對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)而言，2020年是不平凡的，上半年遭遇“疫情”和國(guó)際貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊，下半年因晶圓代工產(chǎn)能緊缺而引發(fā)半導(dǎo)體芯片漲價(jià)潮，以及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情的劇烈波動(dòng)。

　　雖然存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨著較大的挑戰(zhàn)，但是依然抵擋不住存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐，為了更好的應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等原廠(chǎng)在投資、技術(shù)、策略等方面有了新的變化和突破。

　　NAND技術(shù)：SK海力士、美光相續(xù)突破176層3D NAND

　　2020年三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等主要是擴(kuò)大9x層3D NAND在市場(chǎng)上的普及。同時(shí)，三星1XX層、西部數(shù)據(jù)/鎧俠112層、SK海力士128層、美光128層、英特爾144層3D NAND不斷提高生產(chǎn)比重，并積極推動(dòng)在SSD產(chǎn)品中的應(yīng)用。

　　到2020年底，美光、SK海力士公開(kāi)宣布在176層3D NAND上率先取得突破進(jìn)展。美光是在11月份宣布開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash，其讀取延遲和寫(xiě)入延遲將改善35%以上，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。

　　SK海力士則是在12月份宣布推出176層4D NAND，與上一代相比，Bit生產(chǎn)率將提高35%以上，讀取速度加快了20%，數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%，達(dá)到1.6Gbps，稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND，預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世。

　　此外，三星也表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧”技術(shù)，具體堆疊層數(shù)并未透露，而三星在128層工藝節(jié)點(diǎn)，采用的是“單堆棧”技術(shù)生產(chǎn)3D NAND。三星也強(qiáng)調(diào)，采用“雙堆棧”技術(shù)，不僅更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，3D NAND也有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。

　　DRAM技術(shù)：三星1Znm 率先導(dǎo)入EUV，原廠(chǎng)2021年將進(jìn)入1αnm技術(shù)新階段

　　2020年三星、美光、SK海力士等DRAM技術(shù)主要是從1Ynm全面向1Znm推進(jìn)，這也是DRAM第三代10nm級(jí)技術(shù)，到第四代10nm級(jí)之后，將會(huì)大規(guī)模的導(dǎo)入EUV工藝。

　　2020年，三星量產(chǎn)的16Gb LPDDR5首次導(dǎo)入EUV工藝，基于1Znm制程技術(shù)，更先進(jìn)的技術(shù)相較于12Gb容量提升了33%，封裝的厚度也薄了30%。同時(shí)，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級(jí)（1α）EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5。

　　美光提高1Znm LPDDR5產(chǎn)量，以及推動(dòng)GDDR6X不斷創(chuàng)新，同時(shí)處于研發(fā)階段的1αnm DRAM計(jì)劃將在2021上半年量產(chǎn)，在成熟良率下，1αnm工藝節(jié)點(diǎn)比1Znm節(jié)點(diǎn)每片Wafer晶圓增加40%的Bit量，1βnm工藝正處于初期研發(fā)階段。

　　SK海力士計(jì)劃利用EUV技術(shù)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)第四代10nm級(jí)（1a）DRAM量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2021年開(kāi)始批量生產(chǎn)1a nm DRAM。

　　投資建廠(chǎng)：三星西安二期、平澤P2，鎧俠K2、Fab7…

　　存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)之下，投資必不可少。2020年三星在中國(guó)的西安二期1階段投產(chǎn)，開(kāi)始新建二期第二階段項(xiàng)目將在2021年下半年竣工，同時(shí)平澤P2工廠(chǎng)投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)，計(jì)劃2021下半年開(kāi)始量產(chǎn)，以及還在規(guī)劃新建P3工廠(chǎng)。

　　鎧俠與西部數(shù)據(jù)共同投資的巖手縣北上市新工廠(chǎng)K1已在2020上半年開(kāi)始少量生產(chǎn)，在四日市存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地北側(cè)，F(xiàn)ab7工廠(chǎng)土地正在動(dòng)工中，建設(shè)將分兩個(gè)階段，第一階段建設(shè)計(jì)劃于2022年春季完成。另外，鎧俠還宣布將擴(kuò)建日本巖手縣生產(chǎn)基地，將在現(xiàn)有的K1工廠(chǎng)旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠(chǎng)區(qū)，將于2021年春季開(kāi)始，2022年春季完成。

