在過(guò)去的一周里,，臺(tái)積電舉辦了 2021 年技術(shù)研討會(huì),，涵蓋了其在工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)方面的最新發(fā)展,，旨在為客戶提高性能,、成本和能力,。在這次活動(dòng)中,，臺(tái)積電討論了其在制造中越來(lái)越多地使用極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)，使其能夠縮小到其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn),，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。臺(tái)積電還解決了當(dāng)前圍繞半導(dǎo)體需求的問(wèn)題,，并宣布正在建設(shè)用于先進(jìn)封裝生產(chǎn)的新工廠,。與首席執(zhí)行官 CC Wei 博士一起參加主題演講的還有 AMD 首席執(zhí)行官 Lisa Su 博士、高通公司總裁（即將成為首席執(zhí)行官）Cristiano Amon 以及 Ambiq 的創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Scott Hanson,。

　　作為會(huì)議的一部分,，臺(tái)積電為AnandTech提供了對(duì)業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 博士和臺(tái)積電歐盟總裁 Maria Marced 博士的 30 分鐘采訪，以此作為了解更多臺(tái)積電發(fā)展方向和合作的機(jī)會(huì)與行業(yè)合作伙伴,。臺(tái)積電確實(shí)要求我們僅就技術(shù)問(wèn)題和與其技術(shù)研討會(huì)上的公告相關(guān)的問(wèn)題進(jìn)行提問(wèn),，而不是討論當(dāng)前的全球政治話題,。

　　Kevin Zhang 博士從設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)提拔后，擔(dān)任臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁已近一年,。在加入臺(tái)積電之前,，張博士作為英特爾院士在英特爾工作了 11 年，成為技術(shù)與制造事業(yè)部的副總裁以及電路技術(shù)總監(jiān),。張博士在技術(shù)會(huì)議和研究期刊上發(fā)表了 80 多篇論文,，擁有 55 項(xiàng)集成電路技術(shù)專利，并擁有電氣工程博士學(xué)位,。張博士將擔(dān)任 ISSCC 2022 的會(huì)議主席,。

　　Maria Marced 博士是臺(tái)積電歐洲總裁，負(fù)責(zé)推動(dòng)公司在該地區(qū)的戰(zhàn)略和發(fā)展,，自 2007 年以來(lái)一直擔(dān)任該職位,。在此之前，Marced 博士在 NXP 工作了 4 年,，在英特爾工作了 19 年,。并擔(dān)任類似的最高職位。Marced 博士擔(dān)任 GSA（全球半導(dǎo)體聯(lián)盟）的 EMEA 領(lǐng)導(dǎo)委員會(huì)主席,，是 CEVA 董事會(huì)成員,，并擁有電信工程博士學(xué)位。

　　以下為采訪原文,。

　　處于領(lǐng)先地位的臺(tái)積電

　　Ian Cutress：臺(tái)積電表示,，自 2019 年以來(lái)，它一直在內(nèi)部生產(chǎn) EUV 薄膜（EUV pellicle ）,，而臺(tái)積電現(xiàn)在正在大幅增加薄膜的生產(chǎn),。在制造中的使用范圍有多大，它如何進(jìn)一步提升臺(tái)積電相對(duì)于其他晶圓廠的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),？

　　Kevin Zhang：我們顯然已經(jīng)在內(nèi)部投資了這個(gè)領(lǐng)域,，我認(rèn)為這對(duì)我們來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)非常獨(dú)特的技術(shù)。我們能夠利用它來(lái)實(shí)現(xiàn)我們的 EUV 大規(guī)模生產(chǎn),。如果你看看我們?cè)?7 nm,、6 nm 和現(xiàn)在的 5 nm 上運(yùn)行的方式，所有這些都使用 EUV,，顯然我們?nèi)〉昧司薮蟮倪M(jìn)步,。所以這絕對(duì)是我們認(rèn)為我們憑借獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)做得很好的領(lǐng)域。

