海外研究機(jī)構(gòu)Canalys于2021年5月5日公布了第一季度全球電腦市場報告:全球電腦市場出貨量同比增長53.1%,,達(dá)到了1.221億臺。在這其中,,谷歌的Chromebook增長最為明顯,,出貨量1200萬臺,同比增長274.6%,。除此之外,,平板電腦增長51.7%,出貨量3970萬臺,。
PC及平板電腦的出貨量大漲,,對于DDR內(nèi)存的需求也增大,在DDR5已經(jīng)開始推向市場的當(dāng)口,,本文較為詳細(xì)介紹了DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),、國內(nèi)外DDR5產(chǎn)品的上市時間,以及性能和價格的波動,,為消費者選擇DDR4還是即將普及的DDR5做參考,,同時也為市場提供DDR5的相關(guān)參考。
2020年7月:DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
盡管在2017年,,負(fù)責(zé)計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn),,鎂光、三星等廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品,,甚至在去年幾個廠商都已經(jīng)開始逐漸量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,。但是直到2020年7月,,JEDEC才正式發(fā)布了DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn),而且起跳就是4800MHz,,這比原先想象的要高出不少,。
DDR5標(biāo)準(zhǔn)
據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會介紹,全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將為開發(fā)人員提供兩倍性能并大大提高電源效率,。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,,最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps,與之對比,,在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps,。此外,DDR5也改善了DIMM的工作電壓,,將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,,能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。
在內(nèi)存密度方面,,DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit,,這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度,,再結(jié)合多芯片封裝技術(shù),,可以實現(xiàn)最高40個單元的堆疊,如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB,。
如上圖所示,,在針腳設(shè)計上,DDR5內(nèi)存將保持與DDR4相同的288個引腳數(shù),,但因為其采用了雙通道設(shè)計,,對應(yīng)引腳布局也發(fā)生了一些改變,故DDR4內(nèi)存和DDR5產(chǎn)品是無法兼容的,。這代表著用戶要想使用最新的DDR5內(nèi)存,,需要更換支持該標(biāo)準(zhǔn)的最新款主板才行,。
量產(chǎn)計劃
實際上,,最早公布DDR5量產(chǎn)計劃的內(nèi)存廠商是Rambus,早在2017年Rambus就宣稱已經(jīng)在實驗室完成了DDR5內(nèi)存的研發(fā),,并打算在2019年量產(chǎn),,但是顯然Rambus的計劃并沒有能夠?qū)崿F(xiàn)。在2019年宣布量產(chǎn)DDR5內(nèi)存的廠商實際是鎂光和三星,。不過在之前的信息中,,DDR5內(nèi)存的規(guī)格是3200MHz和4800MHz兩種,而且內(nèi)存廠商也表示:即使DDR5是3200MHz的頻率,,帶寬也依然比DDR4 3200要高出36%,。所以大家一直以為DDR5內(nèi)存也會從3200MHz開始,。
不過在JEDEC公布的DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中,顯然和之前廠商公布的計劃和性能有了區(qū)別,。按照J(rèn)EDEC的說法,,DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍,首發(fā)將以4800MHz起,,頻率部分比DDR4 3200MHz增加了50%,,而總傳輸帶寬則提升了38%。而最關(guān)鍵的一點是,,DDR5內(nèi)存未來最高可達(dá)到的頻率為8400MHz,,這幾乎奠定了未來數(shù)年里DDR5內(nèi)存在PC領(lǐng)域不可動搖的位置。
