文所述，芯片制造商使用單一圖案化方法在 7nm 處插入 EUV,。在單次圖案化中,，您將特征圖案放在一個(gè)掩模上，然后使用單次光刻曝光將它們打印在晶圓上,。最初,，芯片制造商希望使用劑量為 20 mJ/cm? 的EUV 抗蝕劑。

　　“劑量是光刻膠在光刻曝光系統(tǒng)曝光時(shí)所承受的能量（每單位面積）,，”麥克解釋說,。

　　在較低劑量 （20mJ/cm?） 下，芯片制造商可以以高吞吐量打印精細(xì)特征,。但是較低的劑量也意味著更少的光子,，以及更高的隨機(jī)概率。

　　因此,，芯片制造商在 7nm 處使用更高的劑量,，大約為 40mJ/cm?及以上，但也有一些權(quán)衡,。更高的劑量會(huì)轉(zhuǎn)化為更多的光子,，但掃描儀的吞吐量會(huì)受到影響。

　　同時(shí),，在 7nm 處,，EUV 單次圖案化用于打印間距從38nm到36nm特征圖案。但是單圖案EUV在 32nm 到 30nm 間距達(dá)到了它的極限,。

　　超過 30nm 間距,，則需要 EUV 雙圖案化，這屬于5nm和3nm節(jié)點(diǎn)。雙圖案 EUV需要將芯片圖案分成兩個(gè)掩模,，然后將每一層打印為單獨(dú)的層,。

　　EUV 雙重圖案化更昂貴，因?yàn)樵撨^程中有更多步驟,。另一方面,，您可以使用更高的劑量打印更大的特征，從而減少隨機(jī)效應(yīng),。

　　“隨機(jī)性仍然是一個(gè)問題,，但 EUV 雙重模式緩解了其中的一些擔(dān)憂，”Lam的Wise說,?！癊UV 雙圖案化雖然成本更高，但其優(yōu)勢在于使 EUV 能夠以更易于管理的間距運(yùn)行,。例如,，如果您想打印 30nm 間距線，則可以使用直接打印來完成,。但是隨機(jī)性是一個(gè)重大挑戰(zhàn),，因?yàn)殡S機(jī)性中最重要的因素是CD或正在打印的特征的大小。通過打印更大的尺寸,，您基本上可以在給定的特征中捕獲更多的光子,，并且隨機(jī)性得到改善。因此,，您的權(quán)衡是在 EUV 雙重圖案的成本與隨機(jī)性改進(jìn)之間進(jìn)行權(quán)衡,。”

　　預(yù)測和定位EUV缺陷的N種方法

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　　如今,，芯片制造商正在研發(fā)5nm光刻機(jī),，也可以用在3nm以及更高級節(jié)點(diǎn)的芯片制造?！霸瓌t上,，間距越小，隨機(jī)性越大,，解決這些問題的挑戰(zhàn)性也越大,，”Imec高級光刻項(xiàng)目主管Kurt Ronse說。

　　另一方面,，業(yè)界已經(jīng)改進(jìn)了EUV抗蝕劑和工藝,。“從7nm到5nm到3nm的時(shí)間范圍內(nèi),，我們建立更好的理解和材料可用性,，意味著5nm和3nm的缺陷正在下降,，從而同提高量產(chǎn)水平，”Ronse說,。

　　盡管如此,，定位和預(yù)測芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷仍然是必不可少的，在晶圓廠中,，有許多方法可以定位這些缺陷,，包括光學(xué)檢測,、電子束技術(shù)和電氣測試,，還有各種軟件工具。

　　多年來,，芯片制造商一直依靠兩種設(shè)備——電子束和光學(xué)檢測系統(tǒng)——來發(fā)現(xiàn)芯片中的缺陷,。光學(xué)檢測系統(tǒng)是晶圓廠的助力工具，在操作中,，晶圓片被插入監(jiān)測系統(tǒng)中,，光源產(chǎn)生照亮晶圓片的強(qiáng)光，收集光并數(shù)字化圖像,。該系統(tǒng)拍攝裸片時(shí),，將其與沒有缺陷的芯片進(jìn)行比較。

　　光學(xué)檢測系統(tǒng)不僅用于發(fā)現(xiàn)常見的物理缺陷,，還用于定位EUV隨機(jī)引起的缺陷,，與其他技術(shù)相比有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