　　Maria Marced：有一件事,，因?yàn)槲以诎⒛匪固氐?，所以我們與 ASML 比較接近——我們接受過(guò)他們的特殊培訓(xùn)。我可以告訴你，在內(nèi)部進(jìn)行這種生產(chǎn)確實(shí)可以讓我們延長(zhǎng)mask的使用壽命,。通常在 EUV 中,，掩膜會(huì)變臟，因此,，在較短的期限內(nèi),，這確實(shí)有助于我們提高 EUV 和掩膜的生產(chǎn)率。

　　IC：那么,，在現(xiàn)場(chǎng)使用它意味著您購(gòu)買mask的流程減少了,，并且由于流程減少而變得更少被污染？

　　MM：沒(méi)錯(cuò),。

　　IC：我們通常將復(fù)雜的專業(yè)技術(shù)與領(lǐng)先的客戶聯(lián)系起來(lái),。考慮到這些客戶往往是低個(gè)位數(shù),，與開(kāi)發(fā)和探索新技術(shù)相比,，臺(tái)積電如何平衡開(kāi)發(fā)客戶需要的封裝技術(shù)？

　　KZ：例如,，在領(lǐng)先節(jié)點(diǎn),，我們一直是領(lǐng)先者——技術(shù)領(lǐng)先者。我們希望繼續(xù)推動(dòng)硅技術(shù)的進(jìn)步,，并與主要客戶合作以優(yōu)化我們的技術(shù),。所以這絕對(duì)是我們繼續(xù)推動(dòng)未來(lái)增長(zhǎng)的領(lǐng)域。但話雖如此,，我仍然認(rèn)為專業(yè)技術(shù)在我們?yōu)榭蛻籼峁┑恼w技術(shù)中也起著非常重要的作用,。我們的許多客戶無(wú)法在沒(méi)有 20 nm 配套芯片的情況下交付基于 5 nm 的單個(gè)芯片。例如,，如果您查看手機(jī),，就會(huì)發(fā)現(xiàn)有多個(gè)芯片和許多配套芯片。汽車也是一樣——你有一個(gè)先進(jìn)的芯片,，但你也需要大量基于成熟技術(shù)的微控制器,。

　　所以我認(rèn)為我們?cè)谄胶馕覀兊恼w技術(shù)開(kāi)發(fā)工作方面做得很好。在過(guò)去的幾十年里,，我們對(duì)成熟的技術(shù)進(jìn)行了大量投資,。如果您查看我們的整體技術(shù)路線圖，我們會(huì)提供當(dāng)今市場(chǎng)上最先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)產(chǎn)品,。我認(rèn)為Maria 可能會(huì)從歐洲的角度添加一些顏色,。

　　MM：我唯一要補(bǔ)充的是，了解客戶的系統(tǒng)復(fù)雜性對(duì)我們來(lái)說(shuō)非常重要,。此外，特別是通過(guò)這些技術(shù)來(lái)完成整個(gè)系統(tǒng)的物料清單，它有助于我們更好地了解系統(tǒng)架構(gòu)的發(fā)展方式,，從而為我們的客戶做得更好,。

　　IC：那么其中有多少取決于客戶的具體要求，而不是研究客戶還不知道他們需要的新技術(shù),？

　　KZ：例如,，從組織的角度來(lái)看，我們有一個(gè)單獨(dú)的團(tuán)隊(duì),。我們有一個(gè)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì),，一個(gè)研究下一代的研究團(tuán)隊(duì)。我們真的很期待探索不同的事物,。它還需要大量的市場(chǎng)投入和客戶投入,。幫助指導(dǎo)一些探索性工作。所以這是一個(gè)非常動(dòng)態(tài)的過(guò)程,，在我們之間,、我們內(nèi)部以及我們與客戶之間非常互動(dòng),。