而在其他方面,,根據(jù)公布的標(biāo)準(zhǔn)來看,,DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32,每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps,。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,,也就是減少功耗。此外,,芯片級別的ECC,、更好的設(shè)計伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能,、產(chǎn)能,、工藝水準(zhǔn)等。
此外在大家關(guān)注的容量問題上,,目前DDR5內(nèi)存單顆芯片可以達(dá)到64Gb,,也就是8GB,如果單面設(shè)計4顆芯片,,那么內(nèi)存容量可以達(dá)到32GB,,雙面則可達(dá)到64GB,如果單面做到8顆芯片,,那么容量最大則可達(dá)到128GB,。當(dāng)然至于內(nèi)存顆粒容量的設(shè)計,以及單條內(nèi)存最大的容量,,則需要廠商自己衡量,。從目前PC的發(fā)展來看,大內(nèi)存并不是剛需,,所以至少在初期,,單條DDR5內(nèi)存能做到16GB的容量就應(yīng)該能滿足用戶的需求了。應(yīng)該說在服務(wù)器上,大容量的DDR5內(nèi)存才有更多發(fā)揮的空間,。
至于DDR5內(nèi)存正式應(yīng)用在PC平臺的時間點,,現(xiàn)在來看用戶還需要等待一陣。即使是最激進(jìn)的AMD,,在明年的Zen 3+處理器上,,依然會使用DDR4內(nèi)存,而Intel明年發(fā)布的第十一代酷睿桌面處理器也會采用目前相同的針腳設(shè)計,,這意味著Intel也會繼續(xù)使用DDR4內(nèi)存,。AMD最早使用DDR5內(nèi)存的平臺將是今年的服務(wù)器平臺,但在民用PC平臺上要等待2022年的Zen 4架構(gòu)處理器才會用上DDR5,;至于Intel則要等到十二代酷睿桌面處理器才有希望用上DDR5內(nèi)存,,那也是2022年的事情。
所以不出意外的話,,市場要在2022年才能看到大量DDR5內(nèi)存以及支持DDR5內(nèi)存的平臺上市,。當(dāng)然,這并不妨礙現(xiàn)在廠商們就開始對DDR5的青睞,,AMD,、Intel、鎂光,、三星,、海力士等廠商紛紛為DDR5站臺表示全力支持,而鎂光和三星更是已經(jīng)開始正式量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,。雖然要等待2022年才能用上DDR5內(nèi)存,,不過Intel和AMD的新一代企業(yè)級平臺在下半年都將啟動,屆時都會采用DDR5服務(wù)器內(nèi)存,。
這樣看來,,反而是手機(jī)行業(yè)在內(nèi)存上走得比較快一點,至少現(xiàn)在LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)在旗艦手機(jī)上普及了,!等PC開始普及DDR5內(nèi)存的時候,,估計手機(jī)的內(nèi)存應(yīng)該進(jìn)化到LPDDR5X了
2021年3月:國內(nèi)首家DDR5內(nèi)存實測數(shù)據(jù)官宣!性能秒殺DDR4
距離JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會2012-09-26公布DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)接近9年的時間,。2020年7月,,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會也正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始,。
自2020年以來,,5G、AI,、汽車、電競市場需求的居高不下,,加速推動了DDR產(chǎn)品迭代以及技術(shù)升級,。DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后,,DDR5新技術(shù)應(yīng)用也受到業(yè)內(nèi)的強(qiáng)烈關(guān)注,2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代的快速發(fā)展的重要階段,。
作為眼下最前沿的存儲技術(shù),,DDR5可謂是風(fēng)光無兩。已經(jīng)有網(wǎng)友考慮是不是要等DDR5內(nèi)存產(chǎn)品出來再換新機(jī),?很明顯,,在可以預(yù)見的未來數(shù)年內(nèi),DDR5將為存儲市場再次注入無限活力,。到底DDR5是不是像標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范里說的這么強(qiáng)呢,?恐怕還得看看實測數(shù)據(jù)才能讓人信服。
DDR5內(nèi)存最高速率可達(dá)6400Mbps,,是DDR4的兩倍
2021年3月,,江波龍電子(以下簡稱“Longsys”)發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1),涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,,分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC,。在實測檢驗中,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升,。
全方位數(shù)據(jù)測試,,性能穩(wěn)定突出
