隨著64層堆棧3D NAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn)，全球6大NAND閃存廠商今年都開始轉(zhuǎn)向96層堆棧的新一代3D NAND,，幾家廠商的技術(shù)方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個4D NAND閃存的名字,，在今年的FMS國際閃存會議上正式宣告了業(yè)界首個基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存,，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型,，96層堆棧,，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積,，讀取,、寫入速度分別提升30%、25%,。

　　根據(jù)SK Hynix之前公布的信息,，所謂的4D NAND閃存其實也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部,，所以叫了4D NAND閃存,，本質(zhì)上其實還是3D NAND，4D NAND閃存有很強(qiáng)的商業(yè)營銷味道,。

　　SK Hynix的4D NAND閃存首先會量產(chǎn)TLC類型的,，核心容量分別是512Gbt、1Tb,，都是96層堆棧,，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的,，1Tb版顯然更大一些。

　　至于QLC類型的,，這個未來會是SK Hynix量產(chǎn)的重點,，核心容量1Tb，但量產(chǎn)時間會在明年下半年,，還需要一些時間,。

　　韓聯(lián)社報道稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存,，TLC類型,，核心容量512Gb，與現(xiàn)有的72層堆棧3D NAND閃存相比,，4D NAND閃存的核心面積減少了30%,，單片晶圓的生產(chǎn)輸出增加了50%，而且性能也更強(qiáng)——讀取速度提升30%,，寫入速度提升25%,。

　　根據(jù)官方所說,，4D NAND閃存今年內(nèi)會量產(chǎn)，而主要生產(chǎn)基地就是剛剛落成的M15工廠,，總投資高達(dá)15萬億韓元,，約合135億美元。