　　IC：臺(tái)積電已經(jīng)非常明確地表示,，會(huì)繼續(xù)使用 FinFET，直至 3 nm,，并在 2 nm 時(shí)轉(zhuǎn)向 Gate-All-Around,。相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在發(fā)展的早期階段已經(jīng)轉(zhuǎn)向 GAA,。您能否描述臺(tái)積電如何權(quán)衡其希望處于這些先進(jìn)技術(shù)的領(lǐng)先地位,，以及為其生產(chǎn)線保持相同的 FinFET？

　　KZ：我們選擇 FinFET 技術(shù)作為 3 nm 的原因有兩個(gè),。

　　第一,，我們必須想辦法將技術(shù)改進(jìn)為更高的能效、更高的性能和內(nèi)部密度,。終端客戶其實(shí)并不關(guān)心它是 FinFET 還是 Nanosheet,。他們想從產(chǎn)品的角度來(lái)看待它——可以為客戶帶來(lái)什么樣的功率、性能和密度優(yōu)勢(shì),。最后才是最重要的,。所以我們看看我們的 FinFET 技術(shù)，我們看看我們的創(chuàng)新能力,，我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)非常強(qiáng)大的旋鈕,，一個(gè)創(chuàng)新的旋鈕，它允許我們將 FinFET 技術(shù)擴(kuò)展到 3 nm,，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性的全節(jié)點(diǎn)縮放優(yōu)勢(shì),。這就是第一個(gè)原因。

　　第二個(gè)原因也是時(shí)間表。我們希望確保在合適的時(shí)間,，我們能夠提供最先進(jìn)的技術(shù),。因此，從先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的角度來(lái)看,，可預(yù)測(cè)性非常重要,。我們的客戶非常重視日程安排！因此,，將兩者結(jié)合起來(lái),，我們決定繼續(xù)使用 3nm 的 FinFET。我們相信在 2022 年至 2023 年的時(shí)間范圍內(nèi),，我們的 3 nm 將為市場(chǎng)帶來(lái)最先進(jìn)的邏輯技術(shù),。

　　IC：您如何平衡推動(dòng)工藝密度與設(shè)計(jì)復(fù)雜性，例如 1D 與 2D 金屬布線,？目前領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)有哪些可能性,？

　　KZ：我們查看所有不同的指標(biāo)。歸根結(jié)底,，我們會(huì)真正考慮產(chǎn)品級(jí)別,、系統(tǒng)級(jí)別以及我們可以為客戶帶來(lái)什么樣的整體擴(kuò)展優(yōu)勢(shì)。當(dāng)我談到擴(kuò)展優(yōu)勢(shì)時(shí),，我指的是整體功耗/性能和成本,。這必須在系統(tǒng)級(jí)別完成，而不僅僅是在芯片級(jí)別,。

　　過(guò)去,，二維縮放主導(dǎo)了一切，但現(xiàn)在我們必須更多地關(guān)注系統(tǒng)層面,。例如,，您注意到我們花費(fèi)了大量精力和投資來(lái)開(kāi)發(fā)芯片級(jí)集成方案：我們有 2D、2.5D 和 3D 向前發(fā)展,。這一切都在發(fā)揮作用,，為未來(lái)提供一個(gè)完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案。我想你會(huì)看到越來(lái)越多基于先進(jìn)的芯片級(jí)集成技術(shù)的應(yīng)用,。晶體管的開(kāi)發(fā)仍然很重要,，不要搞錯(cuò)，這將繼續(xù)非常非常重要,。為客戶提供最好的節(jié)能晶體管仍然非常重要,，但這還不夠。

　　我們著眼于系統(tǒng)級(jí)別的整體擴(kuò)展,。在技術(shù),、技術(shù)的不同方面和產(chǎn)品系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)之間進(jìn)行了大量的協(xié)同優(yōu)化,。