Longsys DRAM研發(fā)經(jīng)過多年的積累,在DDR5新一代產(chǎn)品上率先開展測試技術(shù)投入,,此次測試特別選取了部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放,。其中,展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板,,搭配Longsys DDR5 32GB 內(nèi)存模組,,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù),。
?。ㄍㄟ^BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道)
魯大師測試數(shù)據(jù)首先呈現(xiàn)的是硬件配置,內(nèi)存識別為Longsys ID,。
魯大師測試中Longsys DDR5 32GB內(nèi)存的跑分高達(dá)19萬分有余
AIDA64測試數(shù)據(jù)通過測試,,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB內(nèi)存讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。
為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度,,還加入了DDR4的測試對比,。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,Longsys DDR5在性能上實現(xiàn)了很大的提升,。
核心指標(biāo)揭秘,,Longsys DDR5新技術(shù)強(qiáng)大之處
糾錯能力增加在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼(ECC),全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力,,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,,同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機(jī)制。
增加16n的預(yù)取模式BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,,信號能夠更完整高效地傳遞,。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發(fā)性,,并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍,。
端到端的接收模式的強(qiáng)化在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能,增加CA,、CS類信號也使用了ODT,。因此,Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號脈沖的反射干擾效應(yīng),,讓信號傳輸更加純凈,。
DDR5 Bank Group 翻倍DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍,并且每個Group的Bank數(shù)量保持不變,。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,,加倍提高了系統(tǒng)的整體效率,允許更多頁面同時被打開,。
SAME-BANK Refresh刷新模式Longsys DDR5根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)還實現(xiàn)了一個新特性,,稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank,,使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作,。
出色的內(nèi)存解決方案,對市場將形成全方位影響力
FORESEE DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)
未來的應(yīng)用場景不斷革新和進(jìn)步,,對存儲技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求,,亦大大加速了DDR5發(fā)展進(jìn)程,各大主流平臺對于DDR5的支持也推進(jìn)迅速,。據(jù)悉,,Intel方面預(yù)計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,,比如服務(wù)器,、云計算、數(shù)據(jù)中心,、高性能計算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域均有望得到重點部署,,此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。
Lexar雷克沙 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)
