超小型集成電路已經徹底變革了手機、家用電器、汽車以及其他日常技術，為了進一步讓此類電子設備小型化，實現高端功能，必須以三維方式可靠地制造此類電路。蝕刻硅以實現超精細3D形狀非常艱難，因為即使是在原子尺度上造成損傷也會降低設備的性能。

　　據外媒報道，日本奈良先端科學技術大學院大學（Nara Institute of Science and Technology，NAIST）研究了一種新方法，在原子尺度上將硅蝕刻成光滑金字塔的形狀。此前，在此類硅金字塔上涂覆薄薄的一層鐵讓其具有磁性只是理論上的想法，現在卻可以成真了。

　　硅金字塔（圖片來源：奈良先端科學技術大學院大學）

　　NAIST研究員兼該研究資深作者Ken Hattori一直都在原子控制納米技術領域廣泛發(fā)表論文，其研究的重點之一是改進硅基技術的功能性。他表示：“硅是現代電子設備的主力，因為其可以成為一個半導體或一個絕緣體，而且是一種豐富的元素。不過，未來的技術進步需要以3D方式制作出在原子層面上很光滑的設備。”

　　結合標準干蝕刻法和化學蝕刻法是制備金字塔形硅納米結構陣列的必要方法。到目前為止，制備在原子層面、表面光滑的硅一直極具挑戰(zhàn)性。

　　該研究的首席作者Aydar Irmikimov表示：“我們制成的等腰硅金字塔排列有序，大小相同，而且各方都是平面。此外，我們利用低能電子衍射圖和電子顯微鏡證實了此類發(fā)現。”

　　在硅上沉積一層30納米厚的鐵，可以讓其具有磁性。在原子層面上的金字塔方向確定了其方向，也確定了覆蓋的鐵的特性。

　　Irmikimov表示：“我們的技術可以通過調整基底的形狀，簡單地制造出圓形磁陣列，該方法與諸如自旋電子學等通過自旋而不是電子電荷來編碼信息的先進技術結合在一起，可大大提升三維電子設備的功能性。”