　　IC：隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，金屬層上的電阻變得越來(lái)越成問(wèn)題,。關(guān)于創(chuàng)新的解決方案,，以及奇特的材料與銅互連，這只是在這方面進(jìn)行更多研究的一個(gè)案例嗎,？或者我們是否需要付出更多的努力來(lái)增加和布線更高的金屬層？

　　KZ：我認(rèn)為在我們先進(jìn)技術(shù)介紹的研究會(huì)議上,，我們確實(shí)介紹了一些后端工作,。例如，我們正在繼續(xù)優(yōu)化銅晶界（  copper grain boundary）,，為我們的整體芯片技術(shù)和新技術(shù)帶來(lái)更低電阻的金屬線,。此外，對(duì)于電介質(zhì),，我們繼續(xù)尋找創(chuàng)新材料來(lái)改善寄生電容中的電介質(zhì),。所以，這些東西正在被積極研究,。

　　3D 集成還可以為后端的整個(gè)性能要求提供替代解決方案,。您可以改為在 2 維空間中從 A 路由到 B，或者可以在 3 維中將 A 垂直路由到 B,。在某些情況下,，通過(guò)垂直走線，您可以減少 RC 線的總長(zhǎng)度,，并顯著減少通過(guò)延遲,。所以所有這些事情都必須向前看。

　　IC：所以看看新技術(shù),，當(dāng)我們超越 Gate-All-Around 時(shí),，兩個(gè)最有前途的技術(shù)是 2D 晶體管和碳納米管。臺(tái)積電最近發(fā)布了一篇關(guān)于二維晶體管新發(fā)展的論文,，引起了很多媒體的關(guān)注,。你能評(píng)論一下看起來(lái)更有希望的嗎？

　　KZ：所有這些先進(jìn)的晶體管材料都有一定的優(yōu)勢(shì),。這就是為什么我們花費(fèi)早期的研發(fā)努力來(lái)探索這些,，但那些仍然很遙遠(yuǎn)。還有很多事情需要更好地理解,，尤其是將這些新材料,、新架構(gòu)帶入大規(guī)模制造基地需要付出巨大努力。所以我們還有很多工作要做,。但好消息是我們并不缺乏新的想法,。我們正在探索的新事物很多,，它們都有一定的優(yōu)勢(shì)。因此,，我們只需要弄清楚如何將它們整合在一起,，為我們未來(lái)客戶的應(yīng)用程序提供最引人注目的整體技術(shù)解決方案。

　　IC：關(guān)于與 ASML 合作的研究,，他們談到了未來(lái)的 EUV 發(fā)展,，例如High NA（數(shù)值孔徑）光學(xué)。他們一直在和我們談?wù)撨@件事,！但作為其延伸,，您能否談?wù)勁_(tái)積電在后 EUV 技術(shù)方面必然會(huì)做些什么？

　　KZ：我們著眼于所有不同的技術(shù)選項(xiàng),。我們?cè)跁?huì)議上談到了材料創(chuàng)新,，將新材料集成到硅上，使我們能夠?qū)崿F(xiàn)更好的傳導(dǎo)和更節(jié)能的晶體管,。這些是我們擁有研究團(tuán)隊(duì)和早期研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)開(kāi)發(fā)和探索所有不同選擇的重要領(lǐng)域,。

　　在光刻方面，顯然它仍然是縮放幾何形狀的一個(gè)非常重要的部分,。因此,，我們確實(shí)有一個(gè)團(tuán)隊(duì)也在研究如何最大化 EUV，以在未來(lái)打印更緊密的間距,。所有這些都在為技術(shù)選擇的未來(lái)而探索,。

　　沖出亞洲

　　IC：關(guān)于這些最先進(jìn)的技術(shù)和領(lǐng)先的能力，在歐洲,，我們聽(tīng)說(shuō)臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在投資他們的歐洲工廠,。我們不一定從臺(tái)積電那里聽(tīng)說(shuō)過(guò)同樣的事情。這有什么特別的原因嗎,？或者有什么要宣布的嗎,？

