2020 年 11 月 12日,，中國上海 — 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,，一舉刷新行業(yè)紀錄,，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大提升,。美光全新的 176 層工藝與先進架構共同促成了此項重大突破,，使數(shù)據(jù)中心、智能邊緣平臺和移動設備等一系列存儲應用得以受益,，實現(xiàn)性能上的巨大提升,。

美光技術與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光的 176 層 NAND 樹立了閃存行業(yè)的新標桿，與最接近的競爭對手同類產(chǎn)品相比,，堆疊層數(shù)多出近 40%,。結合美光的 CMOS 陣列下 (CMOS-under-array) 架構，該項技術幫助美光繼續(xù)在成本方面保持行業(yè)領先優(yōu)勢,?！?   

該款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構，是市場上最先進的 NAND 技術節(jié)點,。與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比,，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上，極大地提高了應用的性能,。 美光的 176 層 NAND 采用緊湊型設計,，裸片尺寸比市場最接近同類產(chǎn)品縮小近 30%，是滿足小尺寸應用需求的理想解決方案,。

采用突破性技術,，發(fā)揮閃存巨大潛力，服務多元化市場

美光執(zhí)行副總裁兼首席業(yè)務官 Sumit Sadana 表示：“采用美光的 176 層 NAND 后,，我們的客戶將實現(xiàn)突破性的產(chǎn)品創(chuàng)新,。我們將在廣泛的產(chǎn)品組合中部署這項技術，在 NAND 應用的各個領域中實現(xiàn)價值,，重點把握 5G,、人工智能、云和智能邊緣領域的增長機會,?！?/p>

美光 176 層 NAND 擁有全面設計和行業(yè)首屈一指的密度，應用廣泛,，在多個行業(yè)將不可或缺,，包括移動設備存儲、自動駕駛系統(tǒng)、車載信息娛樂以及客戶端 (PC) 和數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤 (SSD),。

美光 176 層 NAND 的服務質量 (QoS) 進一步提升, 這對數(shù)據(jù)中心 SSD 的設計標準而言至關重要——它能更快應對數(shù)據(jù)密集型環(huán)境和工作負載,，例如數(shù)據(jù)湖、人工智能 (AI) 引擎和大數(shù)據(jù)分析,。對于 5G 智能手機而言,，提升的 QoS 意味著多個應用程序啟動和切換更加快速，帶來流暢,、反應迅速的移動體驗,，真正實現(xiàn)多任務處理和 5G 低延遲網(wǎng)絡的充分利用。

在開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 總線上,，美光第五代 3D NAND 也實現(xiàn)了行業(yè)領先的 1600 MT/秒最大數(shù)據(jù)傳輸速率,，比此前提升了 33%。更快的 ONFI 速度意味著系統(tǒng)啟動更迅速,、應用程序性能更出眾,。在汽車應用中，這種速度將讓車載系統(tǒng)在發(fā)動機啟動后近乎即時地響應,，從而為用戶帶來更好的體驗,。

美光正與業(yè)界開發(fā)者合作，將新產(chǎn)品快速應用到解決方案中,。為了簡化固件開發(fā),，美光 176 層 NAND 提供單流程 (single-pass) 寫算法，使集成更為便捷,，從而加快方案上市時間,。

創(chuàng)新架構，實現(xiàn)出眾的密度和成本優(yōu)勢

隨著摩爾定律逐漸逼近極限,，美光在 3D NAND 領域的創(chuàng)新對確保行業(yè)滿足數(shù)據(jù)增長需求至關重要,。為了實現(xiàn)這一目標，美光開創(chuàng)性地結合了堆棧式替換柵極架構,、創(chuàng)新的電荷捕獲技術和 CMOS 陣列下 (CuA) 技術,。美光的 3D NAND 專家團隊利用專有的 CuA 技術取得了大幅進步，該技術在芯片的邏輯器件上構建了多層堆棧,，將更多內存集成封裝在更緊湊的空間中,，極大縮小了 176 層 NAND 的裸片尺寸，提升了單片晶圓的存儲容量,。

同時,，美光還將 NAND 單元技術從傳統(tǒng)的浮動柵極過渡到電荷捕獲，提高了未來 NAND 的可擴展性和性能,。除了電荷捕獲技術,，美光還采用了替換柵極架構,，利用其中的高導電性金屬字線 取代硅層，實現(xiàn)了出類拔萃的 3D NAND 性能,。采用該技術后,，美光將大幅度降低成本，繼續(xù)領跑業(yè)界,。

通過采用這些先進技術,，美光提升了產(chǎn)品耐用度，這將使各種寫入密集型應用特別受益,，例如航空航天領域的黑匣子以及視頻監(jiān)控錄像等,。在移動設備存儲中，176 層 NAND 的替換柵極架構可將混合工作負載性能提高 15%,，從而支持超快速邊緣計算,、增強型人工智能推理以及圖像顯示細膩的實時多人游戲。

供應情況

美光 176 層三層單元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圓制造工廠量產(chǎn)并向客戶交付,，包括通過其英睿達 (Crucial) 消費級 SSD 產(chǎn)品線。美光將在 2021 日歷年推出基于該技術的更多新產(chǎn)品,。

資源

· 產(chǎn)品頁面：176 層 NAND

· 博客：再次挑戰(zhàn)“不可能” - 美光出貨 176 層 NAND

· 白皮書：美光向下一代 3D NAND 替換柵極技術過渡