《電子技術(shù)應(yīng)用》
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28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

2020-10-10
來(lái)源: 半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 28nm 7nm 3nm

  半導(dǎo)體制程發(fā)展到28nm節(jié)點(diǎn)的時(shí)候,,就達(dá)到了芯片性能與成本的完美平衡,。然而,市場(chǎng)和應(yīng)用需求并沒(méi)有到此停止,,特別是以智能手機(jī)為代表的便攜式電子產(chǎn)品的快速迭代,,對(duì)芯片的PPA提出了更高的要求,打破了性能與成本的平衡狀態(tài),,為了得到更小尺寸,,更高性能的芯片,成本已被一些產(chǎn)商放在了次要位置(前提是有巨量的芯片需求,,從而可以攤薄單個(gè)芯片成本),。因此,在最近5年左右的時(shí)間內(nèi),,28nm之后的先進(jìn)制程技術(shù)迭代速度超過(guò)了之前所有制程節(jié)點(diǎn)的發(fā)展速度,,14nm、10nm,、7nm,、5nm,以及2022年就可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的3nm制程,,不斷刷新著業(yè)界對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的認(rèn)知,,雖然能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)的廠商越來(lái)越少,但對(duì)其產(chǎn)品的追求者似乎越來(lái)越多,。

  28nm

  在設(shè)計(jì)成本不斷上升的情況下,,只有少數(shù)客戶能負(fù)擔(dān)得起轉(zhuǎn)向高級(jí)制程節(jié)點(diǎn)的費(fèi)用。因此,就單位芯片成本而言,,28nm優(yōu)勢(shì)明顯,,可以保持較長(zhǎng)生命周期。一方面,,相較于40nm及更落后制程,,28nm工藝在頻率調(diào)節(jié)、功耗控制,、散熱管理和尺寸壓縮方面具有顯著的優(yōu)勢(shì),。另一方面,由于20nm及更先進(jìn)制程采用FinFET技術(shù),,維持高參數(shù)良率以及低缺陷密度難度加大,,每個(gè)邏輯閘的成本都要高于28nm制程。

  雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm,、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),,但40nm、28nm等并不會(huì)退出,。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力,,中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。

  目前,,業(yè)內(nèi)的28nm制程主要在臺(tái)積電,,GF(格芯),聯(lián)電,,三星和中芯國(guó)際這5家之間競(jìng)爭(zhēng),。

  臺(tái)積電的28nm制程在2011年投入量產(chǎn)后,營(yíng)收占比只用了一年時(shí)間就從2%爬升到了22%,,迅速擴(kuò)張的先進(jìn)產(chǎn)能幫助臺(tái)積電在每一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)都能搶占客戶資源,、擴(kuò)大先發(fā)優(yōu)勢(shì),,并使其產(chǎn)能結(jié)構(gòu)明顯優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,用更高的產(chǎn)品附加值帶來(lái)了更高的毛利率。

  對(duì)于重點(diǎn)發(fā)展特殊工藝的聯(lián)電來(lái)說(shuō),,28nm是其重點(diǎn)業(yè)務(wù)版塊,,為此,,該公司還放棄了14nm以下先進(jìn)制程的研發(fā)工作,。

  作為中國(guó)大陸第一家制程工藝達(dá)到28nm,且同時(shí)提供28納米PolySiON,、28納米HKMG工藝的晶圓代工企業(yè),,中芯國(guó)際在國(guó)內(nèi)有多個(gè)工廠,而其28nm制程產(chǎn)品主要在位于北京的兩座中芯北方工廠生產(chǎn),。

  另外,,近幾年,SOI工藝快速崛起,這在很大程度上得益于格芯的大力推動(dòng),。業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為,,對(duì)于SOI工藝來(lái)說(shuō),28nm制程更具優(yōu)勢(shì),,可以撐很久,,而且當(dāng)工藝再往前演進(jìn)時(shí),SOI會(huì)越來(lái)越有優(yōu)勢(shì),。28nm算是一個(gè)分界點(diǎn),。到了這個(gè)節(jié)點(diǎn),工藝可以很輕松的轉(zhuǎn)換到SOI,,而且目前有越來(lái)越多的EDA工具支持這種轉(zhuǎn)變,。

  14nm

  具有或即將具有14nm制程產(chǎn)能的廠商主要有7家,,分別是:英特爾,、臺(tái)積電、三星,、格芯,、聯(lián)電、中芯國(guó)際和華虹,。

  目前來(lái)看,,14nm制程主要用于中高端AP/SoC、GPU,、礦機(jī)ASIC,、FPGA、汽車(chē)半導(dǎo)體等制造,。對(duì)于各廠商而言,,該制程也是收入的主要來(lái)源,特別是英特爾,,14nm是其目前的主要制程工藝,,以該公司的體量而言,其帶來(lái)的收入可想而知,。而對(duì)于中國(guó)大陸本土的晶圓代工廠來(lái)說(shuō),,特別是中芯國(guó)際,14nm制程技術(shù)已經(jīng)在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。這樣,,在兩三年后,隨著新產(chǎn)能的成熟,,14nm制程的市場(chǎng)格局值得期待,。