隨著全球大量資本進(jìn)入電競市場,,促進(jìn)了電競行業(yè)日漸普及與成熟,,這也讓電競玩家對內(nèi)存等電腦配件的性能有了更高的追求,。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗,,亦能帶動電競行業(yè)的可持續(xù)性發(fā)展,。非但如此,,對于白領(lǐng)用戶,,特別是設(shè)計師、剪輯師等對設(shè)備性能有剛需的職業(yè),,Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率,,將更多時間留給創(chuàng)造性工作。
Longsys緊跟存儲技術(shù)發(fā)展前沿,,為了滿足行業(yè)的專業(yè)人士以及廣大用戶對未來產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,,進(jìn)而為存儲行業(yè)應(yīng)用的未來提供更多可能性。此外,,Longsys旗下技術(shù)型存儲品牌FORESEE以及高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應(yīng)用領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的支持,。
盡管Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線起步較晚,但能夠在技術(shù)創(chuàng)新的征途上愈戰(zhàn)愈勇,,源于Longsys專注存儲行業(yè)20余年的技術(shù)底蘊,,以及打造高品質(zhì)存儲產(chǎn)品的決心。截止2021年3月12日,,Longsys申請專利總數(shù)達(dá)到838個,,其中境外專利申請178項;已授權(quán)且維持有效專利411項,、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項,;軟件著作權(quán)65項。在緊握自主創(chuàng)新能力的同時,,注重對知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù),。
在大家重點關(guān)注的2021年,Longsys將會給用戶提供更多DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務(wù),,助力行業(yè)客戶,、終端用戶投入DDR5到未來的應(yīng)用場景中,為存儲生態(tài)領(lǐng)域增添色彩,。
2021年3月:宇瞻宣布推動成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟
三星,、美光、SK海力士的DDR5芯片已經(jīng)出樣測試了,,DDR5內(nèi)存模組也有產(chǎn)品亮相,,就是還需等待平臺支持。
內(nèi)存大廠宇瞻宣布推動成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟,,公布DDR5全產(chǎn)品線發(fā)展藍(lán)圖,,涵蓋服務(wù)器,、工業(yè)級、消費型與電競四大類別,。
宇瞻表示,,為了讓DDR5內(nèi)存盡快落地,除了支持平臺之外,,零部件整合與測試的作用也不可小視,。
在DDR5生態(tài)聯(lián)盟中,從DRAM芯片顆粒,、CPU,、主板,關(guān)鍵零組件如PCB,、RCD,、DB、電源管理IC,、SPD Hub與溫度感測器,,到測試軟件與SPD燒錄器,聯(lián)盟將以群策群力的方式整合DDR5關(guān)鍵技術(shù)驗證,,加速上下游伙伴技術(shù)發(fā)展及深化,,成功打造目前最接近量產(chǎn)的DDR5芯片。
根據(jù)宇瞻的消息,,他們的DDR5內(nèi)存首先會選擇UDIMM規(guī)格,,接著是RDIMM、SODIMM,,也就是PC桌面級內(nèi)存先發(fā),,然后才是服務(wù)器、筆記本市場,。
DDR5支持平臺主要是Intel的12代酷睿Alder Lake系列,,服務(wù)器級的Sapphire Rapids-SP,AMD的平臺主要是Zen4架構(gòu)EPYC,,也是下下代的Genoa,,預(yù)計在2022年問世。
至于產(chǎn)品的上市時間,,DDR5內(nèi)存將在今年下半年開始送樣,,2022年才會大規(guī)模量產(chǎn)。
2021年4月:首批國產(chǎn)阿斯加特DDR5內(nèi)存量產(chǎn)下線,,美光顆粒,,4800MHz
今年3月底,國內(nèi)廠商嘉合勁威表示,,正在積極備貨DRAM內(nèi)存顆粒,,有機(jī)會國內(nèi)率先量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,。4月26日,嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,,首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉,,已經(jīng)完成備貨,預(yù)計會在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時候上市,。
早在今年2月份,,阿斯加特就推出了首款DDR5內(nèi)存條。3月份,,美光的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒到廠后,,嘉合勁威就進(jìn)入積極備貨狀態(tài),,截至今日,,首批產(chǎn)品終于量產(chǎn)下線,不過距離上市銷售還需要較長一段時間,。
阿加斯特首批DDR5內(nèi)存條采用美光DRAM顆粒制造,,提供16GB和32GB兩個容量規(guī)格,頻率均為4800MHz,,電壓1.1V,,時序為40-40-40。首批產(chǎn)品定位為入門級,,規(guī)格性能并不高,,主要是為了滿足玩家嘗鮮的需求。