　　“隨著生產(chǎn)實(shí)施和抗蝕能力的提高,，隨機(jī)引起的缺陷率得到顯著改善,，但它仍然存在?！盞LA過程控制解決方案主管Andrew Cross說：“隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷,，無論圖案類型如何都可能發(fā)生。我們看到傳統(tǒng)的CD和較新的熱點(diǎn)電子束計(jì)量都無法在如此低的缺陷密度范圍內(nèi)單獨(dú)標(biāo)記這些缺陷,。這推動(dòng)了對大面積和高覆蓋率檢測的需求,，并具有捕捉關(guān)鍵圖案缺陷的敏感性——光學(xué)檢測系統(tǒng)支持的要求，特別是寬帶等離子光學(xué)檢測,?！?/p>

　　隨機(jī)效應(yīng)的本質(zhì)是隨機(jī)，往往以最高頻率影響弱模式,?！耙虼耍枰行У倪M(jìn)程窗口發(fā)現(xiàn)是至關(guān)重要的,，”Cross說：“進(jìn)程窗口通常能夠識(shí)別在焦點(diǎn)和劑量方面最薄弱的結(jié)構(gòu),，由于一個(gè)特定結(jié)構(gòu)通常在一個(gè)設(shè)計(jì)中重復(fù)數(shù)千或數(shù)萬次,，因此預(yù)測哪個(gè)可能由于設(shè)計(jì)本身、掩膜或其他工藝交互而失敗,，跨芯片或跨晶圓,，同樣需要高覆蓋率的光學(xué)檢測技術(shù)。

　　隨機(jī)性通常發(fā)生在系統(tǒng)學(xué)單獨(dú)定義的過程窗口內(nèi),，電子束或光學(xué)監(jiān)測都可以提供有效的解決方案,，具體取決于隨機(jī)性的水平及其對特定設(shè)計(jì)的影響。在這個(gè)發(fā)現(xiàn)過程中,，我們可以嘗試區(qū)分隨機(jī)性和純系統(tǒng)缺陷,。系統(tǒng)性通常影響設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中的同一點(diǎn)，例如,，特定的角點(diǎn)或線端,。隨機(jī)變量影響最普遍的弱結(jié)構(gòu)，但它們不會(huì)影響設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)鐘的同一點(diǎn),。準(zhǔn)確的基于設(shè)計(jì)的分塊有助于區(qū)分隨機(jī)性和系統(tǒng)性,。”

　　除了隨機(jī)性的檢查和經(jīng)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)之外,，模擬還可以成為預(yù)測隨機(jī)性的關(guān)鍵推動(dòng)因素,。“至于通過模擬預(yù)測隨機(jī)性,，有效且準(zhǔn)確的模型是最大的挑戰(zhàn),。基于模型的全芯片隨機(jī)缺陷率預(yù)測可能是一種有效的策略,，這取決于準(zhǔn)確性和速度,。這里的挑戰(zhàn)是保持基于物理模型的準(zhǔn)確性，并具有足夠的吞吐量來覆蓋設(shè)備,，”Cross 說,。

　　光學(xué)檢測也有一些優(yōu)勢?！肮鈱W(xué)檢測的優(yōu)勢在于它可以在短時(shí)間內(nèi)掃描完整的晶圓,。通過這種方式，可以測量每平方厘米的缺陷數(shù),，因此芯片制造商可以估算其芯片的良率,，”Imec的Ronse說?！肮鈱W(xué)檢測的分辨率可能不足以捕捉最小的缺陷,，尋找換行符是一項(xiàng)挑戰(zhàn)?！?/p>

　　同時(shí),，還有其他方法可以發(fā)現(xiàn)芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷,，即使用電子束技術(shù)的工具，例如 CD-SEM 和大規(guī)模CD計(jì)量,。

　　一些供應(yīng)商已經(jīng)開發(fā)了大量的CD計(jì)量工具,。基本上,，該工具是具有計(jì)量功能的增強(qiáng)型電子束檢測系統(tǒng),，它們使用戶能夠在更大的視野中發(fā)現(xiàn)缺陷。

　　在電子束檢測中,，晶圓片被裝入系統(tǒng),，該系統(tǒng)發(fā)出電子束，與被掃描材料中的電子相互作用,。這會(huì)發(fā)送回映射的信號,。電子束檢測具有比光學(xué)更好的分辨率,，但速度較慢,。

　　晶圓廠設(shè)備供應(yīng)商 Tasmit 是最新一家開發(fā)大規(guī)模CD計(jì)量系統(tǒng)的公司。Tasmit的新工具通過三個(gè)步驟識(shí)別EUV工藝中的缺陷,。