　　MM：嗯，我們不排除任何事情,。但是,，今天，我沒(méi)有任何細(xì)節(jié)可以與您分享,！

　　IC：關(guān)于您的歐洲客戶 ,，只有少數(shù)處于領(lǐng)先地位？他們中的大多數(shù)都依賴于較舊的工藝技術(shù),、專業(yè)技術(shù)——例如德國(guó)的大型汽車工業(yè),。我們不一定看到有很多希望從歐洲業(yè)務(wù)中脫穎而出。你能評(píng)論嗎,？

　　MM：歐洲的主要領(lǐng)域是汽車,、工業(yè),，但歐洲也非常重要的領(lǐng)域是物聯(lián)網(wǎng) （IoT）。這些細(xì)分市場(chǎng)需要的技術(shù)更多是專業(yè)方面的,，更多的是先進(jìn)的,，不僅是成熟的，而且是先進(jìn)的技術(shù),。

　　IC：我們顯然看到了對(duì)人工智能的大量半導(dǎo)體需求,。很多客戶都想要領(lǐng)先的解決方案，但也有很多對(duì)更成熟節(jié)點(diǎn)上的邊緣產(chǎn)品的需求,。您能否談?wù)勗谌斯ぶ悄芊矫娴男枨笕绾巫兓矫娴陌l(fā)展,，也許提到歐盟，因?yàn)橹袊?guó)和北美受到關(guān)注,？

　　MM：嗯，即使在英國(guó),，你也有優(yōu)秀的 AI 公司,！您知道其中之一是我們多項(xiàng)計(jì)劃的早期采用客戶之一（Ian：Graphcore 已經(jīng)宣布與臺(tái)積電在 3nm 上合作）。但同樣在以色列,，我們看到了很多圍繞人工智能的活動(dòng),。因此，在歐洲,、中東和非洲,，我們看到人們對(duì)人工智能非常感興趣，甚至歐盟也有一些活動(dòng)傾向于他們所謂的歐洲處理器計(jì)劃 （ EPI ）,，該計(jì)劃圍繞人工智能的使用展開(kāi),。

　　所以是的，我們看到了很多活動(dòng),。事實(shí)上,，今天我很自豪，在我在會(huì)議上的演講中,，我收到了來(lái)自巴塞羅那大學(xué)的 Matteo Vallejo 的一封電子郵件,，該大學(xué)對(duì)人工智能非常感興趣。所以當(dāng)然,，中國(guó)和美國(guó)在高性能計(jì)算方面總是非常先進(jìn),，但我們也看到歐洲對(duì)人工智能有很多興趣，以及大量的 VC 資金,。

　　IC：臺(tái)積電喜歡宣傳收入來(lái)自哪里,，從北美獲得的收入比例似乎在增加，以犧牲歐洲的比例為代價(jià),。我們應(yīng)該考慮歐洲是否有任何逆風(fēng)或順風(fēng),？

　　MM：我認(rèn)為主要原因是因?yàn)闅W洲的主要細(xì)分市場(chǎng)是汽車,、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)。這些細(xì)分市場(chǎng)仍在使用成熟的先進(jìn)技術(shù)和專業(yè)技術(shù),，而且很多這些終端產(chǎn)品的平均售價(jià)較低,，這在收入百分比方面造成了很大差異。這是如何向前發(fā)展的,？快速,，因?yàn)槠嚭凸I(yè)，特別是作為工業(yè) 4.0 和物聯(lián)網(wǎng)的一部分,，是因?yàn)?AI 產(chǎn)品正在快速轉(zhuǎn)向更先進(jìn),、更前沿的技術(shù)。所以我真的很期待這個(gè)比例在未來(lái)會(huì)發(fā)生很大的變化,。