阿拉斯加官方表示,,未來還會生產(chǎn)更大容量,,更高頻率的DDR5內(nèi)存。從目前曝光的信息中了解到,,阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,,最高為128GB 6400MHz,預(yù)計在2022年量產(chǎn),。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號,,計劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。
和DDR4內(nèi)存相比,,DDR5功耗更低,,穩(wěn)定性和安全性更高,而且在容量,、頻率等方面能實現(xiàn)數(shù)倍的提升,,有助于更徹底地發(fā)揮處理器的性能。嘉合勁威公布的數(shù)據(jù)顯示,,DDR5內(nèi)存在讀寫,、拷貝速度上顯著高于DDR4內(nèi)存,,但延遲較高。不過,,該內(nèi)存將支持On-die-ECC糾錯功能,,且單條即可實現(xiàn)雙通道,相比DDR4內(nèi)存的升級還是非常大的,。
上個月,,外媒曝光了三星首款DDR5內(nèi)存,據(jù)說是基于HKMG工藝技術(shù)打造,,單條最高容量可達(dá)到512GB,,頻率可達(dá)到7200MHz,相比DDR4內(nèi)存,,提升幅度相當(dāng)驚人,。目前阿加斯特最高規(guī)格型號與三星相比也有很大差距,看來在高端內(nèi)存方面,,國內(nèi)廠商還需要繼續(xù)努力,。
不過,DDR5內(nèi)存并沒有那么快普及,,最快需要等到英特爾12代酷睿和600系列主板的發(fā)布,,才會正式支持DDR5內(nèi)存。所以,,大家不需要急著想買DDR5內(nèi)存,,現(xiàn)在能買到也用不了。
2021年5月:金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計第三季度發(fā)貨
2021年注定是DDR5內(nèi)存元年,,多家內(nèi)存品牌最近都曝光了DDR5內(nèi)存條,,現(xiàn)在全球內(nèi)存著名廠商金士頓的DDR5內(nèi)存也來了,預(yù)計Q3季度上市,。該內(nèi)存不僅會支持XMP超頻文件,,還可以獨立控制電源管理,這將帶來額外的內(nèi)存超頻靈活性,,使得內(nèi)存電壓可以超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的1.1V,。金士頓預(yù)計在Q3季度開始上市 DDR5內(nèi)存,不出意外的話首發(fā)應(yīng)該是Intel的Alder Lake平臺,,也就是12代酷睿,,現(xiàn)在基本上確認(rèn)配套的600系主板支持DDR5內(nèi)存。
未來DDR5內(nèi)存的頻率有望超過10000MHz,。預(yù)計在今年,,金士頓會推出16GB、32GB,、64GB,、128GB的內(nèi)存產(chǎn)品,,速度為4800MHz或5600MHz。DDR5內(nèi)存的性能有望提升至DDR4的兩倍,,目前DDR4內(nèi)存的極限超頻頻率為7GHz,,因此新一代內(nèi)存超頻至10GHz將十分有可能。
DDR5內(nèi)存的問世,,為桌面電腦性能的提升提供了可靠的硬件保障,。DDR5內(nèi)存的起跳頻率就在4800MHz,相對于DDR4提升了38%,,最高頻率未來更是有可能達(dá)到1000MHz,。據(jù)悉DDR5內(nèi)存將從16GB起步,這也就意味著內(nèi)存單顆核心容量可以達(dá)到2GB,,理論上內(nèi)存最大容量可以達(dá)到512GB,。高頻和大容量內(nèi)存可以大幅提高電腦的響應(yīng)時間和多任務(wù)處理器能力。
帶有PCIe 5.0和DDR5內(nèi)存的英特爾Alder Lake-S CPU將在11月上市
英特爾將在今年11月推出其第12代Alder Lake-S處理器,,并支持最新的內(nèi)存和I / O技術(shù),,例如DDR5,PCIe 5.0等,。這家總部位于克拉拉(Clara)的芯片制造商目前正在向其董事會合作伙伴介紹新產(chǎn)品的發(fā)布情況,并由他們來決定自己的主板將支持更新的DDR5內(nèi)存接口還是堅持使用DDR4,。
正如之前的報道,,預(yù)算H610和B660板將保留DDR4內(nèi)存,而更高端的Z690陣容將過渡到DDR5,。這意味著Core i3和低端Core i5 SKU將主要使用DDR4內(nèi)存,,而Core i7和i9部件將利用更快的DDR5內(nèi)存??梢哉f關(guān)于PCIe 5.0的支持也是如此,,因為它需要增加的層數(shù)。
由于該公司將改用Alder Lake-S更新的LGA1700插座,,因此現(xiàn)有的散熱器將再次不兼容,,并且用戶升級也必須在該方面進(jìn)行新的購買。
就核心架構(gòu)本身而言,,您可能聽說過數(shù)百次,,Alder Lake將采用混合核心架構(gòu),其中包含高性能(Golden Cove)核心集群和低功耗(Grace Mont)核心集群,。它的主要測試將在軟件方面,,因為較舊的應(yīng)用程序可能無法區(qū)分兩個不同的群集,從而導(dǎo)致性能不理想,。