  自2015年正式推出14nm制程后,英特爾已經(jīng)對(duì)其依賴了4年的時(shí)間,該制程也為這家半導(dǎo)體巨頭帶來(lái)了非??捎^的收入,。從Skylake(14nm)、Kaby Lake(14nm+),、Coffee Lake(14nm++),,到2018年推出的14nm+++,該公司一直在保持對(duì)14nm制程的更新,。而英特爾原計(jì)劃在2016年推出10nm,,但經(jīng)歷了多次延遲,2019年才姍姍來(lái)遲,,從這里也可以看出該公司對(duì)14nm制程的倚重程度,。

  臺(tái)積電于2015下半年量產(chǎn)16nm FinFET制程。與三星和英特爾相比,,盡管它們的節(jié)點(diǎn)命名有所不同,,三星和英特爾是14nm,臺(tái)積電是16nm,,但在實(shí)際制程工藝水平上處于同一世代,。

  目前,16nm制程依然是臺(tái)積電營(yíng)收的主力軍,,貢獻(xiàn)率約為25%,。

  14nm是格芯最先進(jìn)的主流制程工藝,位于美國(guó)紐約州馬耳他,,這里除了14nm,,還有28nm的,最大產(chǎn)能為6萬(wàn)片晶圓/月,,主要采用12英寸晶圓,。主要用于代工高端處理器。目前來(lái)看,,14nm產(chǎn)能占其總營(yíng)收的比例較小,。

  聯(lián)電方面,該公司位于臺(tái)南的Fab 12A于2002年進(jìn)入量產(chǎn),,目前已運(yùn)用14nm制程為客戶代工產(chǎn)品,。然而,聯(lián)電的14nm制程占比只有3%左右,,并不是其主力產(chǎn)線,。這與該公司的發(fā)展策略直接相關(guān),聯(lián)電重點(diǎn)發(fā)展特殊工藝,。

  12nm

  中國(guó)大陸手機(jī)市場(chǎng)龐大,,且中端和中低端占據(jù)著出貨量的大頭兒,,這就給了中端手機(jī)處理器芯片絕佳的發(fā)展機(jī)會(huì),相應(yīng)的12nm制程技術(shù)的市場(chǎng)份額也就水漲船高了,。

  從目前的晶圓代工市場(chǎng)來(lái)看,,具備12nm制程技術(shù)能力的廠商也不多,主要有臺(tái)積電,、格芯,、三星電子和聯(lián)電。聯(lián)電于2018年宣布停止12nm及更先進(jìn)制程工藝的研發(fā),。因此,,目前來(lái)看,全球晶圓代工市場(chǎng),,12nm的主要玩家就是臺(tái)積電,、格芯和三星這三家,這一點(diǎn),,從近兩年市場(chǎng)推出的各種芯片也可見(jiàn)一斑,。

  2018年8月,華為發(fā)布了中端芯片麒麟710,,采用的就是12nm制程,,用在了當(dāng)時(shí)的中端機(jī)型,、在海外被稱(chēng)為Mate 20 Lite上,。

  聯(lián)發(fā)科則是12nm芯片的主力軍,代表產(chǎn)品多是中端芯片,,具體包括:Helio P22,,采用臺(tái)積電12nm FinFET工藝制造;Helio P60,;Helio A 系列產(chǎn)品,,該公司稱(chēng)其把高端產(chǎn)品功能下放到了用戶基數(shù)龐大的大眾市場(chǎng)。該系列的首款產(chǎn)品為Helio A22,。

  在中國(guó)大陸,,紫光展銳最近幾年在中端和中低端市場(chǎng)的拓展力度也很大,并逐步擴(kuò)大著市場(chǎng)占有率,,而在即將到來(lái)的5G市場(chǎng),,該公司推出了春藤510,采用了臺(tái)積電12nm制程工藝,。

  除了手機(jī)處理器之外,,AMD的顯卡RX 590也采用了12nm制程代工生產(chǎn),而這款產(chǎn)品的代工廠為格芯和三星兩家,。由于AMD與格芯的深厚關(guān)系,,其很多芯片都是由格芯代工的,,但隨著格芯宣布退出10nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)和投入,使得AMD不得不將先進(jìn)產(chǎn)品分給了三星和臺(tái)積電代工,,從而分散了格芯的訂單,。