　　首先,，將工具設(shè)置為SEM模式；然后,，它執(zhí)行檢查和計(jì)量功能以從晶圓片收集缺陷和CD數(shù)據(jù),；最后，進(jìn)行大規(guī)模檢查和場內(nèi)CD計(jì)量步驟,。

　　使用16μm檢查模式,，可實(shí)現(xiàn)2.6 hr/mm? 的吞吐量?！拔覀円呀?jīng)在 32 納米線或間距圖案上顯示了平均CD和斷裂類型缺陷率之間的高度線性相關(guān)性,。此外，預(yù)計(jì)缺陷率低至0.89個(gè)缺陷/ mm?,，”來自Tasmit的 Seulki Kang 在一篇論文中說,。Imec 為這項(xiàng)工作做出了貢獻(xiàn)。

　　還有其他方法,。在最近的一篇論文中,，ASML描述了一種新的物理隨機(jī)邊緣放置誤差（SEPE） 模型的開發(fā)，這與其電子束檢測工具一起用于定位缺陷,。

　　SEPE模型包含多個(gè)影響輪廓不確定性的因素,，包括光信號分布、光子和光酸化學(xué)動(dòng)力學(xué),、抗蝕劑分布和工藝窗口,。

　　使用這個(gè)模型,，光刻模擬在整個(gè)芯片設(shè)計(jì)中運(yùn)行。然后,，生成隨機(jī)變化模型,。“根據(jù)模擬的 SEPE,，計(jì)算每個(gè)關(guān)鍵切割線位置的失效概率,。每個(gè)模式組的失敗概率定義為總體和缺陷概率的乘積。模式失效概率用于通過對缺陷嚴(yán)重性進(jìn)行排序來識(shí)別頂級熱點(diǎn),，”來自 ASML 的 ChangAn Wang 在最近的一篇論文中說,。“然后,，頂部熱點(diǎn)的位置用于指導(dǎo)檢測工具查找晶圓上的缺陷并驗(yàn)證故障概率預(yù)測,。”

　　與此同時(shí),，多年來,，臨界尺寸掃描電子顯微鏡 （CD-SEM） 一直是晶圓廠的主要計(jì)量工具。CD-SEM 還用于測量芯片中的 LER,。

　　CD-SEM 的工作方式類似于電子束工具,，可以有許多應(yīng)用。但是對于 LER 測量,，CD-SEM 有時(shí)容易在結(jié)果上出現(xiàn)錯(cuò)誤偏差,。

　　最近，F(xiàn)ractilia 推出了一種軟件工具來克服這些測量 LER 的問題,，該工具稱為 MetroLER,，可與來自不同供應(yīng)商的 CD-SEM 協(xié)同工作。

　　Fractilia 的技術(shù)分離了由偏差引起的 CD-SEM 錯(cuò)誤,。然后,，它使用稱為功率譜密度 （PSD） 的技術(shù)預(yù)測粗糙度的影響?！癙SD 是一種數(shù)學(xué)技術(shù),，用于統(tǒng)計(jì)表征粗糙邊緣，”Fractilia 的 Mack 解釋說,。

　　Fractilia現(xiàn)在正在解決另一個(gè)圖案化挑戰(zhàn)——接觸孔,。在最近的一篇論文中，F(xiàn)ractilia和 Imec描述了使用 MetroLER 分析接觸孔的自動(dòng)化方法的開發(fā),。

　　在一項(xiàng)研究中,，研究人員分析了間距從 46nm到 56nm的孔?！笆褂肕etroLER實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化分解步驟的目標(biāo),，從而減少了花費(fèi)的時(shí)間和出錯(cuò)的可能性,，”Imec的研究員Joren Severi 說。

　　同時(shí),，還有另一種尋找隨機(jī)缺陷的解決方案——電氣測試,。為此，您可以在結(jié)構(gòu)上圖案化接觸,，然后對結(jié)構(gòu)進(jìn)行電氣測試,。

　　“這些是常規(guī)的在線電氣測試，如果某些線路斷線或橋接,，測得的電阻會(huì)表明存在故障,。可以大面積覆蓋,，測量速度非?？欤盜mec的Ronse說,。

　　結(jié)論

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　　EUV很重要,，它使行業(yè)能夠在下一個(gè)節(jié)點(diǎn)對設(shè)備進(jìn)行模式化。但是,，有時(shí)EUV會(huì)出現(xiàn)缺陷和故障,。因此，從一開始就采取預(yù)防措施很重要,。