考慮到英特爾在PC市場中的影響力,,大多數(shù)主流應(yīng)用程序和游戲應(yīng)迅速優(yōu)化并適當(dāng)支持新處理器,。考慮到Grace Mont或多或少會與Skylake(盡管在較低頻率下)相提并論,,因此應(yīng)該在某種程度上減輕了AMD和Intel之間的核心數(shù)量差異,。但是,由于AMD仍在使用同構(gòu)核心設(shè)計,,因此應(yīng)在多線程性能領(lǐng)域中保持領(lǐng)先地位,。
三星推出模組電源管理芯片解決方案
現(xiàn)在三星已經(jīng)推出了面向DDR5雙列直插式存儲模塊(DIMM)的集成式電源管理芯片(PMIC)。其中包括S2FPD01,、S2FPD02,、以及S2FPC01。
據(jù)悉,,新一代DDR5DRAM的一項重大設(shè)計改進(jìn),,就是將PMIC也集成到了內(nèi)存模組上(前幾代仍將PMIC放在主板端)。
?。▉碜裕篠amsung Newsroom)
TechPowerUp 指出,,集成 PMIC 的最大益處,就是能夠帶來更高的兼容性和信號完整度,,輔以持久可靠的性能表現(xiàn),。
為了提升性能效率和負(fù)載下的瞬態(tài)響應(yīng),三星還為面向 DDR5 內(nèi)存模組的新型 PMIC 配備了高效率的混合柵極驅(qū)動和專有的控制設(shè)計(基于異步的雙相降壓控制方案),。
該方案允許 DC 電壓的高瞬態(tài)響應(yīng)輸出,,負(fù)載電流的變化也能夠適時地調(diào)整轉(zhuǎn)換,以將輸出電壓有效地調(diào)節(jié)到接近恒定的水平,。輔以脈沖寬度和脈沖頻率調(diào)制方法,,可防止切換模式時的延遲和故障。
三星表示,,對于實時運行繁重的分析,、機(jī)器 / 深度學(xué)習(xí)、以及其它各種計算密集型任務(wù)的數(shù)據(jù)中心 / 企業(yè)服務(wù)器來說,,S2FPD01 和 S2FPD02 這兩款 DDR5 DIMM PMIC 能夠助其實現(xiàn)最佳性能,。
具體說來,F(xiàn)PD01 專為低密度模組而設(shè)計,,而 FPD02 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度,。此外通過實現(xiàn)高效的混合柵極驅(qū)動(而不是線性穩(wěn)壓器),三星新型 PMIC 可達(dá)成 91% 的運行功率能效,。
至于 S2FPC01 這款 PMIC,,則是專為臺式機(jī) / 筆記本電腦而設(shè)計。其采用 90nm 工藝節(jié)點設(shè)計,能夠以較小的封裝帶來更高的敏捷性能,。
目前上述三款 DDR5 DIMM PMIC 正在向客戶出樣,,相信不久后,我們就可以在諸多不同的應(yīng)用領(lǐng)域都見到它們的身影,。
DDR4內(nèi)存漲價,,該不該等DDR5?
由于需求的增加以及廠商的減產(chǎn),,從2020年底開始,,市面上內(nèi)存價格就出現(xiàn)比較明顯的上漲,直到現(xiàn)在價格還未到定點,。因此就有用戶覺得既然DDR5內(nèi)存就要來了,,這時是不是就不用買DDR4了,直接上DDR5呢,?
DDR4內(nèi)存漲價明顯
在2020年中的時候,,DDR4內(nèi)存價格觸底,甚至出現(xiàn)了比較嚴(yán)重的庫存積壓問題,。產(chǎn)品價格太低,,會影響上游廠商的盈利。所以從去年下半年開始,,三星,、SK海力士和美光三家紛紛削減內(nèi)存資本開支,意味廠商著要削減內(nèi)存芯片產(chǎn)能,,影響市場上的供需平衡,。再加上去年頻發(fā)的意外事件,比如中國臺灣的美光晶圓廠多次出現(xiàn)停工,,三星華城芯片工廠則是因為區(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題而斷電,導(dǎo)致三星停產(chǎn)了3天DRAM內(nèi)存顆粒,,相當(dāng)于全球1%的產(chǎn)能,。
在這些因素共同的努力下,從去年底開始,,DDR4內(nèi)存價格終于上漲,,去年才300多元的DDR4 3200 16GB現(xiàn)在價格已經(jīng)翻倍,達(dá)到了600元以上,。與此同時,,更老的DDR3內(nèi)存因為缺貨價格漲得更多,像駭客神條 Fury雷電系列DDR4 1600 8GB都賣到499元,。
DDR5頻率,、容量暴漲
去年7月15日,JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布了DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范:DDR5內(nèi)存起步頻率3200MHz,最高可達(dá)到6400MHz,,比起DDR4 2400MHz的起步頻率高了不少,,目前各廠商首先宣布的產(chǎn)品,頻率都是從4800MHz起跳,,頻率提升的同時,,性能上也有更好的表現(xiàn)。與此同時,,DDR5內(nèi)存的容量也更大,,各家首發(fā)產(chǎn)品基本都是16GB起,而且內(nèi)存工作電壓為1.1V,,比DDR4的1.2V低,。
一句話總結(jié),DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢在于速度更快,、功耗更低,、且支持芯級ECC糾錯。既然DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢如此明顯,,而且從各方的消息來看,,今年無論是DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品還是相關(guān)的平臺都會上市,那么現(xiàn)在是否應(yīng)該放棄DDR4直接等DDR5呢,?