　　美光正在新建A3工廠(chǎng)潔凈室，預(yù)估將在2021年投入量產(chǎn)1Znm或1α技術(shù)，同時(shí)美光也計(jì)劃將在2021年提出建設(shè)A5廠(chǎng)項(xiàng)目的申請(qǐng)，持續(xù)加碼投資DRAM，將用于1Znm制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。至于SK海力士，利川M16廠(chǎng)預(yù)計(jì)將在2021年上半投片，下半產(chǎn)品出貨。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也正式開(kāi)工建設(shè)，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元，分兩期建設(shè)3D NAND芯片工廠(chǎng)，一期于2016年底開(kāi)工建設(shè)，并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能，二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。

　　策略調(diào)整：原廠(chǎng)重大結(jié)構(gòu)變化，將引發(fā)全球格局動(dòng)蕩

　　1、三星公司高層人事調(diào)動(dòng)

　　2020年12月份，三星對(duì)公司管理層進(jìn)行變動(dòng)，5名三星高管發(fā)生人事變動(dòng)，其中三名得到升遷：

　　三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部Lee Jae-seung副社長(zhǎng)升遷為三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部社長(zhǎng)；

　　三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部DRAM開(kāi)發(fā)副社長(zhǎng)Lee Jung-bae升遷為三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部社長(zhǎng)

　　三星電子存儲(chǔ)器制造技術(shù)部Choi Si-young副社長(zhǎng)升遷為三星電子Foundry事業(yè)部社長(zhǎng)。

　　另外，三星對(duì)公司董事長(zhǎng)一職并未安排人員頂替，目前仍處于空缺狀態(tài)。

　　2、西部數(shù)據(jù)整合Flash和HDD技術(shù)資源成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)

　　西部數(shù)據(jù)將Flash和HDD技術(shù)資源整合，并成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)，致力于提供多元化的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合解決方案，將使得SSD和HDD產(chǎn)品線(xiàn)更加靈活調(diào)度，取長(zhǎng)補(bǔ)短，更好的滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

　　3、鎧俠推遲原本在2020年IPO上市的計(jì)劃，同時(shí)東芝要賣(mài)鎧俠股份

　　因?yàn)槭袌?chǎng)行情持續(xù)動(dòng)蕩及“疫情”爆發(fā)帶來(lái)的不確定性，鎧俠推遲了原本在2020年10月6日的上市計(jì)劃，并將繼續(xù)評(píng)估上市的合適時(shí)機(jī)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，若鎧俠錯(cuò)過(guò)了2021年2月的截止日期，那么其IPO計(jì)劃將推遲到2021年下半年。

　　值得注意的是，作為鎧俠股東之一的東芝，表示無(wú)意繼續(xù)從事Memory相關(guān)的業(yè)務(wù)，于2020年8月宣布將出售其持有的部分鎧俠普通股。

　　4、SK海力士整合DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)

　　SK海力士在2019年底宣布在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中將DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。重組后，SK海力士首席半導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)家Jin Kyo-won提升為開(kāi)發(fā)制造總裁，負(fù)責(zé)DRAM和NAND Flash從開(kāi)發(fā)到批量生產(chǎn)，提高運(yùn)營(yíng)效率。

　　SK海力士在2020年宣布投資5500萬(wàn)美元成立高斯實(shí)驗(yàn)室，將通過(guò)工業(yè)AI解決方案實(shí)現(xiàn)制造的創(chuàng)新。

　　5、英特爾將NAND業(yè)務(wù)和大連工廠(chǎng)出售給SK海力士

　　繼英特爾與美光結(jié)束了NAND Flash技術(shù)合作，以及將合資工廠(chǎng)的股份也全部賣(mài)給了美光之后，又將NAND業(yè)務(wù)賣(mài)給了SK海力士，包括生產(chǎn)3D NAND的中國(guó)大連工廠(chǎng)。

　　按照協(xié)議，英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND組件和晶圓業(yè)務(wù)以及中國(guó)大連NAND工廠(chǎng)將在2021年底移交給SK海力士，但這項(xiàng)交易仍需獲得監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn)。同時(shí)，英特爾將繼續(xù)在大連工廠(chǎng)生產(chǎn)NAND晶圓，并保留所有NAND晶圓制造和設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，一直到2025年3月交易最終完成。這個(gè)生產(chǎn)結(jié)構(gòu)是為了保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的合法所有權(quán)。