日前,，Digitiems Research發(fā)表報告指出，2nm有望在2024年實現(xiàn)量產,。他們指出，2022~2025年主要晶圓代工業(yè)者亦有新產能開出規(guī)劃,，先進工藝如3納米產能將在2022年底前實現(xiàn)量產,，DIGITIMES Research強調，若維持2年推進一個世代工藝,，最快2024年可實現(xiàn)2納米量產,。

　　臺積電2nm工藝進展順利

　　據(jù)國外媒體報道上月報道，今年一季度順利量產5nm工藝的臺積電,，正在研發(fā)更先進的3nm和2nm芯片制程工藝,，3nm工藝是計劃在明年風險試產，2022年下半年大規(guī)模投產,。3nm工藝投產之后,，臺積電下一步將投產的就將是2nm工藝，在2019年的年報中,，臺積電首次披露他們在研發(fā)2nm工藝,。

　　外媒稱臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展，研發(fā)進入了高級階段,，先于他們的計劃,。

　　在量產時間方面，外媒在報道中指出,，臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產良品率達到90%非常樂觀,。外媒根據(jù)目前的研發(fā)進展推測，臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產,，2024年大規(guī)模投產,。

　　臺積電的2nm工藝若如外媒報道的那樣在2023年風險試產、隨后一年大規(guī)模投產,，也就意味著他們仍將保持兩年投產一代新工藝的節(jié)奏,。臺積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規(guī)模投產的，5nm工藝在今年一季度投產,，中間相隔約兩年；5nm之后的3nm工藝,，計劃在2021年風險試產,、2022年下半年大規(guī)模投產，雖然距5nm工藝大規(guī)模投產的時間間隔超過兩年,，但量產時間大概率會提前,，屆時間隔預計也在兩年左右。

　　對于臺積電的2nm工藝,，外媒此前曾報道稱將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術（GAA）,，不會繼續(xù)采用鰭式場效應晶體管技術。來自Digitimes的最新報道稱，臺積電2nm GAA工藝研發(fā)進度提前,，目前已經結束了路徑探索階段,。

　　2nm工藝在2023年開始風險試產，也就意味著臺積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產芯片的工廠,。對于工廠,，外媒在上周的報道中曾提到，臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛,，透露他們計劃在新竹建設2nm工藝的芯片生產工廠,，建設工廠所需的土地已經獲得。臺積電董事長劉德音目前也透露,，他們可能會擴建位于臺中的晶圓十五廠,，以增加2nm工藝的產能。

　　三星能彎道超車嗎,？

　　不同于臺積電,，三星提早在3 納米就打算采用GAA ，意圖在此技術上彎道超車臺積電,，但臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術,，及EUV 運用經驗，將能使良率提升更順利,。

　　所以不少法人預期,，若2 納米在2023 年即能投產，三星就算在彎道恐怕也超不了車,。就目前臺積電所公布的制程推進現(xiàn)況來看,，采用EUV 的5 納米良率已快速追上7 納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊,，甚至有業(yè)界人士預期風險試產良率即可到9 成,。三星雖提前量產3 納米GAA，但在性能上未必能壓過臺積電,，而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯,，且據(jù)傳2 納米背后還有蘋果的研發(fā)能量支持。

　　不過未來半導體制程將會更加競爭,，不僅是三星,，英特爾的SuperFin 技術也不可小覷，雖然納米節(jié)點時程落后,，但實際性能并不真的多差,。早有輿論認為，臺積電及三星的制程競逐,，很多只是數(shù)字游戲,，而英特爾其實相對踏實,，就實際電晶體密度等指標來看，新的英特爾10 納米強化版已接近臺積電5 納米,，是非常大的單一節(jié)點升級,。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階市場的競爭力,，就如同三星8 納米已打出成績一般,，臺積電雖然還占有優(yōu)勢，但仍不能輕敵,。