DDR5想要普及尚需時日,,2022年都難
雖然各大內(nèi)存廠商非常重視DDR5內(nèi)存,很快就推出了DDR5內(nèi)存的樣品,,但是DDR5內(nèi)存想要取代DDR4卻不是一朝一夕,。先不說DDR5內(nèi)存的上市價格(估計不會便宜),僅從平臺對其的支持進(jìn)度就能一窺究竟,。
商用平臺對普通玩家影響不大,,我們主要考查的是消費級平臺對于 DDR5內(nèi)存的支持情況。Intel方面,,年底推出的Alder Lake第12代酷睿就將加入對DDR5內(nèi)存的支持,。可是從目前的情況來看,,這一代酷睿平臺應(yīng)該也是DDR4/DDR5共存的情況,。有消息披露華碩的旗艦、高端Z690主板都會搭配DDR5內(nèi)存,,中低端則繼續(xù)搭檔DDR4內(nèi)存,。可見在第12代酷睿平臺上,,DDR5內(nèi)存很可能只面對高端用戶群體,,不菲的價格并不是主流玩家所能承受的,他們的選擇依然是DDR4內(nèi)存。當(dāng)然也不排除中端會出現(xiàn)同時提供DDR5/DDR4兩種內(nèi)存插槽的產(chǎn)品,,DDR2/3,、DDR3/4過渡時代都曾有此類產(chǎn)品,但這并不是主流,。
至于AMD方面,,Zen4新平臺的上市時間就有些撲朔迷離了。剛開始說今年第5nm制程并支持DDR5內(nèi)存的Zen4處理器就將上市,??墒亲钚孪⑹牵赯en4之前AMD還有一代過渡性質(zhì)的升級版的Zen3 XT或者叫Zen3 Refresh,。要到2022年9~10月份才會宣布,,10~11月份上市,也就是說從現(xiàn)在算起還有一年半的時間我們才能買到Zen4架構(gòu)的銳龍7000處理器,。
可見DDR5想要普及的速度其實并不快,,Intel平臺雖然可以率先支持,但可能只是高端主板才能支持,。而 AMD Zen4平臺甚至明年底才會推出,,產(chǎn)品大規(guī)模上市也就是2023年的事情了。
可以說消費級平臺真正要全面支持DDR5內(nèi)存,,也要等到2023年才會完全普及,,如果你等不了那么久的話,不妨繼續(xù)用DDR4吧,。
結(jié)語:DDR5內(nèi)存上市時間或延后,,價格由市場決定
2021年,
3月,,有消息說DDR5內(nèi)存下半年出樣:2022年量產(chǎn),。
4月,嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,,首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉,,已經(jīng)完成備貨,預(yù)計會在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時候上市,。
阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,最高為128GB 6400MHz,,預(yù)計在2022年量產(chǎn),。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號,計劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布,。
5月,,有消息表示金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計第三季度發(fā)貨。
然而,由于受到疫情影響導(dǎo)致芯片短缺,,波及各產(chǎn)業(yè)鏈和生產(chǎn)代工廠,,因此,DDR5內(nèi)存的上市時間或許會延后,。
由于內(nèi)存市場波動很大,,DDR5上市以后的價格也將根據(jù)當(dāng)時的情況由廠家和市場決定。