存儲器想必大家已經(jīng)非常熟悉了,，大到物聯(lián)網(wǎng)服務器終端，小到我們日常應用的手機,、電腦等電子設備,，都離不開它,。作為計算機的“記憶”裝置,，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說,，存儲器可分為兩類：易失性存儲器和非易失性存儲器,。其中，“易失性存儲器”是指斷電以后,，內存信息流失的存儲器,，例如 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），包括電腦中的內存條,。而“非失性存儲器”是指斷電之后,，內存信息仍然存在的存儲器，主要有 NOR Flash 和 NAND Flash 兩種,。

存儲器的發(fā)展趨勢

存儲器作為電子元器件的重要組成部分,，在半導體產(chǎn)品中占有很大比例。根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計,，即使全球市場持續(xù)受到 COVID-19 的影響,，存儲產(chǎn)品的年增長率仍將突破 12%，達到 124.1B$,，并且在數(shù)據(jù)中心和云服務器應用上發(fā)展巨大,。根據(jù)其預測，在不久的將來,，存儲的需求將保持 10.8% 的增長率,，同時均價也將以 7.3% 的年增長率逐年上升，將成為芯片行業(yè)最大增長點之一,。

雖然,，大眾普遍對于存儲器已有初步認知，但對于其制造流程還是不甚了解,。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈劃分,，存儲器制造流程的核心環(huán)節(jié)主要包括四個部分，即 IC 設計,、芯片制造,、芯片封裝,、成品測試。其中芯片封裝與成品測試屬于芯片制造的最后環(huán)節(jié),，也是決定著產(chǎn)品是否成功的關鍵步驟,。長電科技具備核心封測技術和自 2004 年以來的大量生產(chǎn)經(jīng)驗，能有效把控存儲封裝良品率,，助力存儲產(chǎn)品迅速發(fā)展,。

目前全球存儲器封裝技術幾經(jīng)變遷，封裝工藝逐漸由雙列直插的通孔插裝型轉向表面貼裝的封裝形式,，其中先進的封裝技術是發(fā)展主流,，包括晶圓級封裝（WLP）、三維封裝（3DP）和系統(tǒng)級封裝（SiP）等,。存儲器和終端廠商在成本允許的條件下,，采用先進封裝技術能夠提升存儲性能，以適應新一代高頻,、高速,、大容量存儲芯片的需求。

長電解決方案迎擊挑戰(zhàn)

存儲器的封裝工藝制程主要分為圓片超薄磨劃,、堆疊裝片,、打線、后段封裝幾個環(huán)節(jié),。其中,，“圓片磨劃”是存儲技術的 3 大關鍵之一，其主要目的是硅片減薄和切割分離,。這對于存儲封裝的輕量化,、小型化發(fā)展十分重要，然而更薄的芯片需要更高級別的工藝能力和控制,，這使得許多封裝廠商面臨著巨大的挑戰(zhàn),。

翹曲和碎屑

隨著芯片的厚度越薄，芯片強度越脆,，傳統(tǒng)的磨劃工藝很容易產(chǎn)生芯片裂紋,，這是由于傳統(tǒng)機械切割會在芯片中產(chǎn)生應力，這將會導致芯片產(chǎn)生一些損傷,，如側崩,、芯片碎裂等，而減薄后的圓片,，厚度越小,，其翹曲度越大，極易造成圓片破裂。

在此環(huán)節(jié),，長電科技摒棄了對芯片厚度有局限性的傳統(tǒng)磨劃工藝,，根據(jù)金屬層厚度與圓片厚度的不同，分別采用 DAG（研磨后劃片）,、SDBG（研磨前隱形切割）,、DBG（先劃后磨）等不同的工藝技術。

DBG 工藝是將原來的「背面研磨→劃片」的工藝程序進行逆向操作,，即：先對晶片進行半切割加工,，然后通過背面研磨使晶片分割成芯片的技術。通過運用該技術,，可最大限度地抑制分割芯片時產(chǎn)生的側崩和碎裂,，大大增強了芯片的自身強度。

而 SDBG 則是一種激光切割方法,，與刀片切割不同,，這種方法不會產(chǎn)生機械振動,，而是在芯片內部形成變質層之后,，以變質層為起點進行分割，最后通過研磨將變質層除去,。因此,，使用隱形切割工藝時，刀痕寬度幾乎為零,，這對切割道進一步狹窄化有著很大的貢獻,。與通常的刀片切割工藝相比，單位圓片可獲取的芯片數(shù)量有望增加,。

當然,，除了翹曲和碎裂的問題，在芯片封裝過程中,，任何一顆細小的顆粒都是致命的,，它很可能會導致芯片的碎裂，從而使整個產(chǎn)品報廢,。因此,，在生產(chǎn)過程中對于潔凈度控制顯得尤為重要。 

針對這個問題,，長電科技不僅為每臺貼片機器配置 HEPA 過濾器,，并且還為工作人員設置專用、密封的工具進行產(chǎn)品轉移,，以確保絕對潔凈的作業(yè)環(huán)境,。作為全球領先的半導體微系統(tǒng)集成和封裝測試服務提供商，長電科技不僅在“圓片磨劃”環(huán)節(jié)有良好的把控，對于整體的封裝工藝都有著成熟的技術和先進的設備支持,。針對超薄芯片的貼裝,，長電科技有著多條 SMT 產(chǎn)線、貼裝超薄芯片夾具與先進的 molding 工藝,，能夠幫助客戶提供最佳的封裝解決方案,。

專用以及封裝工具

存儲芯片完成封裝工藝之后，將進入測試階段,，這個階段主要是為了確認芯片是否能夠按照設計的功能正常運作,，如 DRAM 產(chǎn)品測試流程包括了老化測試、核心測試,、速度測試,、后段工藝幾個步驟，只有測試合格的產(chǎn)品才可以進行量產(chǎn)和出貨,。

長電科技在測試環(huán)節(jié)擁有先進的測試系統(tǒng)和能力,，能夠向客戶提供全套測試平臺和工程服務，包括晶圓凸點,、探針,、最終測試、后測試和系統(tǒng)級測試,，以幫助客戶以最低的測試成本實現(xiàn)最優(yōu)解,。目前長電科技已經(jīng)和國內外存儲類產(chǎn)品廠商之間有廣泛的合作。其中,，NAND 閃存以及動態(tài)隨機存儲產(chǎn)品已得到海內外客戶認可,，并已經(jīng)量產(chǎn)。

隨著芯片不斷向微型化發(fā)展,，工藝制程開始向著更小制程推進,，已經(jīng)越來越逼近物理極限。在此情況下,，先進的封測技術是未來存儲技術的重要發(fā)展方向,。長電科技作為中國封測領域的龍頭企業(yè)，在先進封測領域持續(xù)突破創(chuàng)新,，致力于為客戶提供優(yōu)質,、全面的服務，助力存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展,。