超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料及器材生產(chǎn)商「銘鎵半導(dǎo)體」成立于2020年，專注于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造,，是國(guó)內(nèi)第一家將半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè),。公司創(chuàng)始人兼CEO陳政委是國(guó)立日本佐賀大學(xué)九州同步光輻射中心的工學(xué)博士，在日本攻讀碩士和博士期間便選擇了氧化鎵材料方向,。團(tuán)隊(duì)還包括來(lái)自東京大學(xué),、九州大學(xué)、東京工業(yè)大學(xué)的博士或教授以及來(lái)自露笑科技,、森霸傳感的擁有豐富產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)的總監(jiān)型高級(jí)工程師,。

　　半導(dǎo)體材料位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，經(jīng)歷了三次迭代,，從第一代的硅,、第二代的砷化鎵和砷化銦到第三代的碳化硅和氮化鎵。硅因?yàn)閷?dǎo)熱性良好,、自然儲(chǔ)備豐富,、價(jià)格低廉，得到了廣泛的應(yīng)用,。但因?yàn)楣杞麕挾日?、擊穿電?chǎng)較低，在高頻,、大功率器件領(lǐng)域應(yīng)用受限,。于是禁帶寬度更寬、擊穿電場(chǎng)更高,、電子遷移率更高,、抗輻射能力更強(qiáng)、適用于高頻,、大功率器件的第二代,、第三代材料開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng),，得到應(yīng)用。

　　氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,，具有優(yōu)良的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,，在高溫、大功率,、抗輻射電子器件領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景,。2012年日本首先實(shí)現(xiàn)2英寸氧化鎵材料的突破，跟據(jù)「銘鎵半導(dǎo)體」提供的數(shù)據(jù),，氧化鎵的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的3.2倍,，巴利加優(yōu)值是其10倍左右。氧化鎵禁帶寬度能達(dá)到4.9-5.3eV,，而成本僅為碳化硅的1/8,。

　　「銘鎵半導(dǎo)體」的氧化鎵材料將被應(yīng)用于新能源汽車、汽車充電樁,、工業(yè)電機(jī),、固態(tài)能源轉(zhuǎn)變、國(guó)防軍工等領(lǐng)域,。

　　36氪獲悉,，「銘鎵半導(dǎo)體」目前營(yíng)收規(guī)模數(shù)百萬(wàn)元，毛利率高于70%,。預(yù)計(jì)今年8月其2英寸產(chǎn)品就能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，2021年?duì)I收有望達(dá)到2000萬(wàn)元。

　　半導(dǎo)體材料行業(yè)需要大量的前期投入,，工藝要求較高且突破較難,，行業(yè)人才缺乏，具有較高的競(jìng)爭(zhēng)壁壘,。由于生產(chǎn)難度大,、技術(shù)壁壘高和進(jìn)入時(shí)間晚，我國(guó)的碳化硅,、硅,、氮化鎵等半導(dǎo)體材料落后于國(guó)際廠商，半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化率較低,，市場(chǎng)基本被歐美日等國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的企業(yè)所壟斷,，進(jìn)口依賴較強(qiáng)。

　　日本方面,，京都大學(xué)投資的Flosfia,、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領(lǐng)先的氧化鎵供應(yīng)商。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）計(jì)劃為致力于開(kāi)發(fā)新一代低能耗半導(dǎo)體材料“氧化鎵”的私營(yíng)企業(yè)和大學(xué)提供財(cái)政支持,，已投入超過(guò)8560萬(wàn)美元,，大力發(fā)展日本氧化鎵材料及功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)。另?yè)?jù)日本富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè),，2025年日本本土氧化鎵功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將達(dá)到700億日元（約合42億人民幣）并以指數(shù)級(jí)逐年增長(zhǎng),，日本三菱電機(jī)、豐田,、FUJIMI,、田村、電裝,、光波等紛紛投入大量人力物力進(jìn)入氧化鎵賽道,。

　　陳政委認(rèn)為半導(dǎo)體氧化鎵材料將是我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)跑行業(yè)的重要機(jī)會(huì)，預(yù)計(jì)需求會(huì)在未來(lái)5-10年爆發(fā),。目前「銘鎵半導(dǎo)體」在半導(dǎo)體氧化鎵材料領(lǐng)域位于國(guó)際第一梯隊(duì),，領(lǐng)先歐美3-5年，預(yù)計(jì)在2022年或者2023年便能接近日本的技術(shù)水平,。

　　半導(dǎo)體氧化鎵材料的主要應(yīng)用領(lǐng)域是大功率電子器件,，與碳化硅的應(yīng)用場(chǎng)景重合。目前市場(chǎng)上的半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)商有山東天岳,、天科合達(dá),、同光晶體等企業(yè)。半導(dǎo)體碳化硅的下游應(yīng)用企業(yè)較為集中,，包括比亞迪、中車,、國(guó)家電網(wǎng)等,。

　　據(jù)悉，「銘鎵半導(dǎo)體」正在尋求新一輪融資,。陳政委告訴36氪,，此輪融資資金將用于擴(kuò)大產(chǎn)能、增加研發(fā)投入,、拓展市場(chǎng)等方面,。