三星電子和SK Hynix希望開(kāi)始半導(dǎo)體制造工藝的新時(shí)代,。其中,，三星電子計(jì)劃量產(chǎn)業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極（gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA）工藝制造的尖端芯片,；SK海力士則正準(zhǔn)備生產(chǎn)基于極紫外光刻 （EUV）技術(shù)的DRAM,。
GAA和EUV DRAM是核心技術(shù)，將分別領(lǐng)導(dǎo)全球系統(tǒng)半導(dǎo)體（晶圓廠）和DRAM市場(chǎng),。一旦它們成功實(shí)現(xiàn)了GAA和EUV DRAM的商業(yè)化,，韓國(guó)與其他國(guó)家之間的差距以及韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位將進(jìn)一步擴(kuò)大和提高。
三星電子和SK Hynix在“電子周刊”主辦的“技術(shù)周2020 LIVE”的第一天宣布了關(guān)于這些下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略,。
三星電子宣布,，計(jì)劃通過(guò)獲得IBM和NVIDIA的下一代CPU和GPU訂單，在全球晶圓代工市場(chǎng)中占有一席之地,，以其GAA技術(shù)開(kāi)拓下一代市場(chǎng),。
“我們相信我們的GAA技術(shù)是世界上最先進(jìn)的?！?三星晶圓代工廠執(zhí)行董事姜文說(shuō),。“我們計(jì)劃基于我們的GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體,?！?/p>
GAA技術(shù)比目前最常用于半導(dǎo)體制造工藝的FinFET技術(shù)先進(jìn)。與FinFET技術(shù)如何將柵極放置在通道的三個(gè)側(cè)面上不同,，GAA技術(shù)覆蓋了通道的所有四個(gè)側(cè)面并更精確地控制電流,，被視為實(shí)現(xiàn)高性能半導(dǎo)體和小于3nm的半導(dǎo)體的合適技術(shù)。
三星電子和臺(tái)積電是唯一開(kāi)始開(kāi)發(fā)GAA流程的公司,。因此,，如果三星電子能夠比臺(tái)積電更早地批量生產(chǎn)基于GAA技術(shù)的半導(dǎo)體，那么它將有機(jī)會(huì)抓住在全球晶圓代工市場(chǎng)落后甚至超越臺(tái)積電的機(jī)會(huì),。據(jù)悉,，三星電子在GAA技術(shù)和商業(yè)化方面已取得了重大進(jìn)展，因?yàn)樗行判膶⒊蔀闃I(yè)內(nèi)第一家基于GAA技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體的公司,。
《電子時(shí)報(bào)》舉辦的<2020年技術(shù)周活動(dòng)的首日活動(dòng)于周三在Spigen Hall在線直播
SK Hynix即將批量生產(chǎn)基于EUV工藝的下一代DRAM,?！拔覀冇?jì)劃從第四代10nm（1a）DRAM開(kāi)始應(yīng)用EUV工藝?！?負(fù)責(zé)SK海力士未來(lái)技術(shù)研究所的林昌文說(shuō),。“我們希望在明年初開(kāi)始批量生產(chǎn),?！?/p>
EUV是一種具有13.5納米短波長(zhǎng)的光源。與其他光源相比,，其波長(zhǎng)短十倍,。這表明EUV能夠在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建更精細(xì)，更詳細(xì)的圖案,。同樣,，它能夠減少工藝數(shù)量，而其他光源需要多次光刻工藝以實(shí)現(xiàn)微電路,。較少的過(guò)程導(dǎo)致簡(jiǎn)化的半導(dǎo)體制造過(guò)程,，從而大大提高了生產(chǎn)率。
三星電子,，SK Hynix和美光約占全球DRAM市場(chǎng)的94％，而三星電子和SK Hynix約占74％,。盡管由于這三家公司的寡頭壟斷而建立了市場(chǎng),，但美光尚未將EUV流程引入其產(chǎn)品，從而導(dǎo)致了市場(chǎng)的寡頭結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,，而這種變化似乎并沒(méi)有改變,。由于三星電子還希望通過(guò)自己的EUV DRAM技術(shù)來(lái)與眾不同，因此韓國(guó)的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)再次面臨著飛躍的機(jī)會(huì),。
EUV DRAM對(duì)于縮小韓國(guó)半導(dǎo)體公司與積極追逐韓國(guó)公司的中國(guó)半導(dǎo)體公司之間的差距特別有用,。“盡管韓國(guó)半導(dǎo)體公司希望基于EUV工藝批量生產(chǎn)1a產(chǎn)品,，但中國(guó)公司去年只能批量生產(chǎn)第一代10nm（1x）DRAM,，而今年僅能夠基于第二代10nm（1y）DRAM。EUV流程,?！?韓國(guó)進(jìn)出口銀行對(duì)外經(jīng)濟(jì)研究所說(shuō)?！坝捎贓UV設(shè)備的昂貴成本和有限的供應(yīng)能力,，韓國(guó)公司很有可能將自己與中國(guó)公司分開(kāi)?！?/p>