　　IC：臺(tái)積電擁有三個(gè)主要地理區(qū)域 ——臺(tái)積電亞洲,、臺(tái)積電北美和臺(tái)積電 EMEA。這些獨(dú)立組織彼此之間有多少——發(fā)生了多少協(xié)作,？鑒于公司經(jīng)常在全球或多個(gè)市場(chǎng)開(kāi)展業(yè)務(wù),，拆分是否正確？

　　MM：哦,，這是一個(gè)有趣的問(wèn)題,！我真的相信公司是集中的，在英特爾工作了很多年（Maria在英特爾工作了 19 年）,，我真的相信公司是集中的,，并且有一個(gè)來(lái)自公司領(lǐng)導(dǎo)層的方向。所以我們根本就不是獨(dú)立的組織,！我們非常依賴對(duì)方,，我可以告訴你我通常大部分時(shí)間都在臺(tái)灣旅行——現(xiàn)在與臺(tái)灣進(jìn)行視頻會(huì)議。但是我們絕對(duì)有一個(gè)方向,，而且我們可以很好地互補(bǔ),。我認(rèn)為歐洲正在帶來(lái)一些不同的東西，它更多地關(guān)注和圍繞專業(yè),。這是我們發(fā)揮關(guān)鍵作用的地方,。我們真的是一家有一個(gè)方向的公司。

　　建設(shè)和擴(kuò)張

　　IC：轉(zhuǎn)向封裝,，公司首席執(zhí)行官提到臺(tái)積電有五個(gè)晶圓廠支持 SoIC 和一個(gè)新的晶圓廠,，產(chǎn)能更大。通常我們每個(gè)月都會(huì)測(cè)量晶圓的生產(chǎn)晶圓廠,，那么我們應(yīng)該如何考慮這些新的 SoIC 設(shè)施的吞吐量,？

　　KZ：我不能給你一個(gè)具體的產(chǎn)能數(shù)字，但我只能說(shuō)我們真的在投資我們的后端能力和產(chǎn)能,。這是因?yàn)槲覀兇_實(shí)看到了一個(gè)趨勢(shì),，即越來(lái)越多的客戶希望利用我們的高級(jí)封裝選項(xiàng),，包括 CoWoS、InFO 以及未來(lái)的具有 3D 集成的 SoIC,。因此,，這就是為什么我們不僅要在研發(fā)方面進(jìn)行投資，還要在產(chǎn)能方面進(jìn)行投資,，為未來(lái)的增長(zhǎng)做準(zhǔn)備,。

　　對(duì)于 3D 封裝產(chǎn)能指標(biāo)，這取決于您所做的配置類型,。有時(shí),，您可能會(huì)使用更成熟的節(jié)點(diǎn)集成一個(gè)非常先進(jìn)的小芯片，并減去一個(gè)或減去兩個(gè)節(jié)點(diǎn),，因此您可能必須以不同的方式計(jì)算總體積,。這一切都取決于具體的產(chǎn)品配置。也許在未來(lái),，我們將不得不想出一種方法來(lái)更好地衡量數(shù)量并報(bào)告數(shù)字,。對(duì)于定義體積，當(dāng)你談到3D集成時(shí),，可能是我們計(jì)算最終集成部件的數(shù)量。

　　IC：臺(tái)積電目前有四家封裝廠,，第五家（稱為AP6）正在淳安（Chunan）建設(shè),。AP6 將擁有臺(tái)積電全球 50% 以上的封裝產(chǎn)能。將臺(tái)積電所有封裝的大部分集中在一個(gè)區(qū)域是否有任何積極或消極的影響,？

　　KZ：我們做了很多平衡——建立更大規(guī)模的制造設(shè)施對(duì)我們來(lái)說(shuō)是一個(gè)優(yōu)勢(shì),。我想你可能已經(jīng)知道我們今天在大規(guī)模建造 Gigafabs。我認(rèn)為這是我們可以為客戶帶來(lái)的關(guān)鍵經(jīng)濟(jì)效益,，降低成本,，也將轉(zhuǎn)嫁給客戶。但是我們必須考慮如何將其傳播到不同的地方,。我們正在這樣做,，以確保我們保持一定的平衡。同樣,，我們正在離臺(tái)灣很遠(yuǎn)的亞利桑那州建廠,！

