韓媒etnews報(bào)導(dǎo)顯示,，自駕車和電動(dòng)車蓬勃發(fā)展,，能在極端環(huán)境下控制電流的功率半導(dǎo)體備受矚目。GaN和碳化硅（silicon carbide,，簡(jiǎn)稱SiC）是少數(shù)符合此種條件的半導(dǎo)體材料,，其中以GaN為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體最受注意，被視為“次世代的功率半導(dǎo)體”,。

　　有鑒于此,，日本經(jīng)產(chǎn)省準(zhǔn)備資助日企和大學(xué)，發(fā)展耗電量更低的次世代半導(dǎo)體,，預(yù)計(jì)明年將撥款2,030萬美元,，未來5年共計(jì)斥資8,560萬美元。日方補(bǔ)助鎖定研發(fā)GaN材料的企業(yè),，GaN半導(dǎo)體能降低耗電,。

　　日本是全球第一個(gè)研發(fā)GaN的國(guó)家，政府鼎力相挺,，讓在該國(guó)全球市場(chǎng)享有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。半導(dǎo)體材料是日本的強(qiáng)項(xiàng)，日方打算支持相關(guān)企業(yè),，研發(fā)能減少耗電的半導(dǎo)體材料,，借此超越對(duì)手。日本經(jīng)產(chǎn)省相信,，2020年代末期,，日企將開始供給以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體，用于資料中心,、家電,、汽車等。如果GaN取代現(xiàn)今廣泛使用的硅,，每年可以減少1,440萬噸的二氧化碳排放,。

　　GaN的能隙比硅寬，耗電少耐高溫

　　為何各方看好GaN,？The Verge 2019年初報(bào)導(dǎo),，英國(guó)布里斯托大學(xué)（University of Bristol）物理學(xué)家Martin Kuball表示，所有材料都有“能隙”（band gap）,，也就是傳導(dǎo)電流的能力,。GaN的能隙比硅更寬，能承受更高的電壓,、電流也能更快通過,。

　　正是如此,，以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體，比會(huì)硅半導(dǎo)體更有效率,、耗電也較少,。哈佛大學(xué)博士候選人Danqing Wang說：“可以把東西做得很小，或在同一區(qū)域塞入更多的GaN,，表現(xiàn)卻更好,。”一旦電力損失減少,，不只能縮小充電裝置的體積,，用電量也更少。Kuball指出,，現(xiàn)今的電子產(chǎn)品若全數(shù)改用GaN,，耗電可望減少10%、甚至25%,。

　　此外,，硅無法承受過高溫度，汽車內(nèi)的電子元件必須遠(yuǎn)離引擎,，避免過熱,。GaN比硅更能承受高溫，能去除此一限制,，開啟汽車設(shè)計(jì)的無窮可能,。