  10nm

  到目前為止,有公開(kāi)的10nm規(guī)劃,,且已經(jīng)或即將量產(chǎn)該工藝節(jié)點(diǎn)芯片的廠商,,只有臺(tái)積電、三星和英特爾這三家,。此外,,中芯國(guó)際很可能也在進(jìn)行著10nm、7nm制程的研發(fā)工作,,但具體情況還未公開(kāi),。

  臺(tái)積電早在2013年就開(kāi)始了10nm工藝的研發(fā)。而按照早期規(guī)劃,,臺(tái)積電的計(jì)劃是 2016 年第四季度量產(chǎn)10nm工藝,。而實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間與其規(guī)劃基本吻合,2017年初實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),,標(biāo)志性應(yīng)用就是蘋(píng)果的A11處理器,,這給臺(tái)積電帶來(lái)了巨大的收益。

  不過(guò),,量產(chǎn)后,,臺(tái)積電10nm營(yíng)收的比例基本持平,且相對(duì)份額不高,,28nm和16nm一直是該公司收入的主要來(lái)源,。

  英特爾也早就開(kāi)始了10nm的研發(fā),原計(jì)劃是在2016年量產(chǎn),,當(dāng)時(shí),,EUV還不成熟,因此,,英特爾選擇了多重四圖案曝光(SAQP)技術(shù),,但研發(fā)過(guò)程中遭遇困難,導(dǎo)致10nm量產(chǎn)時(shí)間一再推遲,。而從當(dāng)時(shí)的情況來(lái)看,,采用SAQP技術(shù)造成良率較低可能是遲遲無(wú)法規(guī)模量產(chǎn)的主要原因。

  在那之后,,英特爾一直未對(duì)外公布10nm量產(chǎn)進(jìn)度,,2017年初,時(shí)任英特爾CEO科再奇在美國(guó)CES展會(huì)前,,宣布首顆10nm處理器Cannon Lake就緒,,將迎戰(zhàn)臺(tái)積電和三星,。然而,沒(méi)過(guò)多久,,英特爾官方對(duì)外發(fā)布了繼承當(dāng)年主打的第七代核心處理器Kaby Lake的第八代Core處理器細(xì)節(jié),,表示仍將采用14nm制程生產(chǎn),10nm量產(chǎn)時(shí)間又被延遲了,。經(jīng)過(guò)多年的周折和延遲,,英特爾的10nm終于在2019年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

  2015年7月,,三星電子旗下的制造部門(mén)Samsung Foundry的Kelvin Low 在網(wǎng)上發(fā)布了一段視頻,,確認(rèn)三星已經(jīng)將 10nm FinFET 工藝正式加入路線圖。

  2017年,,幾乎與臺(tái)積電同步量產(chǎn)10nm制程后,,三星將大部分的高通驍龍?zhí)幚砥饔唵问罩流庀隆2贿^(guò),,為了趕上臺(tái)積電7nm制程量產(chǎn)的步伐,,三星在10nm上花費(fèi)的精力和時(shí)間也比較有限,2019年,,三星的7nm制程收到了高通驍龍765的訂單,。而與臺(tái)積電相似,將規(guī)劃的重點(diǎn)放在了未來(lái)的5nm和3nm上,,10nm也是曇花一現(xiàn),。

  7nm

  目前,能夠量產(chǎn)7nm芯片的只有臺(tái)積電和三星這兩家,。

  臺(tái)積電方面,,7nm在2017年底就有試產(chǎn),,2018年實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn),,大規(guī)模量產(chǎn)是在2019年,在2019年第二季開(kāi)始量產(chǎn)N7+(EUV的),,與N7相比,,N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%,同時(shí)降低了功耗,。

  臺(tái)積電7nm工藝量產(chǎn)后,,2019年有100多個(gè)芯片陸續(xù)流片,包括CPU,、GPU,、AI、加密貨幣芯片,、網(wǎng)絡(luò)通信,、5G,、自動(dòng)駕駛等芯片??蛻舭ㄌO(píng)果,、華為海思、聯(lián)發(fā)科,、高通,、英偉達(dá)、AMD,、賽靈思,、比特大陸等。蘋(píng)果的A13處理器,、海思的5G基站芯片,,以及AMD的GPU、CPU和服務(wù)器芯片都集中在2019下半年出貨,,且都在爭(zhēng)取臺(tái)積電7nm產(chǎn)能,,使其相關(guān)產(chǎn)線處于滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài),交貨時(shí)間從原本的2個(gè)月拉長(zhǎng)到半年,,客戶一直在排隊(duì)搶產(chǎn)能,。

