中國(guó)北京（2020年10月15日） — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā),、生產(chǎn)制造到封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)的純國(guó)產(chǎn)化和自主化,，并已成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)SLC NAND Flash產(chǎn)品正式邁入24nm先進(jìn)制程工藝時(shí)代,。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進(jìn)一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)類產(chǎn)品線,，為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲(chǔ)解決方案。

如今各類電子設(shè)備的功能日趨復(fù)雜,，在一些新興的,、甚至緊湊型應(yīng)用中都需要預(yù)裝嵌入式操作系統(tǒng)，對(duì)存儲(chǔ)容量的需求在不斷提升,。高可靠,、大容量的代碼存儲(chǔ)需求成為業(yè)界廣泛訴求。SLC NAND在市場(chǎng)兼具性價(jià)比的同時(shí),，能夠提供給客戶更大的容量選擇,。基于此,，兆易創(chuàng)新在確保高可靠性的同時(shí),，成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顧容量和性能的提升,，更好地服務(wù)于代碼存儲(chǔ)領(lǐng)域,，致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng),、網(wǎng)通,、安防,，以及包括可穿戴式設(shè)備在內(nèi)的消費(fèi)類應(yīng)用場(chǎng)景提供大容量、具備成本優(yōu)勢(shì)的解決方案,。

目前,，GD5F4GM5系列已全面量產(chǎn)，代表了國(guó)產(chǎn)SPI NAND Flash工藝技術(shù)量產(chǎn)的最高水準(zhǔn),。該產(chǎn)品采用串行SPI接口,，引腳少、封裝尺寸小,，在集成了存儲(chǔ)陣列和控制器的同時(shí),，還帶有內(nèi)部ECC糾錯(cuò)算法，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)5萬(wàn)次,，提高可靠性的同時(shí)延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND產(chǎn)品，大大提升了讀寫(xiě)速度,，最高時(shí)鐘頻率達(dá)到120MHz,，數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓,，能夠滿足客戶對(duì)不同供電電壓的需求,；同時(shí)提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇,。

GD5F4GM5系列產(chǎn)品特性

l 兼容1.8V/3.3V供電電壓

l 支持4KB Cache隨機(jī)讀取

l 四通道SPI接口,，Quad IO數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s

l 內(nèi)置8bit ECC糾錯(cuò)技術(shù)

l 支持標(biāo)準(zhǔn)WSON8、TFBGA24封裝

l 支持工業(yè)級(jí)-40~85℃溫度范圍

供貨信息

GD5F4GM5系列產(chǎn)品現(xiàn)已全面量產(chǎn),，客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的訂購(gòu)信息,。