　　IC：說(shuō)到封裝和 OSAT 瓶頸。當(dāng)與我們的聽(tīng)眾交談時(shí),，他們中的一些人似乎認(rèn)為這是晶圓吞吐量造成的,，而其中一些人認(rèn)為這歸結(jié)為封裝吞吐量。我不一定想問(wèn)你哪一個(gè)是最瓶頸的,，但我想問(wèn)問(wèn)臺(tái)積電如何提高客戶訂單的吞吐量,。我們已經(jīng)談到了臺(tái)積電擴(kuò)大其封裝能力,，但臺(tái)積電在這里能做些什么？

　　KZ：我認(rèn)為在技術(shù)方面,，您的讀者希望將其視為晶圓技術(shù)是瓶頸,，或者封裝技術(shù)是瓶頸。實(shí)際上,，我的看法是我們?nèi)绾握业阶罴呀鉀Q方案,，在系統(tǒng)級(jí)別將所有部分組合在一起，以提供最佳結(jié)果,。如果你回顧一下半導(dǎo)體技術(shù),，它是從二維事物開(kāi)始的，摩爾定律是關(guān)于晶體管密度,、縮放比例和經(jīng)濟(jì)性的,。但是現(xiàn)在，隨著我們向前發(fā)展,，我看到整個(gè)行業(yè)都在朝著更高水平的集成發(fā)展,。在 ISSCC 等技術(shù)會(huì)議上，您會(huì)看到人們不僅談?wù)摼w管級(jí)設(shè)計(jì),，還談?wù)撓到y(tǒng)級(jí)性能,，以及如何將所有功能和所有部件組合在一起。將來(lái),，我認(rèn)為這種趨勢(shì)將繼續(xù)下去,，因此真正要與您的客戶合作，針對(duì)他們給定的產(chǎn)品應(yīng)用,，考慮到他們獨(dú)特的系統(tǒng)級(jí)要求,，以及如何以最佳方式將所有部分組合在一起。這就是我對(duì)未來(lái)的看法,。

　　MM：我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新,。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式，允許他們進(jìn)行創(chuàng)新,，同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新,。

　　IC：DTCO（設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分。DTCO 是否變得越來(lái)越復(fù)雜,，或者隨著臺(tái)積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過(guò)程,，它是否正在加速？你能談?wù)剢幔?/p>

　　MM：我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新,。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式,，允許他們進(jìn)行創(chuàng)新，同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新。

　　IC：DTCO（設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分,。DTCO 是否變得越來(lái)越復(fù)雜,，或者隨著臺(tái)積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過(guò)程，它是否正在加速,？你能談?wù)剢幔?/p>

　　KZ：我認(rèn)為我們的客戶在過(guò)去幾代人的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化中受益匪淺,。展望未來(lái)，將有更多 DTCO 要做,，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶更渴望和愿意與我們合作,，以收獲內(nèi)在的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。我認(rèn)為這種趨勢(shì)將繼續(xù)下去,，我認(rèn)為即使到那時(shí),，未來(lái)的努力也會(huì)更加有力。由于它們需要在技術(shù)和設(shè)計(jì)之間更加緊密地交織在一起,，您可以稱之為更難嗎,？我認(rèn)為它會(huì)變得更加微妙，我們需要與我們的客戶更密切地合作,，共同優(yōu)化事情?，F(xiàn)在您還有高級(jí)封裝，因此系統(tǒng)如何劃分其技術(shù)可能會(huì)有所不同,。如果你有一個(gè)小芯片,，你如何從一開(kāi)始就在系統(tǒng)級(jí)別構(gòu)建它，