  目前來(lái)看,臺(tái)積電的7nm產(chǎn)能依然很搶手,。據(jù)悉,,今年下半年,臺(tái)積電的7nm產(chǎn)能將增至每月14萬(wàn)片,。這其中,,AMD占據(jù)著不小的份額,由于該公司最近兩年快速崛起,,其在臺(tái)積電的訂單量也大增,,據(jù)悉,今年,,AMD的7nm訂單將增加一倍,,每月需要3萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能,占臺(tái)積電7nm晶圓總產(chǎn)能的21%,。此外,,高通占臺(tái)積電7nm產(chǎn)能的比例在18%左右,聯(lián)發(fā)科將占14%,。

  與臺(tái)積電相比,,三星7nm的產(chǎn)能利用率則遜色了很多,在量產(chǎn)初期,,是以10K左右的少量量產(chǎn)開(kāi)始的,,隨著客戶下單量增加,,持續(xù)提升產(chǎn)能。

  初期,,除了三星自家之外,,三星7nm EUV的客戶只有IBM,雙方曾對(duì)外表示將合作開(kāi)發(fā)下一代高性能Power處理器,。另外兩個(gè)大客戶是英偉達(dá)和高通,。

  今年2月,三星宣布,,在韓國(guó)華城工業(yè)園新開(kāi)一條專(zhuān)司EUV技術(shù)的晶圓代工產(chǎn)線V1,,主要用于量產(chǎn)7nm。目前,,V1已經(jīng)投入7nm和6nm EUV移動(dòng)芯片的生產(chǎn)工作,,未來(lái)可代工到最高3nm水平。根據(jù)三星規(guī)劃,,到2020年底,,V1產(chǎn)線的總投入將達(dá)60億美元,7nm及更先進(jìn)制程的總產(chǎn)能將是2019年的3倍,。

  6nm

  6nm是7nm與5nm之間的過(guò)渡制程工藝,。

  臺(tái)積電于2019年4月推出了6nm制程(N6),設(shè)計(jì)方法與7nm工藝完全兼容,,隨著EUV技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用,,N6的邏輯密度將比N7提高18%。根據(jù)規(guī)劃,,臺(tái)積電的6nm制程于2020年第一季度試產(chǎn),,并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

  三星方面,,該公司于2019 年初宣布第一個(gè)基于EUV技術(shù)的6nm客戶開(kāi)始流片,。此外,三星原計(jì)劃在2020年推出6nm LPE版本,。三星6nm在7nm EUV基礎(chǔ)上,,運(yùn)用其Smart Scaling技術(shù),縮小芯片面積并降低了功耗,。

  5nm

  目前,只有臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了5nm制程的量產(chǎn),。因此,,臺(tái)積電的5nm繼其7nm之后,又成為了業(yè)界的香餑餑,,產(chǎn)能供不應(yīng)求,。

  首先,,蘋(píng)果A14處理器和華為海思新款5G規(guī)格Kirin手機(jī)芯片是臺(tái)積電5nm工藝的首批兩大客戶,此外,,高通5G芯片X60及新一代驍龍875手機(jī)芯片,,也將采用5nm。供應(yīng)鏈人士稱(chēng),,今年,,蘋(píng)果包下了臺(tái)積電三分之二的5nm產(chǎn)能。

  此外,,業(yè)界大紅大紫的AMD也在爭(zhēng)取臺(tái)積電的5nm訂單,,估計(jì)明年會(huì)出貨。至于聯(lián)發(fā)科,、英偉達(dá),、賽靈思、比特大陸等重要客戶,,也都在后邊排隊(duì)等候臺(tái)積電的5nm產(chǎn)能,。在這種情況下,臺(tái)積電計(jì)劃將5nm月產(chǎn)能由原本的5萬(wàn)片提升至8萬(wàn)片,。

  三星也在加碼研發(fā)5nm工藝,,三星此前透露的信息顯示,5nm LPE(5nm Low Power Early)工藝原計(jì)劃今年上半年投入量產(chǎn),,但從目前的情況來(lái)看,,量產(chǎn)要等到2021年了。主要客戶是高通,。

  3nm

  臺(tái)積電的3nm預(yù)計(jì)于2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,到時(shí)候,首批大客戶很可能還是蘋(píng)果,。另外,,有消息稱(chēng)英特爾最新的GPU也可能會(huì)交由臺(tái)積電的3nm產(chǎn)線生產(chǎn)。

  而三星有希望超越臺(tái)積電的制程可能是3nm,,因?yàn)槿鞘堑谝患夜傩褂萌翯AA晶體管的,,在3nm節(jié)點(diǎn)將會(huì)用GAA環(huán)繞柵極晶體管取代FinFET晶體管,而臺(tái)積電依然會(huì)使用FinFET技術(shù),。三星希望2021年量產(chǎn)3nm工藝,,而今年上半年完成3nm工藝開(kāi)發(fā)。實(shí)際進(jìn)度是否能夠與宣傳一致,,拭目以待,。



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