中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái)——三安集成日前宣布,，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試,，其可廣泛適用于光伏逆變器,、開關(guān)電源、脈沖電源,、高壓DC/DC,、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積,，降低系統(tǒng)功耗,，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段,。

隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃浮出水面,，第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),，2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過430億元,，碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目出現(xiàn)“井噴”,。三安集成表示,，“良性競(jìng)爭(zhēng)有助于產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展，我們會(huì)加快新產(chǎn)品的推出速度和產(chǎn)能建設(shè),，以便保持先發(fā)優(yōu)勢(shì),。”據(jù)悉,，三安集成碳化硅肖特基二極管于2018年上市后,，已完成了從650V到1700V的產(chǎn)品線布局，并累計(jì)出貨達(dá)百余萬顆,，器件的高可靠性獲得客戶一致好評(píng),。

本次推出的1200V80mΩ碳化硅MOSFET，與傳統(tǒng)的硅基IGBT功率器件相比,，寬禁帶碳化硅材料擁有“更高,、更快、更強(qiáng)”的特性——更高的耐壓和耐熱,、更快的開關(guān)頻率,，更低的開關(guān)損耗,。優(yōu)異的高溫和高壓特性使得碳化硅MOSFET在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其是高壓應(yīng)用中,，在相同的功率下,，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求,，使系統(tǒng)朝著小型化,，輕量化，集成化的方向發(fā)展,。這對(duì)“寸土寸金”的電源系統(tǒng)來說至關(guān)重要,，比如新能源車載充電器OBC、服務(wù)器電源等,。

從碳化硅肖特基二極管到MOSFET,，三安集成在3年時(shí)間內(nèi)便完成了碳化硅器件產(chǎn)品線布局。在保證器件性能的前提下,，提供高質(zhì)量高可靠性的碳化硅產(chǎn)品,。首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET采用平面型設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的體二極管能力,，高溫直流特性,，以及優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性。

更強(qiáng)的體二極管能力

由于器件結(jié)構(gòu)的原因,，碳化硅MOSFET的體二極管是PiN二極管,，器件的開啟電壓高，損耗大,。在實(shí)際使用中,，往往會(huì)通過并聯(lián)肖特基二極管作續(xù)流，減小系統(tǒng)損耗,。三安集成的碳化硅MOSFET通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和布局,，大大增強(qiáng)碳化硅體二極管的通流能力，不需要額外并聯(lián)二極管,，降低系統(tǒng)成本,，減小系統(tǒng)體積。

優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性

如何能夠得到優(yōu)質(zhì)的碳化硅柵氧結(jié)構(gòu)是目前業(yè)界普遍的難題,。柵氧質(zhì)量不僅會(huì)影響MOSFET的溝道通流能力,，造成閾值漂移現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致可靠性的失效,。三安集成通過反復(fù)試驗(yàn)和優(yōu)化柵氧條件,，閾值電壓的穩(wěn)定性得到明顯提高，1000hr的閾值漂移在0.2V以內(nèi),。

21IC家注意到,，相比傳統(tǒng)的硅器件,，碳化硅固有的性能優(yōu)勢(shì)使得在高性能、高效率的應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)巨大市場(chǎng)需求,，目前行業(yè)內(nèi)碳化硅MOSFET缺貨聲音不斷,，三安集成此次完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造,勢(shì)必加速碳化硅器件產(chǎn)能擴(kuò)張，助推碳化硅在更多領(lǐng)域的應(yīng)用擴(kuò)展,。